電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

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全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣佈，其Ultra FRFET™系列MOSFET在由《電子工程專輯》雜誌舉辦的二○一一年中國電子成就獎中，獲選為「年度電源產品獎」得獎產品。

快捷半導體資深副總裁金台勛博士表示：「這個獎項是由《電子工程專輯》的讀者投票評選的，因而代表我們開發這項技術所付出的努力時間得到了中國工程師的認可，令人感到自豪。Ultra FRFET系列元件能夠幫助用戶保持領先的創新水平和領導地位，開發出推動世界經濟發展，同時能夠改善人們日常生活的產品。」

快捷半導體在二月二十四日於深圳舉辦的二○一一年中國電子成就獎頒獎典禮上接受獎項。

獲獎的Ultra FRFET系列元件專為液晶體電視電源應用而設計。拜技術進步之賜，快捷半導體的半橋解決方案Ultra FRFET系列 可提供35ns~65ns的同級最佳反向恢復時間(trr)和業界最小的反向恢復電流(1.8 ~ 3.1A)，從而達成最佳化設計。目前的液晶電視設計使用MOSFET和半橋電路中的兩個快速恢復二極體(fast recovery diodes, FRD)及兩個阻隔二極體來提供非零電壓切換，其中FRD的主要作用為降低反向恢復電流，而阻隔二極體則可以防止MOSFET的內建二極體導通，並消除二極體的大反向恢復電流。

金博士表示：「Ultra FRFET系列MOSFET是具有突破性的解决方案，與目前使用的傳統方法相比，該方案能為中國的設計工程師提供了顯著的優勢，能夠減少元件數量、簡化設計，同時提高可靠性，從而大幅降低成本。Ultra FRFET系列MOSFET贏得中國電子成就獎年度電源產品獎，進一步證實快捷半導體實踐承諾，提供幫助客戶取得成功的卓越技術。」

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台灣— 5月26日— Diodes公司推出採用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET系列。該封裝產品僅佔用0.6 平方毫米的印刷電路板面積，較同類型SOT723封裝零件節省一半以上空間，其節點到環境熱阻 (junction to ambient thermal resistance; Rthja) 為256ºC/W，在持續運作情況下功耗為1.3W，而同類產品的功耗則多出一倍。

因此，該MOSFET能夠以更低溫度運作，並可節省空間，加上離板高度僅為0.4毫米，非常適合用於超薄型可攜式消費電子產品，包括平板電腦及智慧型手機。Diodes 率先提供額定電壓為20V、30V及60V的N通道和P通道設備，這些設備可用於多種可靠性高的負載開關 (load switching)、訊號開關 (signal switching) 及升壓轉換 (boost conversion) 應用中。

例如，一款額定電壓為20V的DMN2300UFB4 N通道MOSFET的導通電阻僅為150mΩ，比競爭對手的解決方案低50%以上，有助於大幅減少傳導損耗和功耗。而20V的DMN2300UFB4 P通道MOSFET也能提供相近的同級領先性能。這兩款MOSFET皆具備較高的靜電放電額定值 (ESD Rating)，分別為2kV和3kV。

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快捷半導體推出Generation II XS™ DrMOS元件採用6mm x 6mm封裝提供高達94%的峰值效率
廣泛的產品系列可讓設計人員根據效率、特性和PWM控制器來選擇合適的元件


高效率、高電流處理能力和小外形尺寸，都是電源設計人員為電壓調節器解決方案選擇元件時的最重要考慮因素。為滿足這一要求，全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出一系列Generation II XS DrMOS [整合式驅動器 + MOSFET]元件，這些元件能夠提供高效率和高功率密度，可讓設計人員滿足不同應用的特定設計需求。

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Generation II XS DrMOS元件採用小型6mm x 6mm高性能clip PQFN封裝，具有較高的系統效率，在12Vin、1Vout和25A條件下，重負載效率達91.5% 以上，峰值效率則超過94%。Generation II XS DrMOS元件可在2MHz開關頻率下運作，同時具有最高50A的電流處理能力。

快捷半導體利用其在MOSFET、閘極驅動器IC和封裝技術方面的技術專長，對Generation II XS DrMOS元件作出最佳化處理，提供更高的效率，並且開發新的功能。這些技術提昇使得Generation II XS DrMOS系列元件成為刀鋒型伺服器、高性能遊戲主機板、高性能筆記型電腦、顯示卡，以及高電流DC-DC負載點(point-of-load)轉換器等應用的理想選擇。

Generation II XS DrMOS系列元件提供5V和.3V三態電壓準位以匹配Intel® 4.0 DrMOS規範，同時與市場上的多種PWM控制器相容。這些元件能夠顯著減少在控制FET和同步FET中使用PowerTrench® MOSFET遮罩閘極技術而產生的振鈴雜訊。同步FET還整合了一個蕭特基二極體，免除外部緩衝器電路，提高整體性能和功率密度，同時減少占位空間和成本。Generation II XS DrMOS元件還可以為客戶加入一項過熱警報功能，可在故障期間防止出現過熱狀况。

Generation II XS DrMOS產品系列能夠滿足不同客戶和應用需求。

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IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET 為低功率應用擴展封裝組合


全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司  (International Rectifier，簡稱IR)擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝，且配合IR最新HEXFET MOSFET矽技術，為一系列的功耗應用，包括智能手機、平板電腦、錄機、數位相機、筆記本電腦、伺服器網路通訊設備，提供超小型、高密度和效率的解決方案。

新款的PQFN2x2元件分別適用於20V、25 V和30 V，還有標或邏輯水平柵極驅動器選擇。這些元件需要4mm2的占位空間，並用IR最新的低電壓 N-通道P-通道矽技術，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR的新型PQFN2x2元件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也滿足我們客戶的需求，進一步小的封裝尺寸，結合基準矽技術。這些元件不但擁有超小尺寸和高密度，更非適合與高度數位化內容相關的應用。」

這個PQFN2x2系列包括為負載開關的高側而優化的P-通道元件，帶來一個更簡單的驅解決方案。同時，新元件的厚度少於1 mm，使它們與現有的表面黏著技術兼容，並且擁有行業標準的占位空間，還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。

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TI 針對汽車及工業應用推出業界首款 48V 恆定導通時間同步降壓轉換器
Fly-Buck™ DC/DC 轉換器整合MOSFET 為單一輸出及多重輸出設計縮小尺寸並降低成本

(台北訊，2013 年 3 月 13 日)   德州儀器 (TI) 宣佈針對單輸出及多輸出電源推出三款整合高低側 MOSFET 的最新 48V 同步降壓穩壓器。該 650mA LM25017、300mA LM25018 及 100mA LM25019 Fly-Buck™ 轉換器，採用恆定導通時間 (constant on-time; COT) 控制架構，與需要多顆 DC-DC 轉換器的傳統設計相比，可銳減 40% 電路板空間。Fly-Buck 轉換器與屢屢獲獎的 TI WEBENCH® 線上設計工具搭配使用，可簡化並加速工業及汽車系統高電壓 DC/DC 設計。

LM25017、LM25018 及 LM25019 以最高可達 48 V 的輸入電壓支援非隔離式穩壓器和多重輸出裝置。接腳相容的 LLP 與 PSOP 封裝提供具有可擴充性的解決方案，充分滿足各種不同電源需求。每款 Fly-Buck 轉換器皆可配置正負電壓軌或隔離式多重輸出，並支援優異的交叉穩壓 (cross regulation) 效能。

Fly-Buck 轉換器與 TI 100V 600mA LM5017、300mA LM5018 及 100mA LM5019 寬泛輸入電壓穩壓器系列接腳相容。TI 針對 3.3V 或 5V 輸入電源與要求最高 2 W 的隔離式電壓功率設計提供 TPS55010 Fly-Buck 轉換器，滿足高效率及一次側穩壓功能。詳細 TI 高電壓負載點產品系列資訊，請參見網頁：www.ti.com/pol-pr。

Fly-Buck 轉換器主要特性與優勢
•        Fly-Buck 轉換器可簡化各種不同電源設計，支援隔離多重輸出或正負電壓軌電源；
•        恆定導通時間 (COT) 控制架構提供優異的負載暫態回應，無需迴路補償，可降低成本，並簡化設計；
•        整合高低側 N 通道 MOSFET 可提高效率，無需外部蕭特基二極體 (Schottky diode)。
       
供貨、封裝與價格
採用加強散熱型 8 接腳 LLP 與 PSOP 封裝的最新 Fly-Buck 轉換器 LM25017、LM25018 及 LM25019 現已開始量產供貨，可通過 TI 及其授權通路訂購。LM25017 每千顆單位售價為 1.25 美元、 LM25018 每千顆單位售價為 1.12 美元、 LM25019 每千顆單位售價為 1 美元。通過 AECQ-100 認證版本將於 2013 年 5 月提供。

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IR新款IRS44273L精密低側閘極驅動IC採用SOT-23-5L封裝

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出採用了SOT-23-5L高度精密封裝的IRS44273L低側閘極驅動IC，有效提供高驅動能力。

IRS44273L易於使用，並且為IGBT及MOSFET閘極驅動器提供簡易的解決方案，從而利用最小的電路板面積，帶來典型1.5A拉電流和灌電流能力、快速開關效能及整合式欠壓閉鎖保護功能。全新元件更具有以往只適用於SO-8等較大封裝的功能，促進更精密、更經濟實惠的系統設計。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「全新IRS44273L採用了SOT-23-5L封裝，為低側驅動器提供目前市場上最高的驅動電流，使設計師得以利用該元件來代替面積較大的SO-8封裝元件，大幅減少解決方案的尺寸。」

IRS44273L在封裝的兩側都配備了兩個輸出引腳，透過靈活的布線來簡化系統設計。此外，該元件包含了非反相輸入，並且與CMOS及LSTTL控制器兼容。

規格

元件編號	封裝	IO+ / IO-(典型)	TON / TOFF  (典型)	邏輯
IRS44273L	SOT23-5L	1.5A / 1.5A	50ns / 50ns	非反相

產品現正接受批量訂單。全新元件符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS)。