二极管与MOS管做ESD保护的区别

andyjackcao

在做ESD时，GGNMOS与二极管的差异有哪些.
* C# t$ [* X: [1 [$ }我考虑到的有：
0 Y5 r9 j& X" ~: U1），GGNMOS的放电路径要比二极管多；
0 Y% ?4 n( c; s, O2），在相同的面积下，计算得到MOS的寄生电容与二极管在一个数量级。
3），GGNMOS工作在截至区，不会产生沟道噪声，也不会引入其他噪声；
所以，采用相同面积的GGNMOS可以替代同样面积的二极管。
1 C. r( ]- V6 ]! E& ]" z结论对不？
% Q/ T9 t$ J, S5 X7 O- f多谢

andyjackcao

芯片是一款ADC芯片，可工作在80M的采样频率下

andyjackcao

还请大大帮忙解决下这个问题：）

andyjackcao

1),二极管没有SiO2,在CDM模式下，不容易失效
2),由于二极管参数可以做到很对称，在RF ESD，可经常使用，从而让PAD的阻抗匹配

andyjackcao

1),二极管经常在Rail-ESD结构中使用，从而减少PAD的寄生电容
2),MOS经常在 PAD-ESD结构中使用，可不考虑PAD的寄生电容
/ @/ I! u# O( Z  v0 M  p7 N所以，要实现二极管对芯片的保护，还要结合整体结构来考虑

franklu1227

怎么只剩楼主一个人自言自语了？

andyjackcao

二极管可避免snapback，也就避免了不均匀放电；
如果电源到地的通路足够强，二极管的ESD可做的比较好。

szona44250

感謝大大的分享，受益無窮
+ g* g2 s- e4 q0 W$ D
謝謝