電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

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英飛凌推動高效率電源轉換設計：中電壓 MOSFET 讓 CanPAK™ 產品系列更臻完備

【2011 年 3 月 8 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 於美國 APEC 2011展覽會上推出 OptiMOS™ 中電壓 MOSFET 已推出 CanPAK™1) 封裝之產品，適用於各種工業用途，例如DC／DC轉換器、太陽能微型逆變器、太陽能能源系統中的最大功率點追蹤器 (MPPT)、低電壓驅動裝置及伺服器的同步整流。新推出的60V-150V MOSFET 採CanPAK™ 封裝，可讓電源系統工程師最佳化其設計，以獲得理想的功率密度、效率及優異的散熱表現，同時只需要極小的佔板空間。上述最佳化有助於節省成本並延長運作壽命，應用範圍涵蓋伺服器到再生能源系統。

相較於標準的分離式封裝，CanPAK™ 金屬「罐」結構可達到雙面散熱以及幾乎無封裝寄生電感，因此可帶來最高的效率及系統微型化。此封裝的頂端熱阻極低（1.5 K/W vs. 於傳統 DPAK 為 55K/W），因此可在太陽能設備功率轉換系統中的靜態空氣對流，或經常用於資料中心伺服器的風扇輔助氣流環境中發揮高效率的散熱功能。

OptiMOS™ MOSFET 效能進一步證實了 CanPAKTM 的優點，擁有業界最低，全電壓範圍的RDS(on) 及   Qg。低閘電荷 (Qg) 可在快速切換的應用中帶來最低的切換損耗，例如電信應用的隔離型DC／DC轉換器，以及太陽能能源系統中的太陽能微型逆變器與 MPP 追蹤器。英飛凌的 CanPAKTM 產品擁有業界最佳的 RDS(on)，在馬達控制等高電流應用中，展現了最低的功率損耗。這些產品也非常適用於其他工業用途，例如交換式電源供應器 (SMPS) 的同步整流。

目前已提供產品工程樣本，並將於 2011 年 4 月進行生產。OptiMOSTM 60V-150V 採用 CanPAKTM 封裝，可提供 2.8 至 28mOhm 的 RDS(on) 等級。如為少量採購（數量 10k），單位定價為 0.40 美元起。

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Microchip擴充MOSFET驅動器系列產品
提供自2A至4.5A峰值電流輸出的低端驅動元件 擁有關閉模式的輸入控制接腳並搭配常用封裝選項

全球領先的微控制器、類比元件暨快閃技術供應商Microchip Technology宣佈，擴充MOSFET驅動器系列產品。Microchip基於MCP14E3/4/5 4.5A MOSFET低端(low-side)驅動器的成功基礎，推出新款低端MCP14E6/7/8 2A和MCP14E9/10/11 3A驅動器。新款低成本元件系列的額定峰值輸出電流為2A至4.5A，工作電壓範圍寬達4.5V至18V。全新元件具備致能輸入控制接腳(enable input pin)，提供關閉模式以節省功耗。採用8接腳SOIC和8接腳6mm × 5mm DFN封裝。該元件是伺服器、個人電腦和筆記型電腦等消費性電子所採用電源的理想選擇。

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工程人員致力於在成本限制下實現更低功耗、更多功能和更小封裝的設計；而Microchip擴充的MOSFET驅動器系列可以滿足這些需求—全新MCP14E6/7/8內建兩組元件額定峰值輸出電流為2A；而全新MCP14E9/10/11兩組元件的峰值輸出電流為3A。這些驅動器的工作電壓寬達4.5V至18V，允許大範圍的輸入電壓。此外，這些小型封裝的驅動器所佔用的電路板空間很有限，因此可透過縮減電路板尺寸、進一步降低成本。

Microchip類比與介面產品部門行銷副總裁Bryan J. Liddiard表示：「經擴充的Microchip MOSFET驅動器系列協助客戶更靈活地選擇符合其應用需求的產品。」

除此之外，Microchip類比和介面產品部門的資深行銷經理Ray DiSilvestro更補充說：「Microchip透過推出這些新產品，充實其全系列高端和低端驅動器的產品陣容，除了具備0.5A至12A的峰值輸出電流，也同時考慮客戶的需要、以低成本提供所需的封裝。」

封裝和供貨時程

MCP14E3/4/5、MCP14E6/7/8和MCP14E9/10/11 MOSFET驅動器採用8接腳SOIC封裝；除此之外也提供8接腳的6mm × 5mm DFN封裝。

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Diodes新型DFN3020封裝MOSFET節省70%空間


台灣— 5月12日— Diodes公司近日推出了旗下有助於節省空間的DFN3020封裝分立式產品系列中的首批MOSFET。這3款雙重MOSFET組合包含了20V和30V N通道及30V互補性元件。這些雙重DFN3020 MOSFET的電學性能與較大型的SOT23封裝零件一樣，而且一顆新元件就可以取代2顆SOT23封裝的MOSFET，因而能節省70%的電路板空間。

DFN3020 MOSFET的佔位面積只有6平方毫米，較使用SOT23或TSOP-6封裝的面積少了40%，離板高度為0.8毫米，適用於像平板電腦或小筆電 (Netbook) 等空間有限、體積小巧的消費性電子產品中的負載開關或升壓轉換電路。這款互補型DFN3020 MOSFET還可用作半橋 (half bridge) 來驅動工業應用中的馬達負載。

這些MOSFET的結點到環境熱阻 (ROJA) 為83ºC/W，功率耗散可連續保持在2.4W，操作溫度也可低於SOT23封裝的MOSFET，有助於提高可靠性。  

ZXMN2AMC (雙重20V N通道)、ZXMN3AMC (雙重30V N通道) 和ZXMC3AMC (互補性30V) DFN3020封裝的MOSFET現在已上市。

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恩智浦半導體NextPower MOSFET以業界最低RDS (on) 全面提升效率
恩智浦NextPower系列新增15款25V和30V高性能N-Channel邏輯電平MOSFET


【台北訊，2011年5月30日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.；NASDAQ：NXPI)宣佈其採用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將增添15款新產品並已開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關鍵參數方面達到最佳平衡點，並具備業界最低的RDS (on) (25V和30V均為sub-1 mΩ型），是高性能、高可靠性開關應用的理想首選。傳統方法主要著眼於降低RDS (on) 和Qg，而恩智浦NextPower則採用超級接面技術使得低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 與Qgd之間的平衡達到最佳化，進而達成強大的開關性能，減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗，同時提供傑出的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK為最堅固的Power-SO8封裝，尺寸精巧，面積僅5mm x 6mm，可在惡劣環境下提供出色的功率開關功能。

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技術聚焦:

·  恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在六個參數方面展現其優異性能：
低RDS (on) : 具備業界最低RDS(on)的Power-SO8封裝產品 ，在SYNC FET或功率OR-ing應用下具有低I2R損耗、傑出性能等特點
低Qoss，有利於減少漏極與源極引腳間的損耗，當輸出引腳上出現電壓變化時，亦可降低輸出電容 (Coss) 中的損耗能量
低Miller電荷 (Qgd)，有利於減少開關損耗和高頻開關次數
SOA具備絕佳性能可承受超載和故障條件
低柵極電荷 (Qg) 可以減少柵極驅動電路中的損耗
出色的額定接點溫度Tj(max)，堅固的Power-SO8 LFPAK封裝為條件惡劣且需要高度可靠性的環境提供保障

·  主要應用領域包括同步降壓穩壓器、DC-DC轉換、穩壓器模組和功率OR-ing

相關引述:

恩智浦半導體功率MOSFET行銷經理Charles Limonard表示：「在25V和30V條件下達成業界最低的RDS (on)，這僅僅是其傑出性能的其中之一。最新NextPower元件的重大突破在於我們可控制MOSFET在各個方面的表現，超越導通電阻和柵極電荷，為開關應用帶來高性能、高可靠性和最大功效。」

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快捷半導體功率級非對稱雙MOSFET元件滿足電源設計人員對高功率密度和簡易設計之要求
新模組產品具有市面上所有5mm×6mm雙MOSFET解決方案的最大輸出電流


電源工程師一直面對縮小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰，而在筆記型電腦、負載點(point-of-load)、伺服器、遊戲和電訊應用中，上述兩點尤其重要。為了協助設計人員面對這些挑戰，全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模組。

FDMS36xxS系列元件在PQFN封裝中結合控制和同步MOSFET，以及一個單晶片內含蕭特基寄生二極體。這些元件的開關節點已於內部連接，能夠輕易進行同步降壓轉換器的佈局和佈線。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET™)(Q2) 專門為高達30A的輸出電流而設計，可提供最佳的效率。FDMS36xxS系列將上述元件整合在一個模組中，可為代兩個或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封裝，可有效節省線路板空間。

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FDMS36XXS系列產品採用快捷半導體先進的電荷平衡架構(遮罩閘極技術)和先進封裝技術，可在高性能運算的額定崩潰電壓下，取得低於2mΩ的業界領先低側RDS(ON) 。該系列產品經過最佳化處理，以便儘量減低300kHz至600KHz範圍的綜合傳導損失和開關損失，為負載點和多相同步降壓DC-DC應用帶來可靠的最高效率。

FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET使用獨特的遮罩電壓調變架構和超低源極電感封裝設計，可提供低開關雜訊、低設計變化敏感度和較高的設計可靠性。低開關雜訊可以免除需要外部緩衝元件或閘極電阻的緩減設計，從而降低設計BOM成本，同時節省更多線路板空間。

FDMS36xxS系列元件目前包括：FDMS3602S和FDMS3604AS PowerTrench®功率級非對稱N通道雙MOSFET。快捷半導體將會根據研究和客戶需求，推出更多的元件。兩款FDMS36xxS系列元件均滿足RoHS無鉛標準要求。

上述非對稱架構功率級雙MOSFET模組是快捷半導體全面廣泛的先進MOSFET產品系列的一部分，為電源設計人員提供適用於關鍵任務的高效率資訊處理設計之全面解決方案。要瞭解最新功率級產品資訊，請瀏覽公司網頁www.fairchildsemi.com/powerstage。

價格(訂購1,000個):
FDMS3602S 的單價為1.86美元
FDMS3604AS的單價為1.62美元

供貨：現已提供樣品
交貨期：收到訂單後8至10週

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Diodes推出全新MOSFET組合可減少直流馬達損耗

台灣— 6月23日—Diodes公司推出一對互補型雙MOSFET組合DMC4040SSD，可用於低壓單相/三相無刷直流 (BLDC) 馬達控制應用。該組合具有互相搭配的N通道及P通道導通電阻 (Rdson) 性能，可以將馬達負載的直流損耗平均分配並降到最低。

這對增強模式MOSFET的Vds為40V，可適用於控制冷卻、排氣扇、泵、壓縮機及印刷頭的24V直流馬達系統。當Vgs為10V時，這對互補MOSFET的導通電阻降至25mΩ，因此可有效限制傳導損耗，進而減少功耗並增加整體產品效率。

DMC4040SSD的額定持續電流為6A，額定脈衝電流為29A，使電機轉矩電流(torque current) 可達到馬達啟動或拋錨時所需支援的持續電流的五倍。DMC4040SSD採用業界標準的SO-8封裝，與同類型的單一MOSFET封裝相比，更能節省印刷電路板空間。

為創建一套完整高效的直流無刷馬達控制解決方案，Diodes特別使DMC4040SSD MOSFET封裝可與旗下的ZXBM101x單相預驅動馬達控制器系列，以及相應的霍爾傳感器共同部署使用。

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Microchip推出內建MOSFET驅動器的高電壓類比降壓PWM控制器，以及高速、小型封裝低阻值MOSFET系列
擴展Microchip的電源解決方案組合，以更高的整合度實現更高電壓、更高功率DC/DC應用的能力


全球領先的微控制器、類比零件暨快閃技術供應商Microchip Technology，宣佈推出全新電源轉換控制器系列及其首個功率MOSFET元件系列。該系列的全新脈衝寬度調變（PWM）控制器和互補型的具小型封裝低阻值（FOM）的MOSFET系列的組合以支援高效率的DC/DC電源轉換設計，涵蓋了廣泛的消費電子和工業應用。這兩個全新系列彰顯了Microchip對於其實現更高電壓、更高效率、以及業界趨向更小電源轉換系統的這一承諾有顯著進步。

MCP19035是一個小型的、基於類比的PWM控制器產品系列，包括整合的同步MOSFET驅動器，可提供出色的瞬態性能。MCP19035元件可在4.5 - 30Vdc的寬廣電壓範圍下工作，開關頻率為300 kHz，並提供了工廠可調整 Dead-Time的功能設定，有助於設計師面對眾多種MOSFET元件時提供最佳化的性能。在與Microchip的MCP87xxx MOSFET或任何低low-FOM MOSFET組合時，MCP19035系列能夠實現高效率的（>96％）DC/DC電源轉換解決方案。

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MCP87xxx系列高速MOSFET具有非常低的FOM，封裝在業界標準的5 mm×6 mm和3.3 mm×3.3 mm PDFN封裝內。新發佈的MCP87022、MCP87050和MCP87055元件，可分別提供2.2mΩ、5.0mΩ和5.5mΩ的導通電阻。這些全新MOSFET有助於實現高效率的電源轉換設計。

Microchip類比與介面產品部行銷副總裁Bryan J. Liddiard表示：「PWM控制器的MCP19035系列擴大了設計工程師在滿足其應用功率轉換需求時的選擇範圍。其廣泛的工作電壓範圍和整合的高功率同步驅動器能夠支援那些需要一個快速、採用類比控制器實現高效率、高功率密度解決方案。這些元件結合了Microchip的首款高速MOSFET產品，可實現產生超過96%效率的快速、高效電源轉換解決方案。」

MCP87xxx MOSFET系列也補充了Microchip現有的專注於SMPS的PIC® 微控制器及dsPIC33“GS”系列數位信號控制器的產品組合。Microchip的MCP14700同步MOSFET驅動器非常適合於驅動高速、低FOM MOSFET。當由微控制器驅動時，兩者可構成一個靈活的、高性能電源轉換解決方案。

開發工具支援

MCP19035系列的MCP19035 300 kHz評估板（產品編號#ADM00434）現已透過所有Microchip業務代表和microchipDIRECT提供。該評估板包括Microchip的全新MOSFET。與MCP87xxx MOSFET系列同時發佈的一款基於Excel的損耗計算器及使用者指南也已提供。

封裝及供貨

MCP19035和MCP87xxx系列現已提供樣品並投入量產。MCP19035系列採用3 mm×3 mm 10接腳PDFN封裝。MCP87022和MCP87050採用5 mm×6 mm 8接腳PDFN封裝，MCP87055採用3.3 mm×3.3 mm 8接腳PDFN封裝。

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快捷半導體的Quad-MOSFET 解決方案，可提高主動橋式應用的效率，且無需散熱
四個 60 V MOSFET 整合在單個封裝內，可提高系統效率，取代二極體橋電路，適用於緊湊型設計及節省電路板空間


在高畫質緊湊型主動橋式應用中（如網路攝像機）產生過多熱量，可引起圖像畫質問題。 與之類似，熱雜訊也可能會影響系統的圖像感測元件，進而降低攝像機的畫質。 典型的散熱解決方案透過增加元件數量來調節熱漲落(thermal fluctuations)，這使得本就複雜的設計變得更加複雜，並且使電路板空間變得更加混亂。 美國快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號： FCS） FDMQ86530L 60 V Quad-MOSFET 為設計者提供一體式封裝，有助於解決這些棘手的設計難題。

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FDMQ86530L 解決方案由四個 60 V N 通道 MOSFET 組成，採用快捷半導體的 GreenBridge™ 技術，將功率損失性能提高了十倍，從而改善了傳統二極體電橋的傳導損失及效率。 該元件採用熱性能增強，節省空間的 4.5 x 5.0 mm MLP 12 接腳封裝，無需使用散熱器，實現了緊湊型設計，並在 12 V 及 24 V AC 應用中可提高功率轉換效率。

規格：

•        最大 RDS(ON) = 17.5 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 8 A
•        最大 RDS(ON) = 23 mΩ，需 VGS = 6 V、ID = 7 A
•        最大 RDS(ON) = 25 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 6.5 A

封裝種類與售價資訊（訂購 1,000 個，美元）

按需求提供樣品 － 收到訂單後 8 至 12 週內交貨

FDMQ86530L 產品採用 4.5 x 5.0 mm MLP 12-引腳封裝，售價 1.38美元。

FDMQ86530L 是快捷半導體公司全系列分立式 MOSFET 組合產品的一部分，提供該產品進一步實現了公司的承諾：提供最具創新意義的封裝技術，為當今最先進的系統實現體積最小化、熱性能及效率最大化。

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美高森美針對RF和寬頻通信應用 推出新型較大功率和較高電壓 MOSFET器件
VRF2944在50V供電電壓下具有業界最高的輸出功率

功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation, 紐約納斯達克交易所代號：MSCC)擴展高頻率垂直擴散金屬氧化物半導體(VDMOS) MOSFET產品系列， 宣佈推出VRF2944 和VRF3933，它們是為了可在2-60 megahertz (MHz)工業、科學和醫療(ISM)頻率範圍運作而設計的兩款更大功率、更高電壓(V) 器件，目標應用包括需要大功率和高增益，但卻不會影響可靠性、穩健性或相互調變失真的商業和國防RF功率和寬頻通訊。

與包括SD2933的競爭器件相比，業界領先的VRF2944器件在50V供電電壓下可提供400W或提高33%的輸出功率。美高森美公司的較大功率器件可以讓客戶將現有系統的功率增加33%，或減少其RF功率系統的每瓦費用。此外，該MOSFET器件還整合了一閘極電阻，此舉可用來提升寄生電阻，以保持60MHz的最大工作頻率。VRF2944器件與美高森美的前一代產品VRF2933相似，能夠在最高65V供電電壓下運作，單一VRF2944器件可提供675W的輸出功率。

VRF3933器件能夠在最高為100V的供電電壓下運作，並且提供300W輸出功率。這款更高電壓MOFET器件還可提供更高的輸出電阻，更容易與50Ω負載匹配。例如，四個VRF3933器件兩兩並聯，而且這兩個並聯對器件採推挽式形式，能夠通過4:1變壓器，使用83V供電電壓向50Ω負載發送1.1 kW功率。

美高森美公司VRF產品系列的主要特性包括：
•        高於大多數競爭器件的電壓，可實現較高的輸出功率：Po與V2成比例；
•        氮鈍化晶片具有高可靠性；
•        金金屬噴敷(gold metallization)和金線打線可提升可靠性，並且
•        可借助美高森美的應用工程技術團隊來獲得設計支援

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英飛凌推出ThinPAK 5x6 體積最小的  CoolMOSTM MOSFET 適用於適配器、消費性電子及照明應用

【2014 年 5 月 27 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司今日推出全新無引線表面黏著 (SMD) 封裝的 CoolMOSTM MOSFET – ThinPAK 5x6。 體積最小的ThinPAK 5x6   CoolMOSTM MOSFET 適用於適配器、消費性電子及照明應用。

行動裝置的充電器、超高畫素電視、LED 照明必須滿足各式極具挑戰的要求。消費者渴望超薄的高效能產品，因此，製造商需求體積精巧、提供高效能、具有成本效益的半導體解決方案。藉由減少佔據印刷電路板 (PCB) 面積的元件尺寸及重量，有助於節省可觀的空間需求。例如，根據 Strategy Analytics (2014) 的預估，全球智慧型手機市場年成長率將達 9.4% (2013 – 2018)。

充電器的發展趨勢則是朝向更小、更快、更有效率的解決方案前進。ThinPAK 5x6封裝高度僅 1mm， 5mm x 6mm 的極小面積，相較於傳統 SMD 封裝如 DPAK，體積減少了 80%，讓製造商更有彈性，可設計出更小的充電器。ThinPAK 極低的寄生效應，例如比傳統式 DPAK 更低的源極電感，可以在全負載條件下降低閘極電壓震盪，並且將切換過程的電壓尖波減到最低，比起傳統式 SMD 可減少達 40%，改善裝置及系統穩定度及使用便利性。

ThinPAK 5x6 確保工程師在 PCB 設計時有更大的彈性以及更好的切換效能，達成更有效率的電源轉換，同時也能縮小應用的整體系統尺寸，例如低功率適配器、照明及薄型電視。而之前發表的 ThinPAK 8x8 產品系列，則在較高功率應用，如伺服器及電信 SMPS，擁有絕佳的市場接受度。

上市時間

目前已開始提供ThinPAK 5x6 封裝的工程樣品，預計將於 2014 年 9 月開始量產。

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科銳的碳化矽MOSFET協助 日本推動日益擴大的太陽能基礎建設
日本Sanix公司最新的太陽能逆變器採用科銳C2M系列碳化矽MOSFET 以實現最佳的系統性能、可靠性和定價組合


科銳公司(Nasdaq: CREE) 日前宣佈其1200V、80毫歐姆的C2M™系列碳化矽(SiC) MOSFET已獲得日本Sanix公司採用，納入其新型9.9kW三相太陽能逆變器的設計內，而該逆變器用於正在快速成長的日本太陽能市場中的商用化太陽光發電系統。

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Sanix公司總經理Hiroshi Soga表示：「藉著與科銳的夥伴關係和其擁有的碳化矽技術，我們能夠在競爭激烈的日本太陽能市場中取得更高的市占率。科銳的碳化矽MOSFET對Sanix而言非常重要，使我們得以實現效率和散熱設計目標。和我們考慮中的矽超級接面MOSFET (silicon super-junction MOSFET)相比，碳化矽開關在我們的太陽能逆變器電子中可降低損失超過30%以上。科銳最新一代C2M系列碳化矽MOSFET除了可提供大幅的效率增益外，在定價上也具有競爭力，因此可以取代電壓、耐用性和效率都較低的矽功率MOSFET。」

科銳1200V 的C2M0080120D MOSFET用於太陽能逆變器的初級功率轉換階段，提供更快的開關特性，而開關損失甚至僅為同等評級的額定電壓900V矽超級接面MOSFET的三分之一。藉著大幅減少開關損失，科銳的碳化矽MOSFET能實現較少的系統總能量損失、較高的頻率切換、以及較低的操作溫度。這些優點提升了轉換效率，同時降低系統的尺寸、重量、複雜性和熱管理要求。在系統層級方面，系統性能獲得提升、成本得以降低、而太陽能逆變器的壽命也得以延長。

科銳功率和射頻部門總經理暨副主席Cengiz Balkas表示：「我們非常高興見到Sanix在其新型9.9kW太陽能逆變器中，採用科銳1200V C2M系列碳化矽MOSFET技術。科銳碳化矽功率裝置能為太陽能逆變器的效率、可靠性和成本等方面提供顯著的優勢，並且隨著Sanix公司不斷擴大在日本太陽能市場的市占率的同時，為其提供關鍵性的競爭優勢。」

科銳的C2M系列碳化矽MOSFET經證實比傳統的矽技術可實現高達三倍之多的功率密度，並提供了1200V和1700V，範圍從1Ω至25 mΩ的型號選擇。C2M系列的MOSFET自2013年三月上市以來受到一系列工業功率應用產品採用，並持續面臨需求不斷增加的情況。科銳目前所提供的碳化矽MOSFET產量，主要是供應給Sanix和其他太陽能逆變器製造商，此外還有工業電源供應器、輔助功率轉換器、電池充電器及馬達驅動器的製造商。

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IR為工業應用擴充StrongIRFET系列 新推出75V MOSFET備有極低導通電阻


全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充StrongIRFET MOSFET系列，為多種工業應用推出75V元件，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流。

全新75V StrongIRFET功率MOSFET系列配備可提升低頻率應用效能的極低導通電阻 (RDS(on))、極高的載電流能力、軟本體二極體，以及有助於提升雜訊免疫力的3V典型臨限電壓。該系列的每款元件都完全通過業界最高雪崩電流級別的雪崩測試，能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案。新元件採用穿孔式封裝。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR 75V StrongIRFET元件系列具有極低的導通電阻，而且完全通過嚴格的產業級雪崩測試，以確保產品堅固耐用。新元件提供基準效能MOSFET選擇，旨在為工業市場作出優化。」