電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

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東芝擴大用於基地台和伺服器的功率MOSFET陣容
推出擁有頂尖[1]低導通電阻性能和高速交換性能的60V產品

東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布為其用於基地台和伺服器的通用直流-直流轉換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產品。這些產品使用最新的第八代低電壓溝槽結構，並實現了頂尖[1]低導通電阻和高速交換性能。即日開始量產。

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(20130613 16:59:51)東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）宣布使用CMOS相容製程開發高功率增益電晶體。該電晶體可有效降低高頻射頻/類比前端應用的功耗。詳細資訊將於6月12日在2013年超大型積體電路技術及電路研討會（Symposia on VLSI Technology and Circuits）期間公布，本次研討會將於2013年6月11日至14日在日本京都舉行。

智慧手機和平板電腦等無線和行動裝置的快速成長正推動對低功耗和高性能射頻/類比電路的需求。但是，由於電晶體擴展會導致噪音和能量增益效率的下降，因此很難將數位電路廣泛使用的先進設備和製程技術應用至射頻/類比電路。

東芝透過一種新設備結構（使用兩種不同材料作為一個金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)的閘電極）和一種製程整合方案（採用廣泛使用的常見半導體製造方法）解決了這一問題。這種方法實現了奈米級閘長控制。電晶體的實驗結果顯示功耗顯著降低，並且作業速度沒有出現任何下降。

這種設備結構的獨特特徵是兩種材料（n型矽和p型矽）之間的薄氧化物阻擋膜，這種膜可以抑制雜質互擴散。閘電極區域中可以實現高電場，從而提高放大器效率。不同的閘電極材料採用不同的閘氧化膜厚度。這種結構在飽和狀態下可實現控制良好的設備屬性，即便在低工作電壓下也可實現。這種新設備製程還適用於先進數位大型積體電路製造所使用的高介電閘極絕緣層。

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IR新款IRS44273L精密低側閘極驅動IC採用SOT-23-5L封裝

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出採用了SOT-23-5L高度精密封裝的IRS44273L低側閘極驅動IC，有效提供高驅動能力。

IRS44273L易於使用，並且為IGBT及MOSFET閘極驅動器提供簡易的解決方案，從而利用最小的電路板面積，帶來典型1.5A拉電流和灌電流能力、快速開關效能及整合式欠壓閉鎖保護功能。全新元件更具有以往只適用於SO-8等較大封裝的功能，促進更精密、更經濟實惠的系統設計。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「全新IRS44273L採用了SOT-23-5L封裝，為低側驅動器提供目前市場上最高的驅動電流，使設計師得以利用該元件來代替面積較大的SO-8封裝元件，大幅減少解決方案的尺寸。」

IRS44273L在封裝的兩側都配備了兩個輸出引腳，透過靈活的布線來簡化系統設計。此外，該元件包含了非反相輸入，並且與CMOS及LSTTL控制器兼容。

規格

元件編號	封裝	IO+ / IO-(典型)	TON / TOFF  (典型)	邏輯
IRS44273L	SOT23-5L	1.5A / 1.5A	50ns / 50ns	非反相

產品現正接受批量訂單。全新元件符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS)。

ranica

新的LGA封裝MOSFET幫助將空間受限的智慧型手機及平板電腦應用的能效及電池使用時間提升至極致
單節及雙節鋰離子電池充電/放電保護電路因高性能覆晶晶片MOSFET而受益

2013年6月5日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出兩款新的MOSFET元件，用於智慧型手機及平板電腦應用，作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關的關鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。

這兩款元件符合RoHS指令，適用於單節及雙節鋰離子電池應用，提供領先業界的導通阻抗(RDS(on))性能水準，使用平面閘格陣列(LGA)結構，以提供小型的低高度設計，使其適合用於通常空間受限的智慧型手機及平板電腦應用。EFC6601R的額定最大源極至源極電壓(VSSS)為24伏(V)，EFC6602R的額定最大VSSS為12  V。兩款元件都採用2.5  V供電電壓工作，採用共漏極結構，包含內置保護二極管。

安森美半導體的三洋半導體產品部MOS產品總經理秋庭隆史說：「自從鋰離子電池面市以來，安森美半導體一直在開發及提供充電/放電保護電路開關MOSFET。我們積累的專業知識和技術使我們能夠開發出這些微型元件，更進一步延長電池使用時間及提升能效。」

安森美半導體計劃在年內再增添5款EFC系列MOSFET元件，説明從事更寬廣範圍的行動設備設計人員實現減小方案尺寸及延長電池使用時間的應用目標。

封裝及價格
EFC6601R及EFC6602R採用無鹵素EFCP封裝，每5,000片批量的單價分別為0.80和1.00美元。

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【2013 年 5 月 16 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 宣佈出全新的 TO 無鉛封裝產品，能減少封裝電阻、大幅縮小尺寸，還能改善 EMI 特性。產品包含最新一代的 OptiMOSTM MOSFET，適用於具有高功率和穩定性需求的應，像是堆高機、輕型電動車、電子保險絲 (eFuse)、負載點 (PoL) 和電信系統等。

全新 TO 無鉛封裝的設計可耐受達 300A 的高電流。封裝電阻較低，因此在所有電壓等級下都能達到最低的 RDS(on)。封裝尺寸比 D2PAK 7pin 60%，能將設計體積減到最小。TO 無封裝的體積大幅減少 30%，讓堆高機等應用所需要的電路板空間更小。高度減少 50%，在機架或刀鋒伺服器等一些需要小巧體積的應用中尤其具備優勢。此外，封裝的寄生電感較低，因此 EMI 特性更佳。

英飛凌低電壓功率轉換深協理 Richard Kuncic 表示：「隨著 TO 無鉛封裝的推出，英飛凌將成為第一家推出 0.75mΩ 60V MOSFET 的半導體公司。產品可以減少堆高機應用中所需並聯 MOSFET 的數量，同時提高功率密度。此種封裝能為我們的客戶帶來重大優勢，滿足高功率應用的需求，提供最高等級的效率和可靠性。」

再加上，TO 無鉛封裝的焊接接觸面積增加 50%，因此電流密度得以降低。如此避免在高電流量和高溫下發生電遷移，進提升可靠性。與其他無鉛封裝不同的是，TO 無鉛封裝採用銲錫的溝槽引腳，因此能用肉眼檢查。

此種全新封裝是功率應用的最佳選擇，能滿足應用對高效、優異可靠性、最佳 EMI 特性和最佳散特性等的需求。

上市時間
TO 無鉛封裝目前已開始提供 30V（最高 0.4 m?）、60V（最高 0.75 m?）、100V（最高 2.0 m?）和 150V（高 5.9 m?）等規格的樣品，預計自 2013 年第三季開量產。

globe0968

FDMQ86530L 解決方案由四個 60 V N 通道 MOSFET 組成，採用快捷半導體的 GreenBridge™ 技術，將功率損失性能提高了十倍，從而改善了傳統二極體電橋的傳導損失及效率。 該元件採用熱性能增強，節省空間的 4.5 x 5.0 mm MLP 12 接腳封裝，無需使用散熱器，實現了緊湊型設計，並在 12 V 及 24 V AC 應用中可提高功率轉換效率。

規格：

•        最大 RDS(ON) = 17.5 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 8 A
•        最大 RDS(ON) = 23 mΩ，需 VGS = 6 V、ID = 7 A
•        最大 RDS(ON) = 25 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 6.5 A

封裝種類與售價資訊（訂購 1,000 個，美元）

按需求提供樣品 － 收到訂單後 8 至 12 週內交貨

FDMQ86530L 產品採用 4.5 x 5.0 mm MLP 12-引腳封裝，售價 1.38美元。

FDMQ86530L 是快捷半導體公司全系列分立式 MOSFET 組合產品的一部分，提供該產品進一步實現了公司的承諾：提供最具創新意義的封裝技術，為當今最先進的系統實現體積最小化、熱性能及效率最大化。

globe0968

快捷半導體的Quad-MOSFET 解決方案，可提高主動橋式應用的效率，且無需散熱
四個 60 V MOSFET 整合在單個封裝內，可提高系統效率，取代二極體橋電路，適用於緊湊型設計及節省電路板空間


在高畫質緊湊型主動橋式應用中（如網路攝像機）產生過多熱量，可引起圖像畫質問題。 與之類似，熱雜訊也可能會影響系統的圖像感測元件，進而降低攝像機的畫質。 典型的散熱解決方案透過增加元件數量來調節熱漲落(thermal fluctuations)，這使得本就複雜的設計變得更加複雜，並且使電路板空間變得更加混亂。 美國快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號： FCS） FDMQ86530L 60 V Quad-MOSFET 為設計者提供一體式封裝，有助於解決這些棘手的設計難題。

innoing123

科銳的碳化矽功率 MOSFET為台達能源系統公司 實現下一代太陽能轉換器
碳化矽功率 MOSFET技術可顯著改善太陽能逆變器的重量、成本和效率

科銳公司(Nasdaq: CREE)與台達能源系統公司(Delta Energy Systems)共同宣佈成功達成太陽能逆變器(PV inverter)業內一項計畫，台達的新一代的太陽能轉換器將科銳的碳化矽(SiC)功率 MOSFET納入設計。碳化矽功率 MOSFET的加入，使下一代的太陽能逆變器在功率密度、效率和重量上達到重要的新里程碑。

台達能源系統公司的太陽能逆變器研究與發展主管 Klaus Gremmelspacher評論表示：“通過利用碳化矽功率 MOSFET，台達下一代的太陽能逆變器在功率密度上達到新的里程碑。對我們在實現輕型且具備業界領先效率的新型高功率轉換器的目標來說，科銳公司所提供的碳化矽功率 MOSFET是不可或缺的。”

科銳於2011年發表了首款碳化矽功率 MOSFET， 具有降低損耗和提高太陽能逆變器效率及功率密度的功效；而性能更顯著提升的第二代矽功率 MOSFET將於2013年推出。在這項具里程碑意義的產品面市後，世界上最大且最受尊敬的電源管理解決方案供應商之一的台達能源系統公司(台達電子集團的子公司)，決定將科銳的碳化矽功率 MOSFET納入下一代太陽能逆變器的設計中。在11kW太陽能逆變器中採納科銳的1200V碳化矽功率 MOSFET後，台達已能擴大直流輸入電壓範圍，同時維持或甚至提升前一代產品的最高效率。台達預計在2013年第二季推出的11kW加速器(booster)，因為採用科銳的碳化矽功率 MOSFET，其直流輸入電壓從900V提升到1000V。

科銳電源的資深行銷主管Scott Allen博士表示：“我們很高興且榮幸像台達能源系統這樣的公司成為我們碳化矽功率 MOSFET產品的客戶。他們正使用中的1200V、160m-MOSFET能很快臻於完善，因為那是2011年發表的產品，而且又具備領先業界的性能和成本優勢。 像台達電子等從事先端技術的客戶，如今也積極採用我們的碳化矽功率 MOSFET技術，不僅能使太陽能逆變器在尺寸、重量和成本等方面比採用矽減少20%~50%，同時能保持或提升效率水準。”

科銳提供的碳化矽功率 MOSFET封裝元件可經代理商DigiKey和Mouser購買，而晶粒則可從代理商SemiDice購得。要瞭解有關科銳公司及產品更多的資訊，請參閱公司網站www.cree.com/power，或聯繫科銳的在地銷售人員或經銷商。

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科銳第二代碳化矽功率 MOSFET的量產顯著節約功率轉換系統的成本 新元件性價比增加了一倍

科銳公司 (Cree, Inc) (Nasdaq: CREE)宣佈推出第二代碳化矽 (SiC) 功率MOSFET，是能夠使系統實現高效率及更小尺寸、以及高成本效益的矽解決方案。這新型1200V耐壓功率的MOSFET提供業界領先的功率密度和切換效率，每安培成本只有科銳前一代MOSFET產品的一半。從性價比上，新型的功率MOSFET是尺寸更小及重量更輕的碳化矽系統，通過提高效率及降低安裝成本，協助OEM客戶降低系統成本，並為終端用戶節省額外花費。

德國弗萊堡 (Freiburg) 行內著名的Fraunhofer研究院 (Fraunhofer-Institute) 專家Bruno Burger博士表示：「我們已經在先進的太陽能電路中採用科銳第二代碳化矽功率MOSFET進行評估。它們擁有最好的效率，並能讓系統在較高切換頻率時運作，從而實現尺寸更小的被動元件，尤其是更小的電感器。這樣大大提高了太陽能逆變器的成本/效能折衷，有助開發更小、更輕及更高效的系統。」

在一些高功率應用上，這些新型SiC MOSFET的優越性能可削減50%~70%所需額定電流。經過妥當的最佳化之後，客戶現在能以與以往的矽解決方案相同或更低的系統成本，獲得碳化矽性能上的優勢。對於太陽能逆變器和不斷電系統(UPS)，效率會隨著尺寸和重量的減少而提升。在馬達驅動應用方面，可協助其功率密度增加一倍以上，同時提高工作效率，並較其它具有相同額定的矽解決方案提供多兩倍的最大扭矩。新產品提供的範圍已經擴展到包含一個更大的25毫歐姆晶粒，鎖定30kW以上功率水準的高功率模組市場；而80毫歐姆元件則為第一代MOSFET提供更低成本、更高性能的升級方案。

科銳功率及射頻事業部副總裁及總經理Cengiz Balkas表示：「有了這個新MOSFET平臺，我們在多個領域上都贏得客戶的導入設計。由於第二代SiC MOSFET受到迅速接納，我們不但提前為幾家客戶量產出貨，而且我們也正在依客戶要求加速量產。」

科銳現提供額定電阻為25毫歐姆及80毫歐姆的晶粒，前者作為50安培基本組件用於高功率模組；而80毫歐姆導功率MOSFET則採用TO-247封裝，以優越性能及較低成本，取代科銳第一代產品CMF20120D。封裝元件可通過代理商DigiKey、Mouser和Farnell公司即可購得。

tk02376

TI 針對汽車及工業應用推出業界首款 48V 恆定導通時間同步降壓轉換器
Fly-Buck™ DC/DC 轉換器整合MOSFET 為單一輸出及多重輸出設計縮小尺寸並降低成本

(台北訊，2013 年 3 月 13 日)   德州儀器 (TI) 宣佈針對單輸出及多輸出電源推出三款整合高低側 MOSFET 的最新 48V 同步降壓穩壓器。該 650mA LM25017、300mA LM25018 及 100mA LM25019 Fly-Buck™ 轉換器，採用恆定導通時間 (constant on-time; COT) 控制架構，與需要多顆 DC-DC 轉換器的傳統設計相比，可銳減 40% 電路板空間。Fly-Buck 轉換器與屢屢獲獎的 TI WEBENCH® 線上設計工具搭配使用，可簡化並加速工業及汽車系統高電壓 DC/DC 設計。

LM25017、LM25018 及 LM25019 以最高可達 48 V 的輸入電壓支援非隔離式穩壓器和多重輸出裝置。接腳相容的 LLP 與 PSOP 封裝提供具有可擴充性的解決方案，充分滿足各種不同電源需求。每款 Fly-Buck 轉換器皆可配置正負電壓軌或隔離式多重輸出，並支援優異的交叉穩壓 (cross regulation) 效能。

Fly-Buck 轉換器與 TI 100V 600mA LM5017、300mA LM5018 及 100mA LM5019 寬泛輸入電壓穩壓器系列接腳相容。TI 針對 3.3V 或 5V 輸入電源與要求最高 2 W 的隔離式電壓功率設計提供 TPS55010 Fly-Buck 轉換器，滿足高效率及一次側穩壓功能。詳細 TI 高電壓負載點產品系列資訊，請參見網頁：www.ti.com/pol-pr。

Fly-Buck 轉換器主要特性與優勢
•        Fly-Buck 轉換器可簡化各種不同電源設計，支援隔離多重輸出或正負電壓軌電源；
•        恆定導通時間 (COT) 控制架構提供優異的負載暫態回應，無需迴路補償，可降低成本，並簡化設計；
•        整合高低側 N 通道 MOSFET 可提高效率，無需外部蕭特基二極體 (Schottky diode)。
       
供貨、封裝與價格
採用加強散熱型 8 接腳 LLP 與 PSOP 封裝的最新 Fly-Buck 轉換器 LM25017、LM25018 及 LM25019 現已開始量產供貨，可通過 TI 及其授權通路訂購。LM25017 每千顆單位售價為 1.25 美元、 LM25018 每千顆單位售價為 1.12 美元、 LM25019 每千顆單位售價為 1 美元。通過 AECQ-100 認證版本將於 2013 年 5 月提供。

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(20130307 10:55:16)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)已推出一款100V的低導通電阻、低漏電型功率MOSFET。該產品採用最新的溝道MOS製程打造，成為汽車專用系列中的最新成員。新產品TK55S10N1的導通電阻較低，搭載以最新第八代溝道MOS製程打造的U-MOS VIII-H系列晶片，並採用配備銅連接器的DPAK+封裝。該產品主要適用於汽車應用，尤其是開關穩壓器等需要高速開關的汽車應用。該產品現已推出樣品，並計畫於2013年4月投入量產。

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東芝將為行動裝置的直流-直流轉換器推出高速雙N溝道MOSFET-支援大電流的低電容產品可提升高速開關效率

(20130304 13:55:39)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布，該公司為智慧手機和平板電腦等行動裝置的大電流充電電路高速開關推出一款低電容雙N溝道MOSFET。

隨著智慧手機、手機、平板電腦和筆記型電腦等行動裝置不斷增加新功能並對電池的要求日益提高，業界不斷透過提升充電密度及大幅提高充電電流和頻率來縮短充電時間，進而改善使用者體驗。東芝新款低電容產品SSM6N58NU是該公司雙N溝道MOSFET系列中的最新成員，適合用作大電流充電電路的高速開關。

應用
用作智慧手機、手機、平板電腦和筆記型電腦等行動裝置的大電流（高達4A）充電開關。

主要特性
1. 大電流
2. 低導通電阻
3. 低電容
4. 小型封裝

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新款低導通電阻功率MOSFET產品的主要特色

(1) 業界最低導通電阻
新款μPA2766T1A提供業界最低的0.72 mΩ (典型值、30 V應用)導通電阻及5 mm x 6 mm小尺寸封裝，其導通電阻僅約為瑞薩原有產品的二分之一。如此可藉由降低網路伺服器及儲存系統所使用之電源供應器內的ORing FET的傳導損耗，提升系統整體的電源效率，這些系統也正是達成智慧型社會的關鍵應用。另外，還能藉由大電流來抑制電壓大幅降低的情形。即使是電流波動幅度較大的電源供應器，也有可能達到高精度的電源電壓。

(2) 8-pin HVSON封裝及小尺寸安裝面積，支援大電流控制
8-pin HVSON封裝提供低封裝電阻，因為它採用金屬板連結封裝內的FET晶片與針腳。如此再結合FET晶片的低導通電阻，儘管封裝尺寸僅有5 mm × 6 mm，最高亦能控制額定電流130 A (ID (DC))的大電流。多個ORing FET並聯連結至各電源供應器以提供大電流時，亦可利用最少的並聯數量以協助縮小設備尺寸。
三款新的MOSFET包括μPA2766T1A，其導通電阻額定範圍為0.72 mΩ至1.05 mΩ (標準值)，可提供更理想的產品選擇，以符合使用者在操作電流或環境情況方面的需求。亦可讓客戶供應最佳產品，有助於提升電源效率並降低空間需求。
瑞薩電子計劃持續強化此產品系列，繼續致力於降低導通電阻並創造更小的封裝以符合持續進化的客戶需求。

[註1] 導通電阻是功率MOSFET運作時的電阻。較低的數值表示損耗較少(導通損耗)。
[註2] MOSFET是「metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (金屬氧化物半導體場效電晶體)」的縮寫。MOSFET依據結構區分為P通道或N通道。此新產品為N通道MOSFET。
[註3] ORing是指一種組態，其中以多個電源供應器提供負載，自動執行電源電壓切換，或者由電源供應器分擔負載。這是透過功率MOSFET及控制電路實作。

關於低導通電阻功率MOSFET產品之主要規格，請參閱附件。

供貨時程
新的低導通電阻功率MOSFET已開始供應樣品，樣品價格因規格而異。 瑞薩電子將於2013年2月開始量產，預估至2013年10月，三款產品的合併產能可達到每月500萬顆。(供貨時程如有變更，將不另行通知。)

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瑞薩電子宣佈推出低導通電阻功率MOSFET以提供更高電源效率及小型伺服器電源供應器
相較於瑞薩早期ORing應用產品，新款MOSFET提供低50%的導通電阻

2013年2月5日，台北訊－先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈推出新款低導通電阻 [註1] MOSFET [註2] 產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing [註3] FET使用。

此款新產品具有業界最低的0.72 mΩ (典型值、30 V)導通電阻，比瑞薩早期產品低約50%，並具備高效率與小尺寸安裝面積封裝(8-pin HVSON)，能以較小的封裝提供高電流控制，有助於節省電力及電源組件的小型化，用於大型伺服器儲存系統。

以關鍵任務系統而言，通常會提供備援供電，亦即使用ORing FET搭配多個電源裝置，以維持伺服器儲存系統的高可靠性。這些ORing FET連接至各電源供應器的電源輸出線路。ORing FET在正常運作時會維持導通，但若其中一個電源供應器故障時，該電源供應器的ORing FET將切換為關閉狀態，以便將故障的電源供應器與其他電源供應器加以隔離，確保故障的電源供應器不會干擾系統電力。

正常運作時，電源輸出線路需處理數十至數百安培的大電流。ORing FET必須具備低導通電阻特性以避免導通損耗的增加或電源電壓的下降。

為因應上述需求，瑞薩以該公司的全新低導通電阻製程為基礎，目前已開發三款MOSFET產品。新款μPA2764T1A、μPA2765T1A及μPA2766T1A符合上述需求，可為電源供應裝置提供領先業界的低導通電阻以及更小的外型。

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IR 全新300V功率MOSFET配備基準導通電阻 有助於提升工業應用之系統效率


全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出配備了IR最新功率MOSFET的300V元件陣營，藉以為各種高效率工業應用提供基準導通電阻 (RDS(on))，包括110-120交流電壓線性調節器和110-120交流電壓電源，以及太陽能逆變器與不斷電供應系統 (UPS) 等直流-交流逆變器。

全新功率MOSFET陣營具備極低的RDS(on)，有助於提升系統效率。若多個MOSFET並聯使用，設計師更可減少產品的元件數量。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR 300V MOSFET陣營配備了基準Rds(on)，能夠提升效率、功率密度及可靠性，適用於要求更佳系統效率之工業應用。」

全新元件符合第一級濕度敏感度 (MSL1) 業界標準及電子產品有害物質限制指令 (RoHS)。

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東芝推出新款IGBT/MOSFET閘驅動光電耦合器 工作溫度範圍為-40°C至125°C，有助於減少逆變電路的死區時間，提高效率

(20130109 17:32:09)東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布將推出採用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅動中等容量的IGBT或功率MOSFET。新產品TLP250H的最大傳輸延遲時間為500ns，光電耦合器間的傳輸延遲偏差為150ns，這樣的性能可減少逆變電路的死區時間(dead time)，提高效率。新產品使用了壽命超長的新LED，可支援-40°C至125°C的工作溫度。此外，該耦合器可將最低工作電壓降至10V（東芝之前型號的最低工作電壓只可降至15V），進而有助於降低功耗。該耦合器可應用於一系列產品中，包括高溫環境中使用的工業設備，家用太陽能光電發電系統，數位產品以及測量與控制儀器。該產品的樣品現已推出，並計畫於2月份投入量產。

應用
IGBT/功率MOSFET閘驅動器，功率調節器，通用逆變器，IH（感應加熱）設備，等等。

主要特性
1. 工作電壓：VCC=10 - 30V
2. 傳輸延遲時間：tpLH, tpHL=500ns (最大值)
3. 傳輸延遲偏差：±150ns (最大值)
4. 寬廣的保證工作溫度範圍：Topr=-40°C - 125°C
5. 峰值輸出電流：IOP=±2.5A (最大值)
6. 低輸入電流：IFLH=5mA (最大值)
7. 隔離電壓：BVS=5000Vrms (最小值)
8. 共模瞬態抑制：CMR=±40kV/μs

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R2A20057BM電池充電控制IC的主要特色：

(1) 相較於先前的瑞薩解決方案可減少約62%的晶片表面積
瑞薩採用非常精細的高電壓耐受度晶圓製程及晶圓級封裝(WL-BGA、25-pin、0.4 mm間距)，因此可達到世界最小等級的2.47 mm × 2.47 mm極小晶片尺寸。另外，內建2 MHz高頻率降壓DC-DC轉換器，可使用小型多層晶片電感做為外部元件。晶片內建的25 V高輸入耐受電壓可提供內建的過電壓保護電路，無需外部的過電壓保護電路，有助於大幅縮小安裝面積。

(2) 支援USB電池充電規格Revision 1.2
新款R2A20057BM可自動辨識六種USB連接埠類型，包括USB電池充電規格Revision 1.2規定的三種類型，並自動設定輸入電流限值。

(3) 同時支援獨立作業以及I2C控制作業
新款R2A20057BM可做為獨立產品實作充電作業，或可透過內部積體電路(I2C)的命令輸入進行控制。I2C控制命令支援多種要求，包括充電開始/停止控制，並可變更參數值，例如充電控制電壓、充電電流及輸入電流限值。

(4) 內建自動負載電流分配功能
新款R2A20057BM利用內建的負載電流分配功能，為電池充電時控制系統的供電路徑，此分配功能會優先供電至系統，當輸入電流有限，例如電力經由USB介面大量流出，就會調整充電電流。如此在建立充電系統時，即無需增加大型外部元件，例如獨立開關。

(5) 內建保護功能以確保電池充電的安全
內建的保護功能可確保充電的安全，包括提供輸入/輸出過電壓保護、熱保護、充電計時器保護，以及採用熱敏電阻監控電池溫度。4.20 V/4.35 V ±0.5%的高精度充電控制電壓能以指定電壓為鋰離子電池安全地充電。

供貨時程
R2A20057BM電池充電控制IC現已開始供應樣品，並自2013年1月起量產，預估至2013年8月可達到每月50萬顆的產能。(供貨時程如有變更，將不另行通知。)

amatom

瑞薩電子推出鋰離子電池充電控制IC支援大電流快速充電
以超小型封裝實現高效能2 A充電 尺寸為2.47 mm × 2.47 mm


2013年1月08日，台北訊－先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈推出R2A20057BM鋰離子(Li-ion)電池充電控制IC，適合採用一個鋰離子電池單元的行動裝置，例如數位相機及智慧型手機。R2A20057BM採用世界最小等級的封裝尺寸，內建降壓DC-DC轉換器並支援2 A大電流充電。

由於數位相機、智慧型手機及其他行動裝置的功能越來越強大，電流用量也逐漸增加，因此需要更大容量的鋰離子電池，以及較大的電流來為這些電池充電。然而，大電流充電系統需採用多個功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)及獨立的被動元件，而處理大電流也需要大尺寸的散熱結構，但同時又需要更小的安裝面積，特別是行動裝置。

為解決這些問題，新款R2A20057BM採用晶圓級封裝，將多個功率MOSFET與充電迴路整合於單一晶片以大幅縮小安裝面積，由於此封裝技術可降低封裝電阻，因此可供應大量的電流。另外，本產品整合了高效率的晶片內建降壓DC-DC轉換器，不僅可實現大電流充電，並可將發熱抑制在最低的程度。

sophiew

東芝為CMOS毫米波電路的發展開發緊湊型MOS可變電抗器模擬模型- 精確度從DC至毫米波且採用單模型 -

東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO: 6502)今天宣布開發精確度從DC（直流）至毫米波(60 GHz)的緊湊型MOS可變電抗器1模擬模型。新模型由東芝和岡山縣立大學(Okayama Prefectural University)的Nobuyuki Itoh教授共同研製。

新的緊湊型MOS可變電抗器模型引進原始演算法來表達尺度效應，並可捕捉到支配60 GHz範圍的寄生效應的影響。針對元件大小不同的樣品，使用了1 MHz - 60 GHz的測量參數進行建模。一般而言，很難透過單模型來表示MOS可變電抗器，但是新開發的模型卻成功做到了這一點。

新模型能夠準確捕捉到寄生效應，這就為實現RF-CMOS產品的低功耗提供了支援。東芝將利用基礎技術來開發此類晶片，而這些晶片是該公司模擬與影像積體電路部門的主要裝置。受惠於目前已取得的成效，東芝預計將來可精確地對CMOS毫米波電路進行模擬。

透過自身的65 nm RF-CMOS技術，東芝已經打造出了元件長度從0.26 um至2.0 um不等的樣品，並使用這些樣品對新模型進行了驗證。所有尺寸的元件均取得了DC至67 GHz的精確度。

該模型的驗證工作是在60 GHz電路上完成的。東芝使用這種用於調頻元件的模型對60 GHz VCO控制電壓上的相位雜訊水準依賴性進行了測量，並與電路模擬進行了比較。結果顯示，測量精度達8 dB，優於傳統模型2。

這些研發成果在12月4-7日在臺灣舉行的亞太微波會議(Asia-Pacific Microwave Conference)上進行了展示。

1. MOS（金屬氧化物半導體）可變電抗器是一種平面元件，歷來都使用CMOS技術製造。通常來說，該元件廣泛用於CMOS VCO（壓控振盪器）電路的調頻元件。

2. BSIM（伯克萊短溝道絕緣柵場效應電晶體模型）是通常用於模擬MOS可變電抗器的傳統模型。該模型由加州大學伯克萊分校開發。

mister_liu

這些 MOSFET 採用先進的電荷平衡(charge balance)技術，提供極低的導通電阻和更低的閘極電荷 (Qg) 性能，因此品質因數 (FOM, figure of merit)    更低。 這些器件包含多個整合性的特點，有助於在簡化設計中減少元件數量，從而獲得更高效率、更具成本效益的設計，其中包含一個閘極電阻器 (Rg)， 能夠大幅降低閘極振盪並改進系統整體性能。

優勢及特點：

SuperFET II MOSFET
•        更快的開關速度，從而最大化系統效率
•        更大的功率密度
SuperFET II MOSFET Easy-Drive
•        易於設計及使用
•        優化的開關性能
•        低電磁干擾雜訊
•        在異常情況下可靠的運行
封裝種類與售價資訊（訂購 1,000 個，美元）
按請求提供樣品 - 收到訂單後 8-12 週內交貨