Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
樓主: atitizz

[經驗交流] 電源設計知識小測驗:初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

  [複製鏈接]
發表於 2014-10-29 08:11:30 | 顯示全部樓層

東芝推出汽車用單通道高邊N溝道功率MOSFET閘極驅動器

(20141028 17:41:38)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)旗下半導體和儲存產品公司今天宣布,推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)閘極驅動器TPD7104F。新產品是一個適用於電荷泵的整合式電路,與東芝的傳統產品相比,工作電壓更低[1],為VDD(opr) = 5至18V。出貨即日起啟動。


新產品主要規格

1.BiCD 0.13μm製程
2. 供電電壓:VDD(opr)=5至18V
3. 內建過流保護功能
4. 內建過流診斷功能
5. 輸出電壓
VOUT=VDD+8V(最低值)@VDD=5V,IOUT=-100μA,Tj=-40至125°C
VOUT=VDD+10V(最低值)@VDD=8至18V,IOUT=-100μA,Tj=-40至125°C

6.小型封裝
PS-8 (2.8mm x 2.9mm)

應用
適用於汽車應用,驅動12V蓄電池所使用的高邊N溝道MOSFET,包括用於怠速停止系統和電動助力轉向系統(EPS)的半導體繼電器和半導體負載開關。

注釋:
[1] 與“TPD7102F” (VDD=7至18V)相比
回復

使用道具 舉報

發表於 2014-10-29 11:20:32 | 顯示全部樓層
IR為工業應用擴充StrongIRFET系列 新推出75V MOSFET備有極低導通電阻


全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴充StrongIRFET MOSFET系列,為多種工業應用推出75V元件,包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流。

全新75V StrongIRFET功率MOSFET系列配備可提升低頻率應用效能的極低導通電阻 (RDS(on))、極高的載電流能力、軟本體二極體,以及有助於提升雜訊免疫力的3V典型臨限電壓。該系列的每款元件都完全通過業界最高雪崩電流級別的雪崩測試,能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案。新元件採用穿孔式封裝。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「IR 75V StrongIRFET元件系列具有極低的導通電阻,而且完全通過嚴格的產業級雪崩測試,以確保產品堅固耐用。新元件提供基準效能MOSFET選擇,旨在為工業市場作出優化。」

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
回復

使用道具 舉報

發表於 2014-11-6 14:09:13 | 顯示全部樓層

東芝推出40V電壓功率MOSFET U-MOSIX-H系列

(20141106 10:34:37)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)旗下的半導體和儲存產品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)U-MOS IX-H系列。與東芝傳統的U-MOS VI-H系列相比,新系列減少了76%的導通電阻,實現業界頂級的低導通電阻[1]。此外,它還減少了Qoss[2]的增加,從而提高開關電源的效率。樣品出貨即日起啟動。

注釋:
[1] 截至2014年11月4日。東芝調查
[2] Qoss:輸出電荷

主要特性
*業界頂級的低導通電阻:0.85mΩ(最大值)
*業界頂級的低RDS(ON)・Qoss:60mΩ・nC

應用
適用於伺服器和電信基地台的高效率開關電源

主要規格

RDS(ON) Ciss Qoss
元件名稱 封裝 VDSS (V) 最大值 (mΩ) 典型值 典型值
VGS=10V時 (pF) (nC)
TPHR8504PL SOP Advance 40 0.85 7370 85.4
回復

使用道具 舉報

發表於 2014-11-13 12:47:03 | 顯示全部樓層
IR為工業應用擴充StrongIRFET系列 新推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻


全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴充StrongIRFET MOSFET系列,為多種工業應用包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流推出75V元件。

全新75V StrongIRFET功率MOSFET系列搭載可提升低頻率應用效能的極低導通電阻 (RDS(on))、極高載電流能力、軟本體二極體,以及有助於提高噪聲免疫能力的3V典型臨限電壓。產品系列包括採用堅固7引腳D2-Pak封裝的IRFS7730-7P,提供最高僅2 mΩ的導通電阻和240A峰值電流。該系列的每款元件都完全通過業界最高雪崩電流級別的雪崩測試,能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案,並另提供穿孔式封裝選擇。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「IR 75V StrongIRFET元件系列搭載極低的導通電阻,而且完全通過嚴格的產業級雪崩測試,提供基準效能MOSFET選擇且優化工業市場,確保產品堅固耐用。」

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
回復

使用道具 舉報

發表於 2014-12-3 11:54:22 | 顯示全部樓層
IR電池保護MOSFET系列 為行動應用提供靈活實惠解決方案


全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 針對鋰離子電池保護應用推出一系列IR最新低電壓MOSFET矽技術元件,包括IRL6297SD雙通道DirectFET MOSFET。

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
回復

使用道具 舉報

發表於 2014-12-3 11:54:26 | 顯示全部樓層
全新功率MOSFET備有極低的導通電阻,藉以大幅減少導通損耗,提供20V和30V N通道及P通道組態元件。閘極驅動最高可從12VGS起,適用於內含兩個串聯電池的電池保護電路。IRL6297SD在精密且能高效散熱DirectFET小型罐封裝內提供兩個採用共汲極組態的20V N通道MOSFET。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「IR針對電池管理的廣泛MOSFET產品系列提供各式產業封裝標準以及為精密設計而設的雙DirectFET小型罐封裝選擇。新元件具有低導通電阻,可替代較大封裝尺寸的MOSFET,從而節省電路板空間及系統成本。」

所有新產品符合第一級濕度敏感度 (MSL1) 及電子產品有害物質限制指令 (RoHS)且不含鉛、溴和鹵。
回復

使用道具 舉報

發表於 2015-8-5 00:54:18 | 顯示全部樓層
電腦電源和智慧型環保電源產品帶來高效率和高可靠性
回復

使用道具 舉報

您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-3-28 11:05 PM , Processed in 0.121007 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表