電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

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反正這裡沒太多好康相報？來作些知識測驗？

是在反激式轉換器中

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快捷半導體UniFET™ II MOSFET推動消費性產品功率轉換器最佳化
為平板顯示器和照明設備、電腦電源和智慧型環保電源產品帶來高效率和高可靠性


開關電源的設計人員需要能夠承受逆向復原電流尖峰、同時可減低開關損耗的高電壓MOSFET元件，因此，快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 以精深的MOSFET技術知識，開發出最佳化功率MOSFET產品UniFET™ II MOSFET以應需求。新產品具有更佳的寄生二極體和更低的開關損耗，並可在二極體復原dv/dt模式下承受雙倍電流應力。

快捷半導體的UniFET II MOSFET之逆向復原性能較其它解決方案提升50%。如果逆向復原速度較慢，則無法處理高逆向復原電流尖峰，導致更高的開關損耗，以及功率MOSFET過熱。而快捷半導體的解決方案則能夠承受較現有解決方案高兩倍以上的電流應力。

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UniFET II MOSFET元件以快捷半導體的進階平面技術為基礎，能夠提供更佳的品質因數(FOM) (FOM: RDS(ON) * Qg)、更低的輸入和輸出電容，以及業界最出色的逆向復原性能，同時具有高效率。而且，這些MOSFET元件在小型封裝中容納了大量的功率，但不會產生過多的熱量，所以能夠提升用於液晶體電視和電漿電視的SMPS，以及用於照明系統、電腦電源、伺服器和電訊電源的SMPS應用的整體效率。

UniFET II MOSFET系列的首批產品包括FDPF5N50NZ和FDPF8N50NZ N通道 MOSFET。FDPF5N50NZ是500V，4.5A，1.5Ω元件，在VGS = 10V，ID = 2.25A下具有1.38Ω (典型值)的RDS(ON)；以及低閘極電荷(典型值9nC)。FDPF8N50NZ則是 500V，8A，0.85Ω元件，在VGS = 10V, ID = 4A下具有0.77Ω (典型值)的RDS(ON)；以及低閘極電荷(典型值14nC)。

這些MOSFET為業界少數具有2kV HBM 穩健ESD性能的元件，有助保護應用設備免受不良的靜電事件所影響。

快捷半導體作為功率電子技術的領導廠商，將繼續提供功能、製程和封裝技術方面的獨特組合，以應對電子設計的各種挑戰。這些MOSFET都是快捷半導體全面的MOSFET產品系列的一部份，它們可為設計人員提供從-500V至1000V的特大崩潰電壓範圍、先進封裝和業界領先的FOM因數，能為任何需要功率轉換的應用提供高效率的功率管理。

價格(訂購1,000個):
FDPF5N50NZ的單價為0.69美元
FDPF8N50NZ的單價為0.86美元

供貨：現已提供樣品
交貨期：收到訂單後10週

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快捷半導體60V PowerTrench® MOSFET元件滿足設計人員對更低傳導損耗和開關損耗之需求  能夠縮小電源尺寸，提高功率密度，同時提升設計效率


DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關應用，以及伺服器的次級同步整流應用的設計人員，均需要使用具有更低傳導損耗和開關損耗的MOSFET元件，以期提高設計的效率。

為了滿足這一需求，全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor®)開發出N通道PowerTrench® MOSFET元件FDMS86500L，該元件之設計可大大減低傳導損耗和開關節點振鈴雜訊(switch node ringing)，同時提升DC-DC轉換器的整體效率。

FDMS86500L是採用業界標準5mm x 6mm Power 56封裝的元件，它結合先進的封裝技術和矽技術，可大幅降低導通阻抗RDS(ON) (2.5mΩ @ VGS = 10V, ID=25A)，帶來更低的傳導損耗。

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此外，FDMS86500L使用遮罩閘極功率MOSFET技術，提供極低的開關損耗 (Qgd 14.6 nC Typ.)，結合該元件的低傳導損耗特點，能夠為設計人員帶來更高的功率密度以應需求。

FDMS86500L MOSFET元件具有更出色的品質因子(RDS(ON) * QG)，提供高效率和低功耗，以期滿足效率標準和法規的要求。

FDMS86500L元件的其他特性包括採用下一代增強型自體二極體 (body diode)技術以提供軟恢復功能；MSL1穩固封裝設計；通過100% UIL測試，同時符合RoHS環保標準。

FDMS86500L是快捷半導體新型60V MOSFET產品系列旗下的首款元件，這些新型 60V MOSFET元件的推出，進一步強化公司中等電壓MOSFET產品系列。快捷半導體公司可提供最廣泛的MOSFET產品系列，讓設計人員能夠選擇多種技術，找到滿足應用需求的合適MOSFET。快捷半導體充分認識到空間有限之應用對更高電流、尺寸更小之DC-DC電源的需求，且瞭解客戶及其所服務的市場，因而能夠提供擁有獨特的功能、製程和創新封裝之客製化組合，為差異化電子產品設計提供解決方案。

價格(訂購1,000個): FDMS86500L 的單價為0.90美元
供貨：現已提供樣品
交貨期：收到訂單後8至10週

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Power Integrations 推出高頻率雙晶順向式 IC，可大幅降低成本與佔位面積

(20131113 10:06:42)美國加州聖荷西--(美國商業資訊)--Power Integrations (Nasdaq：POWI) 這家專門提供高效電源轉換IC的領導廠商，今天宣布推出 HiperTFS™-2 IC 系列，將雙晶順向式和返馳式電源供應器控制 IC 與整合式高壓 MOSFET 結合在一起。如此高度整合下，省去了超過 20 個元件，因此尺寸外型更小且功率密度更高。這個主電源轉換器提供 66 kHz 和 132 kHz 切換頻率選擇，如此能夠使用極小的磁性元件，來降低系統成本。

HiperTFS-2 IC 在滿載情況下，能源效率超過 90%。此外，峰值功率為 175%，能滿足新一代 Intel CPU 的要求。這個單晶片完成了一個雙晶順向式主電源 (66/132 kHz) 和返馳式 (132 kHz) 待機電源供應器，以小型、雙列 eSIP™ 封裝，提供高達 364 W 的總輸出功率 (峰值功率為 586 W)。安全功能包括欠壓保護、過壓保護、過溫保護、過電流保護和短路保護。變壓器重設控制功能可在所有情況下防止發生飽和。

Power Integrations 產品行銷經理 Chris Lee 表示︰“HiperTFS-2 IC 使得通過80 PLUS銅牌和80 PLUS銀牌認證的電腦、遊戲主機電源轉換器和工業產品等應用，可以採用小型化的電源供應器。加入高壓側 MOSFET 驅動器後，讓設計人員不再需要使用脈衝變壓器和其他支援元件，進而簡化設計並縮減磁性元件的體積 (及成本)。」

採用HiperTFS-2 IC 的最新參考設計 DER368，將說明峰值功率負載為 250 W 而待機功率為 10 W 的 12 V、180 W 電源供應器，樣品現已上市，單價為 1.74 美元，訂購數量為 10000 件。

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IR為工業應用擴充StrongIRFET系列 新推出60V MOSFET備有極低導通電阻

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充StrongIRFET MOSFET系列，為多種工業應用推出60V元件，包括電力工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源二次側同步整流。

全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列配備可提升低頻率應用效能的極低導通電阻 (RDS(on))、極高的載電流能力、軟本體二極體，以及有助於提高噪聲免疫能力的3V典型臨限電壓。該系列的每款元件都完全通過行業最高雪崩電流級別的雪崩測試，能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案。新元件提供插入式及表面黏著D2-PAK封裝選擇。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR 60V StrongIRFET元件系列具有極低的導通電阻，而且完全通過嚴格的行業級雪崩測試，以確保產品堅固耐用。新元件提供基準效能MOSFET選擇，旨在為工業市場作出優化。」

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規格
採用了穿孔式封裝的60V StrongIRFET

元件編號	BVDSS	在25°C下的ID	在VGS=10V下的最高導通電阻	在VGS=10V下的閘極電荷	封裝
IRFB7530	60V	195A	2.0	274	TO-220
IRFP7530					TO-247
IRFB7534			2.4	186	TO-220
IRFB7537			3.3	142	TO-220
IRFP7537					TO-247
IRFB7540		110A	5.1	88	TO-220
IRFB7545		85A	5.9	75
IRFB7546		58A	7.3	58