在高速介面，如HDMI，USB3.0，在烤爐靜電保護時你認為什麼最重要？

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英飛凌推出全新靜電防護二極體 反應速度極快，保護高速 USB 3.0 連接埠免於靜電放電的破壞，並維持最佳訊號品質  
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$ Z6 j( \5 k$ _( |/ i: r【2011 年 1 月 7 日台北訊】現今，只要透過可攜式儲存媒體，任何人都可隨身攜帶屬於自己的媒體庫，不管是自己喜愛的樂團所發行的最新專輯，或是去年夏天度假時拍攝的照片，甚至是 HD 高畫質電影，都可以立即在一般終端設備如電視及筆記型電腦上播放。影像與聲音的品質越高，在裝置之間的資料傳輸量也會越大，同時也需要更快速的介面。
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# k( u8 {3 S  N3 [% D通用序列埠 ( USB) 可隨插即用，使用上簡易方便，在可攜式儲存領域扮演重要的角色。USB 3.0 支援 5 Gb/s 傳輸速率，約為第二代介面的十倍，耗電量則僅約三分之一。然而，新的 USB 連接埠設計對於靜電放電 (ESD) 特別敏感， 僅手部的碰觸就足以產生電流，放電產生的能量可使設備損壞，甚至導致完全無法使用。這不僅為使用者帶來困擾，對製造者而言，也可能因產品召回及後續的形象問題而付出高昂的代價。

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英飛凌的 ESD3v3u4ulc 防護二極體可吸收 USB 連接埠因靜電放電而釋放的能量，保護設備免於損壞。這款二極體具備市場上最低的箝制電壓及最低的動態電阻 (0.23 Ω)，發生靜電放電時的反應極有效率。同時可承受20kV接觸式放電，遠大於最高工業標準IEC61000-4-2的8V。因為低電容值，所以具備極優異的防護能力，對高速連線的訊號品質所造成的影響也極小。傳統的解決方案為提高有效的防護，必須犧牲訊號完整性，因此導致高速訊號的品質不良。
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! s) g+ B* T  W, I1 }0 t, o英飛凌的 ESD3v3u4ulc 採用最新的封裝技術， TSLP-9-1 可達成最佳的 PCB 配置，以單一二極體即可同時提供最多四個線路的防護。正確的元件封裝可確保訊號快速傳輸，並且維持品質，對於高速介面而言更為重要。

上市時間與定價

ESD3v3u4ulc 將於 2011 年 1 月起供貨。以10,000個單位為批量的單價為 0.60 美元。

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【新竹訊】從產品設計到實際量產，銀燦科技的USB 3.0 Flash單一控制晶片與SATA橋接控制晶片，具有高效能、低功耗、低成本優勢，為市場最佳選擇，可讓客戶快速導入市場。

0 U- p$ P. l. A/ v" S7 D* M7 e! m7 r銀燦為USB 3.0儲存裝置控制晶片領導廠，以USB 3.0外接式儲存裝置為主，2010 COMPUTEX推出全球首顆USB 3.0 Flash單一控制晶片IS902，及SATA橋接控制晶片IS888，兩者皆強調低成本、低耗電及高效能。
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IS902是單一晶片加上2-Channel設計，具備USB 3.0的高速傳輸，並維持USB 2.0晶片的精巧尺寸。IS888產品透過特殊電源控制技術，省下許多週邊零件，尺寸設計更能符合客戶需求。

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IS902 Flash單一晶片控制器採用0.13um製程，成本具有最佳C/P值，功耗也做適當調校，在低功耗條件下，控制晶片的工作溫度低於55℃，提升整體效能 及穩定性。客戶可直接搭配不同的Flash來設計高中低階產品線，使庫存管理簡化，例如，搭配SLC的Flash，符合高階市場需求。

在PCB公版上，IS902也提供客戶多樣化選擇，主流部分，如15x47mm（TSOP x2）、14x33mm（LGA x1，須使用單顆雙通道的Flash）均有實際的樣品可供客戶應用，再搭配完善的量產程式，使客戶完成驗證後能更快導入量產。

0 q6 W" c9 h* w& I1 P; P銀燦IS888 USB 3.0 to SATA橋接控制晶片也是USB 3.0風潮下，外接式儲存裝置的最佳解決方案之一。IS888獲得USB-IF logo產品認證（TID：340750000），量產出貨中。採用0.13微米製程，透過電源控制技術，大大降低整體工作電流，待機功耗在USB 3.0模式下，只需約80mA工作電流（5V），在USB 2.0模式時，也只需要40mA。

為將USB 3.0的效能發揮到極致，讓使用者享受其效能，銀燦為IS888量身打造免費的加速軟體AI-Turbo，及AI-OTB、AI-Shield應用軟體，使IS888具備USB 3.0的高速效能，提供消費者多樣化應用與便利性。

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安森美半導體推出創新的整合ESD保護的共模濾波器，用於高速序列介面
高整合度的EMI2121、EMI4182及EMI4183以單顆元件提供有效的EMI濾波及ESD保護

2011年5月26日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出一批新的共模濾波器(CMF)，這些元件整合了靜電放電(ESD)保護，用於抑制雜訊及提供高訊號完整性。新元件包括EMI2121、EMI4182及EMI4183，非常適合於應用在智慧手機、多媒體平板電腦、無線連接底座(dongle)、數位攝影機及機上盒和DVD播放機。

安森美半導體推出的這些新的共模濾波器不同於傳統的電磁干擾(EMI)濾波器，乃是基於矽片製造，更適合以更深度及更高頻率抑制EMI，而不是基於陶瓷或鐵氧體的方案可比。這些整合ESD保護及EMI抑制功能的新元件，比競爭方案節省空間多達50%，從而可以可觀的節省物料單(BOM)，且為無線手機設計人員提供了整體(turnkey)解決方案。

" u. n( ^) K5 ~安森美半導體保護產品事業部副總裁兼總經理Gary Straker說：「整合的ESD保護是設計工程師進行高速序列介面元件選型時考慮的一項重要因素。EMI2121、EMI4182和EMI4183是我們與幾家前八大智慧手機及平板電腦製造商持續合作的成果；這些製造商正在發展螢幕尺寸更大、解析度更高並配合頻寬越來越高之應用的產品，同時還希望能符合消費者對時尚小巧設計的需求。」

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EMI2121是單對共模濾波器，EMI4182是雙對共模濾波器，EMI4183是三對共模濾波器，全都提供500兆赫茲(MHz)時典型值15分貝(dB)的共模抑制，及500 MHz時典型值僅1.0 dB的插入損耗。它們的高差模頻寬截止頻率確保高度的訊號完整性。這些元件提供整合的ESD保護，符合IEC61000-4-2標準15千伏(kV)峰值放電的保護要求。它們提供−40 ⁰C至+85 ⁰C的工作溫度範圍，每款元件都提供32伏(V)鉗位元電壓，通常優於現有陶瓷方案最少三十倍。  
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" }$ x; b* d! q- q* ]' ?IHS iSuppli資深分析師Tina Teng說：「相比序列介面的配備率(attachment rate)，手機市場以倍數成長，這主要歸因於採用如MIPI等高速介面的相機及顯示器、HDMI的新增功能和高階功能型手機、智慧手機及多媒體平台電腦等市場。」

這些經過優化的新元件用於保護使用行動行業處理器介面(MIPI) DSI及MIPI CSI2介面標準以及USB 2.0（當前高清多媒體介面(HDMI)的高速序列埠版本）。這系列整合保護的共模濾波器產品支援高達3.4 Gbps的資料傳輸速率，遠高於MIPI、USB 2.0及HDMI介面的要求，同時提供高度的訊號完整性。  
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8 {( H, e7 E! F# x3 h! r( ^0 qEMI2121採用2.2 mm x 2.0 mm x 0.75 mm QDFN8封裝，每10,000片批量的單價為0.19美元。EMI4182採用2.5 mm x 2.0 mm x 0.75 mm 10引腳WDFN封裝，每10,000片批量的單價為0.25美元。EMI4183採用 4.0 mm x 2.0 mm x 0.75 mm 16引腳WDFN封裝，每10,000片批量的單價為0.39美元。EMI4183及EMI4182均已供貨，EMI2121將於6月發佈。

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首款採用單一封裝高度整合 ESD、過溫、過壓與欠壓保護功能的元件
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(台北訊，2011 年 9 月 21 日)   德州儀器 (TI) 宣佈推出業界首款採用單一封裝整合四種類型 USB 2.0 晶片保護功能的元件。 TPD4S014 支援靜電放電 (ESD) 高階保護，尺寸僅為 2 mm  x 2 mm，適用於所有四通道的業界最小型 USB 保護元件。在元件工作接點溫度 (junction temperature) 超過攝氏150 度時，開關會關閉電源軌，對過溫情況提供保護。如果電源降至 2.8 V 以下，或升至 6.15 V 以上時，TPD4S014 的負載開關將立即打開，防止出現欠壓或過壓問題，避免移動電壓線路損壞電源軌。

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設計人員可將TPD4S014運用於眾多要求外形輕巧的設計配置，如手機、電子書、可攜式媒體播放機及數位相機、平板電腦、嵌入式運算、導航、土地測量及其他可攜式測量測試設備等。
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TPD4S014 的主要特性與優勢
•        首款在單一小型封裝中提供過壓、欠壓、過溫以及 ESD 四種保護功能的元件；
  V# D: _( E7 p5 o5 B( k•        適用於所有四個 USB 通道的業界最小型 USB 保護元件，尺寸比僅支援 ESD 保護功能的同類元件小 75%；
/ i2 t% j9 X0 W# o# J( v$ A•        可為 D+、D-、VBUS 與 ID 所有四個高速 USB (USB 2.0) 通道提供保護；
1 F/ s! _. l, s•        符合最高等級的 ESD 保護要求，根據 IEC61000-4-2 系統級 ESD 抗擾 (immunity) 測試，支援 ±8 kV 接點放電 (contact discharge) 及 ±15 kV 氣隙放電 (air-gap discharge) 抗擾；
$ H' j, [1 `# f3 Q; a+ _0 F0 k•        相容於全速與高速兩個版本，支援高達 480 Mbps 資料速率。
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" K: A/ H& L! k1 U+ V- Q供貨與價格
/ C) V9 [2 G1 U採用 10 接腳、4 mm2 DSQ SON 封裝的 TPD4S014 現已全面量產，可透過 TI 及其授權通路進行訂購，每千顆單位建議零售價格為0.55美元。

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安森美半導體推出業界最小的時脈產生器IC，用於降低便攜應用的電磁干擾
展頻時脈產生器節省電路板空間並符合EMI規範，無須耗財耗時重新設計

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2011年10月14日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新系列的時脈產生器積體電路(IC)，管理時鐘源的電磁干擾(EMI)及射頻干擾(RFI)，為所有依賴於時鐘的訊號提供降低全系統級的EMI。

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新的P3MS650100H及P3MS650103H 低壓互補金屬氧化物半導體(LVCMOS) 降低峰值EMI時脈產生器非常適合用於空間受限的應用，如便攜電池供電設備，包括手機及平板電腦。這些便攜設備的EMI/RFI可能是一項重要挑戰，而符合相關規範是先決條件。這些通用新元件採用小型4引腳WDFN封裝，尺寸僅為1 mm x 1.2 mm x 0.8 mm。這些展頻型時脈產生器，是提供業界最小的獨立式解決方案，及在時鐘源以和源自時鐘源的下行時鐘及資料訊號處降低EMI/RFI。
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P3MS650100H及P3MS650103H支援的輸入電壓範圍為1.8伏(V)至3.3 V，典型偏差為0.45%至1.4%，在時鐘源降低EMI/RFI的頻率範圍在15兆赫茲(MHz)至60 MHz。工作溫度範圍為-20 ºC至+85 ºC。

安森美半導體定制工業及時序產品副總裁Ryan Cameron說：「需要符合EMI規範同時控制成本及把印刷電路板(PCB)佔用面積減至最小，是行動應用的重要挑戰。我們新的降低EMI IC克服這些挑戰，提供在時鐘源及源自時鐘源的下行時鐘及資料訊號處降低EMI/RFI的高性價比方案。設計工程師在設計週期及早採用這些元件，可無須其他方案及加入成本不菲的額外PCB層或遮罩來處理EMI/RFI問題。」

安森美半導體計畫在2012年第1季度推出這系列更多針對不同頻率範圍及衍生版本的IC。
P3MS650xxxH採用4引腳WDFN封裝，每批量10,000片的單價為0.37美元。