電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

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快捷半導體的 40V PowerTrench®MOSFET 產品在動力操控應用中提供了更好的電力控制功能及更高效率


器件具有最低電阻和低總閘極電荷以降低功率損耗

汽車動力操控(Power Steering)系統設計工程師需要可提供更高效率和更好功率控制的解決方案。快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 的40V N 通道 PowerTrench®MOSFET 產品可協助設計者應對這些挑戰。

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FDB9403 採用快捷半導體公司的遮罩閘極技術，改進了電阻並降低了電容。 該器件提供比最接近競爭產品低 20% 的 RDS(ON)值，同時具備低 Qg值，可降低了功率損耗並最終提高整體效率。 FDB9403 MOSFET 產品作為基本的電流控制開關，有效地控制了電力，無任何浪費，因此非常適合於電力操控系統、懸架控制及動力傳動管理應用。

特點及優點：

•        在 VGS = 10V 和ID = 80A時，更低功率損耗的典型值 RDS(ON)= 1mΩ，從而實現更高效率
•        在 VGS = 10V和 ID = 80A 時，典型值 Qg(tot) = 164nC，功耗更低，從而實現更高效率
•        UIS 能力
•        符合 RoHS 及 AEC Q101 標準

封裝及定價資訊（訂購 1,000 個，美元）
按請求提供樣品 - 收到訂單後 8-12 週內交貨
•        FDB9403 採用 D2PAK TO-263AB 封裝，價格為 2.48美元。

快捷半導體在功率半導體器件及模組封裝方面的專業知識，結合大量測試、模擬及高品質製造經驗，使該公司提供的產品在最苛刻的汽車環境中亦能可靠地工作。 由於擁有世界各地的設計、製造、組裝及測試基地，快捷半導體公司具有良好的裝備，從而滿足了汽車製造商在品質、可靠性及可用性方面的需求。

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東芝推出新款N溝道低導通電阻MOSFET-產品採用最新第八代製程，可用於鋰離子電池保護電路和手機電源管理開關

(20121210 11:55:40)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)推出了一款低導通電阻MOSFET—TPN2R503NC。該產品採用最新的第八代製程打造，可用於鋰離子電池保護電路和手機電源管理開關。其他兩款第八代產品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被納入該產品系列中，成為現有型號的換代產品。所有三款產品均有助於降低設備厚度和總體尺寸，並可提高效率。

應用
1. 鋰離子電池保護電路
2. 手機電源管理開關

主要特點
1. 由於採用了最新的第八代製程，因此產品的導通電阻比現有的東芝產品要低。
2. 採用了TSON Advance封裝，可提供出色的散熱性能。
3. 高抗雪崩性能。

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科銳的碳化矽功率 MOSFET為台達能源系統公司 實現下一代太陽能轉換器
碳化矽功率 MOSFET技術可顯著改善太陽能逆變器的重量、成本和效率

科銳公司(Nasdaq: CREE)與台達能源系統公司(Delta Energy Systems)共同宣佈成功達成太陽能逆變器(PV inverter)業內一項計畫，台達的新一代的太陽能轉換器將科銳的碳化矽(SiC)功率 MOSFET納入設計。碳化矽功率 MOSFET的加入，使下一代的太陽能逆變器在功率密度、效率和重量上達到重要的新里程碑。

台達能源系統公司的太陽能逆變器研究與發展主管 Klaus Gremmelspacher評論表示：“通過利用碳化矽功率 MOSFET，台達下一代的太陽能逆變器在功率密度上達到新的里程碑。對我們在實現輕型且具備業界領先效率的新型高功率轉換器的目標來說，科銳公司所提供的碳化矽功率 MOSFET是不可或缺的。”

科銳於2011年發表了首款碳化矽功率 MOSFET， 具有降低損耗和提高太陽能逆變器效率及功率密度的功效；而性能更顯著提升的第二代矽功率 MOSFET將於2013年推出。在這項具里程碑意義的產品面市後，世界上最大且最受尊敬的電源管理解決方案供應商之一的台達能源系統公司(台達電子集團的子公司)，決定將科銳的碳化矽功率 MOSFET納入下一代太陽能逆變器的設計中。在11kW太陽能逆變器中採納科銳的1200V碳化矽功率 MOSFET後，台達已能擴大直流輸入電壓範圍，同時維持或甚至提升前一代產品的最高效率。台達預計在2013年第二季推出的11kW加速器(booster)，因為採用科銳的碳化矽功率 MOSFET，其直流輸入電壓從900V提升到1000V。

科銳電源的資深行銷主管Scott Allen博士表示：“我們很高興且榮幸像台達能源系統這樣的公司成為我們碳化矽功率 MOSFET產品的客戶。他們正使用中的1200V、160m-MOSFET能很快臻於完善，因為那是2011年發表的產品，而且又具備領先業界的性能和成本優勢。 像台達電子等從事先端技術的客戶，如今也積極採用我們的碳化矽功率 MOSFET技術，不僅能使太陽能逆變器在尺寸、重量和成本等方面比採用矽減少20%~50%，同時能保持或提升效率水準。”

科銳提供的碳化矽功率 MOSFET封裝元件可經代理商DigiKey和Mouser購買，而晶粒則可從代理商SemiDice購得。要瞭解有關科銳公司及產品更多的資訊，請參閱公司網站www.cree.com/power，或聯繫科銳的在地銷售人員或經銷商。

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(20130613 16:59:51)東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）宣布使用CMOS相容製程開發高功率增益電晶體。該電晶體可有效降低高頻射頻/類比前端應用的功耗。詳細資訊將於6月12日在2013年超大型積體電路技術及電路研討會（Symposia on VLSI Technology and Circuits）期間公布，本次研討會將於2013年6月11日至14日在日本京都舉行。

智慧手機和平板電腦等無線和行動裝置的快速成長正推動對低功耗和高性能射頻/類比電路的需求。但是，由於電晶體擴展會導致噪音和能量增益效率的下降，因此很難將數位電路廣泛使用的先進設備和製程技術應用至射頻/類比電路。

東芝透過一種新設備結構（使用兩種不同材料作為一個金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)的閘電極）和一種製程整合方案（採用廣泛使用的常見半導體製造方法）解決了這一問題。這種方法實現了奈米級閘長控制。電晶體的實驗結果顯示功耗顯著降低，並且作業速度沒有出現任何下降。

這種設備結構的獨特特徵是兩種材料（n型矽和p型矽）之間的薄氧化物阻擋膜，這種膜可以抑制雜質互擴散。閘電極區域中可以實現高電場，從而提高放大器效率。不同的閘電極材料採用不同的閘氧化膜厚度。這種結構在飽和狀態下可實現控制良好的設備屬性，即便在低工作電壓下也可實現。這種新設備製程還適用於先進數位大型積體電路製造所使用的高介電閘極絕緣層。

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東芝擴大用於基地台和伺服器的功率MOSFET陣容
推出擁有頂尖[1]低導通電阻性能和高速交換性能的60V產品

東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布為其用於基地台和伺服器的通用直流-直流轉換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產品。這些產品使用最新的第八代低電壓溝槽結構，並實現了頂尖[1]低導通電阻和高速交換性能。即日開始量產。

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科銳的碳化矽功率MOSFET協助Delta Elektronika BV公司開發新一代高效率和高可靠度的電源供應器
擴展的產品組合Cree® MOSFET可使產品功率損失減少21% 並提供使用減少一半元件數量的簡單架構

科銳公司(Nasdaq: CREE)宣佈新擴展的1200 V碳化矽(SiC) 功率MOSFET產品組合，將被納入Delta Elektronika BV公司最先進的電源供應器之中。Delta Elektronika 展示了與採用傳統矽技術設計的電源供應器相比，整體電源損耗減少21%及元件數量減少達45%的新電源供應器。

Delta Elektronika BV總裁Job Koopmann表示：「我們很高興在產品系列中採用科銳新型的碳化矽電晶體。它能夠同時提升效率和產品的功率密度，在切換效率的表現上也相當出色，控制MOSFET亦簡單容易。這種元件可協助我們繼續開發更多可靠的產品，滿足客戶的期望。」

自1959年以來，總部設於荷蘭的Delta Elektronika BV，一直是生產高可靠度及高品質電源供應器的領先企業，一系列的工業應用如工廠用的專業設備、汽車和工業電源轉換等。它的電源供應器通常能達到高效能及低雜訊水準，產品的長使用週期也是眾所周知。由於在最新的電源供應器系列中採用科銳先進的第二代碳化矽功率MOSEFET，Delta Elektronika BV在配置和提供高可靠度的先進技術上領先業界。

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科銳功率元件與射頻產品部門總經理Cengiz Balkas表示：「我們很高興Delta Elektronika BV成為眾多採用我們最新一代碳化矽功率MOSFET產品的其中一家企業。Delta Elektronika BV擁有超過半世紀生產市場上其中一些最可靠、高效率和小型的電源供應器的歷史和傳統。重視效率、可靠性和功率密度的工業電源供應器市場，對碳化矽功率MOSFET技術而言是一個重要市場。我們新的第二代碳化矽功率MOSFET產品組合獲得市場熱烈的歡迎，當中包括了用於5-10 kW市場的160 m-Ohm MOSFET產品。」

科銳於2013年3月發表的第二代碳化矽功率 MOSFET，得到整個電力產業的支持，並且在數個重要的應用上獲得採用的次數變得愈來愈多，其中一家大型製造商正在評估將我們的解決方案，應用在他們下一代高效率太陽能逆變器(PV inverter)的產品設計中。在擁有碳化矽技術的前提下，電源供應器製造商能減少元件數量、協助提升可靠度，同時維持或提高電源供應器的效率。提升功率密度也會導致尺寸、重量、體積等方面的減小，在某些情況下甚至可以降低電源供應器的成本。對比採用傳統矽技術設計生產的標準電源供應器，碳化矽已被證明是可實現兩倍以上功率密度的技術。

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東芝將為行動裝置的高電流充電電路推出超緊湊型MOSFET 高功耗封裝陣容擴大

東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布，該公司已經為智慧型手機和平板電腦等行動裝置的高電流充電電路的開關推出了超緊湊型MOSFET，包括兩種電池。

隨著更多功能加入智慧型手機和手機、平板電腦和筆記型電腦等行動裝置以及對它們的電池提出更多要求，公司不斷顯著增加充電電流來縮短充電時間，以提高電荷密度和改善使用者體驗。新的超緊湊型SSM6J781G和SSM6J771G是東芝高功耗封裝的高電流MOSFET陣容的最新成員。即日起開始量產和出貨。

可應用於智慧型手機和手機、平板電腦和筆記型電腦等行動裝置的高電流充電開關。

推薦的電路包含高壓側開關（P溝道）、結合升壓控制LSI的高壓側開關（N溝道）以及低壓側電池保護的控制開關（N溝道）。

主要特點有高電流、低導通電阻、低電容、小型封裝（1.5 x 1.0 mm；WCSP6C）以及高功耗。

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德州儀器推出首款整合型步進馬達前置驅動器 進一步擴大馬達驅動器產品陣營 進階步進控制技術為工業應用實現靜音驅動'


(台北訊，2013 年 9 月 13 日)   德州儀器 (TI) 宣佈推出首款整合型步進馬達前置驅動器，進一步擴大其馬達驅動器產品陣營。該 DRV8711 具備與業界最優異之晶片內建微步進分度器的高度可配置性，以及失速檢測與可便捷高效調節任何馬達的進階電流調節功能。外部 MOSFET 可控制步進馬達，支援最低熱耗散以及較效能最接近的同類產品高 出20% 的可擴展輸出電流，讓設計人員可客製化其設計的輸出電流。這款步進馬達前置驅動器適用於各種工業應用，包括紡織機械、視訊安全監控、ATM、機器人、辦公自動化設備以及舞臺照明等。

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DRV8711 的主要特性與優勢：
•        可客製化的驅動器等級：柵極驅動器支援每 400mA 汲極電流下高達 200mA 的源極電流，並支援可調節迴轉率、空載時間與導通時間，可充分滿足應用需求。該元件可驅動具備內建充電泵的外部 N 通道 MOSFET，進而提供更多設計選項以及更低成本的解決方案；
•        流暢的動態曲線可實現更高的效能：採用支援達 1/256 微步進效能的整合型微步進分度器驅動步進馬達。自我調整消隱時間與各種電流衰變模式，包括慢、快、混合與自動混合衰變等，可實現流暢的動態曲線，進而最佳化馬達效能；
•        內外部失速檢測功能：設計人員既可透過內部失速檢測特性輕鬆檢測失速情況，也可透過處理可選擇性地反電動勢 (BEMF) 輸出以檢測失速情況，並透過外部控制器採取糾正措施。這可協助設計人員將馬達失速干擾降到最低；
•        易用性與高度可配置性：SPI 介面讓客戶可針對輸出電流、微步進模式、電流衰變模式以及失速檢測功能進行程式設計，可較同類元件降低系統複雜性及簡化設計；
•        穩健、可靠與保護功能：DRV8711 內針對馬達過電流、前置驅動器過電流、過溫以及欠壓故障情況的保護功能可支援系統保護，並實現高度的系統可靠性與穩固性。

工具與支援
DRV8711EVM 可評估該前置驅動器。此款評估模組 (EVM) 不僅包含低功耗 MSP430F2617 微控制器 (MCU) 與外部 NexFET 功率 MOSFET，而且還可透過電源排針外部提供高達 52V 的電源，並能提供透過圖形化使用者介面 (GUI) 與 MSP430F2617 MCU 通訊的 USB 介面。此外，所包含的步進馬達還可用來評估控制器效能。

TI E2E™ 社群的馬達驅動器論壇可為工程師提供強大的技術支援，並可向 TI 專家諮詢相關問題。
       
供貨情況、封裝與價格
採用38 接腳 HTSSOP PowerPadTM 封裝且具備導熱墊的 DRV8711 現已開始供貨，其每千顆單位建議零售價為 2.75美元。

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科銳CPW5系列 Z-Rec二極體將碳化矽 (SiC) 優勢擴大至兆瓦 (megawatt) 的電力系統市場，可協助提升效率同時降低成本

科銳公司 (Nasdaq: CREE) 宣布推出新型CPW5 Z-Rec®高功率碳化矽(silicon-carbide, SiC)蕭特基二極體產品，為業界第一個已可商用化的50安培SiC整流器系列。這些新型二極體專為在從50 千兆 (kW) 到超過1兆瓦 (MW) 的高電力系統中使用SiC技術，提供成本降低、效率提升、系統簡化以及高可靠度的優勢，能夠實現要求嚴苛的應用，包括太陽能/太陽能光電轉換器(PV inverter)、工業用電源、感應加熱、電池充電站、風力發電變流器和牽引逆變器。

科銳的CPW5蕭特基二極體特別為方便50安培的二極體與50安培的MOSFET或IGBT直接配接而開發，以單一CPW5整流器取代多個低電壓、低電流的SiC蕭特基二極體或矽PiN二極體，有助降低系統的複雜程度和成本。由於SiC的開關過程中消除了電壓超量的問題，因此可以藉著降低最大電壓額定值和消除緩衝電路來進一步降低成本。

APEI公司業務發展總監Ty McNutt表示：「科銳的CPW5系列SiC蕭特基二極體是我們高性能功率模組和電子電力系統中的重要組成部分。其低順向電壓降 (voltage drop)、快速的開關速度和擴展的溫度性能，使我們能在許多應用，例如高功率馬達驅動器和太陽能光電轉變器中提升功率密度和效率。」

科銳 CPW5二極體可實現新一代的高電流Si/SiC IGBT模組。與傳統模組相比，混合式Si/SiC的IGBT模組的開關損耗可銳減達43%，同時還可抑制電壓及電流超量、開關延遲時間(dead time)和冷卻需求。另一個好處是設計工程師可利用與傳統模組相同的閘極驅動器設計和電路，從而可方便及立即執行系統。此外，科銳CPW5二極體也提供了一個具有超過500安培反覆電流和2000安培非反覆電流的正向峰值浪湧電阻，在最惡劣的電氣環境下也能提供較高的可靠性。

SmiDice執行長Dan Cormack表示：「SemiDice是以晶圓和晶粒方式提供科銳SiC功率產品的獨家經銷商，我們很高興能供應CPW5系列的Z-Rec蕭特基二極體。我們正看到客戶對50安培蕭特基二極體的需求增加，並深信Cree作為高階SiC二極體製造領域的全球領先者，將可提供我們客戶所期望的品質和性能，協助他們將系統成本和尺寸降到最低。」

CPW5系列Z-Rec蕭特基二極體包括1700V/50A、1200V/50A、650V/50A和650V/30A組合。SemiDice公司現已提供新型CPW5二極體的裸晶。