電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

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東芝為CMOS毫米波電路的發展開發緊湊型MOS可變電抗器模擬模型- 精確度從DC至毫米波且採用單模型 -

東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO: 6502)今天宣布開發精確度從DC（直流）至毫米波(60 GHz)的緊湊型MOS可變電抗器1模擬模型。新模型由東芝和岡山縣立大學(Okayama Prefectural University)的Nobuyuki Itoh教授共同研製。

新的緊湊型MOS可變電抗器模型引進原始演算法來表達尺度效應，並可捕捉到支配60 GHz範圍的寄生效應的影響。針對元件大小不同的樣品，使用了1 MHz - 60 GHz的測量參數進行建模。一般而言，很難透過單模型來表示MOS可變電抗器，但是新開發的模型卻成功做到了這一點。

新模型能夠準確捕捉到寄生效應，這就為實現RF-CMOS產品的低功耗提供了支援。東芝將利用基礎技術來開發此類晶片，而這些晶片是該公司模擬與影像積體電路部門的主要裝置。受惠於目前已取得的成效，東芝預計將來可精確地對CMOS毫米波電路進行模擬。

透過自身的65 nm RF-CMOS技術，東芝已經打造出了元件長度從0.26 um至2.0 um不等的樣品，並使用這些樣品對新模型進行了驗證。所有尺寸的元件均取得了DC至67 GHz的精確度。

該模型的驗證工作是在60 GHz電路上完成的。東芝使用這種用於調頻元件的模型對60 GHz VCO控制電壓上的相位雜訊水準依賴性進行了測量，並與電路模擬進行了比較。結果顯示，測量精度達8 dB，優於傳統模型2。

這些研發成果在12月4-7日在臺灣舉行的亞太微波會議(Asia-Pacific Microwave Conference)上進行了展示。

1. MOS（金屬氧化物半導體）可變電抗器是一種平面元件，歷來都使用CMOS技術製造。通常來說，該元件廣泛用於CMOS VCO（壓控振盪器）電路的調頻元件。

2. BSIM（伯克萊短溝道絕緣柵場效應電晶體模型）是通常用於模擬MOS可變電抗器的傳統模型。該模型由加州大學伯克萊分校開發。

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科銳第二代碳化矽功率 MOSFET的量產顯著節約功率轉換系統的成本 新元件性價比增加了一倍

科銳公司 (Cree, Inc) (Nasdaq: CREE)宣佈推出第二代碳化矽 (SiC) 功率MOSFET，是能夠使系統實現高效率及更小尺寸、以及高成本效益的矽解決方案。這新型1200V耐壓功率的MOSFET提供業界領先的功率密度和切換效率，每安培成本只有科銳前一代MOSFET產品的一半。從性價比上，新型的功率MOSFET是尺寸更小及重量更輕的碳化矽系統，通過提高效率及降低安裝成本，協助OEM客戶降低系統成本，並為終端用戶節省額外花費。

德國弗萊堡 (Freiburg) 行內著名的Fraunhofer研究院 (Fraunhofer-Institute) 專家Bruno Burger博士表示：「我們已經在先進的太陽能電路中採用科銳第二代碳化矽功率MOSFET進行評估。它們擁有最好的效率，並能讓系統在較高切換頻率時運作，從而實現尺寸更小的被動元件，尤其是更小的電感器。這樣大大提高了太陽能逆變器的成本/效能折衷，有助開發更小、更輕及更高效的系統。」

在一些高功率應用上，這些新型SiC MOSFET的優越性能可削減50%~70%所需額定電流。經過妥當的最佳化之後，客戶現在能以與以往的矽解決方案相同或更低的系統成本，獲得碳化矽性能上的優勢。對於太陽能逆變器和不斷電系統(UPS)，效率會隨著尺寸和重量的減少而提升。在馬達驅動應用方面，可協助其功率密度增加一倍以上，同時提高工作效率，並較其它具有相同額定的矽解決方案提供多兩倍的最大扭矩。新產品提供的範圍已經擴展到包含一個更大的25毫歐姆晶粒，鎖定30kW以上功率水準的高功率模組市場；而80毫歐姆元件則為第一代MOSFET提供更低成本、更高性能的升級方案。

科銳功率及射頻事業部副總裁及總經理Cengiz Balkas表示：「有了這個新MOSFET平臺，我們在多個領域上都贏得客戶的導入設計。由於第二代SiC MOSFET受到迅速接納，我們不但提前為幾家客戶量產出貨，而且我們也正在依客戶要求加速量產。」

科銳現提供額定電阻為25毫歐姆及80毫歐姆的晶粒，前者作為50安培基本組件用於高功率模組；而80毫歐姆導功率MOSFET則採用TO-247封裝，以優越性能及較低成本，取代科銳第一代產品CMF20120D。封裝元件可通過代理商DigiKey、Mouser和Farnell公司即可購得。

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德州儀器高電壓轉換開關 為always-on智慧電錶及家庭自動化設計節省能源
700-V 電源管理轉換開關將靜態功耗減少 50%


(台北訊，2014年9月12日)   德州儀器 (TI) 宣佈推出支援不足 100uA 業界最低靜態電流的 700-V 轉換開關，其功耗是現有解決方案的一半，進一步擴大了 TI 針對離線 AC/DC 設計的高電壓電源解決方案陣營。該 UCC28880 控制器高度整合 700-V 功率 MOSFET 和高電壓電流電源，可提高輸出電流高達 100mA 的 always-on 非隔離式電源系統的整體能源效率，充分滿足智慧電錶、家庭自動化設備以及大型家用電器等應用需求。

TI 高電壓電源解決方案產品部首席技術官 Dave Freeman 指出，全球數以億計的智慧電錶透過不斷消耗電網電源來測量能源使用情況並向公共事業單位提供回饋。雖然這些電錶耗電量相對較小，而且其耗電也不向用戶收取費用，但將這些設備供電所需的能源進行累加後發現，降低其能源消耗也非常重要。TI 最新高電壓電源解決方案等最新電源轉換技術將有助於智慧電錶大幅降低能耗。

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UCC28880 高電壓轉換開關不僅可降低系統成本，最小化電源整體尺寸，同時還可保持高效率與高系統效能。設計人員可使用該轉換開關創造降壓、升降壓以及反向等不同轉換器拓撲，無需增加額外的半導體元件。

UCC28880 的主要特性與優勢：
•        業界最低功耗：由於負載降低，靜態電流可降低至 100uA 以下；
•        縮小應用尺寸，降低整體系統成本：該電路在 29.4 平方毫米的微小型 7 接腳SO 封裝中高度整合 700V MOSFET、啟動電流源以及內部電流感測功能。此外，由於無需外部補償，可進一步減少元件數量，縮小電路板空間；
•        過大電流下的優異系統效能：除了電流限制功能之外，控制器的電感器電流失控保護也有助於在負載短路情況下提供保護，確保設計可靠性；
•        過熱保護：該裝置提供支援遲滯重啟的過溫保護功能，可確保安全工作；
•        增加沿面距離與間隙：高電壓接腳隔離在封裝的一側，其可最大限度增大高低電壓接腳的間隙。

基於 UCC28880 的 離線 AC/DC 參考設計 (PMP8550) 不僅可讓設計人員快速設計總體解決方案尺寸為 38 毫米 × 32 毫米 × 22 毫米的低成本、低功耗非隔離式高側降壓轉換器，其支援 13V 的電壓，同時還可生成高達 100mA 的輸出電流。該參考設計採用整合開關的降壓轉換器，可用於眾多工業應用。設計原理圖、CAD 檔以及測試結果可供下載。
       
供貨情況及售價
整合 700V FET 的 UCC28880 轉換開關現已開始供貨，採用 7 接腳 SOIC 封裝，建議售價為每一千單位 0.55 美元。UCC28880 低側降壓評估模組 (EVM) 與高側降壓 EVM 包含可下載 PSpice 模型，建議售價為 49 美元。