新世代記憶體(Emerging Memory)，大家最看好哪兩種？

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【新竹訊】ATMI和 Ovonyx兩家公司宣佈，以GST（Germanium Antimony Telluride）為基礎的相變化記憶體（Phase Change Memory）元件商業化，獲得重要進展。這項聯合發展計畫的關鍵成果，使得以GST為基礎的相變化記憶體技術，在量產和成本控制獲得重大突破。
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PCM （Phase change memory） 在新世代存儲技術中，有潛力取代NOR flash，成為最佳替代方案，並朝著取代新世代DRAM製程的方向邁進。　
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2 C4 ~$ @8 q6 e( z( T, V& r- u/ j最近研究證實，無孔洞（Void-free Fill） 的填充和優異的電學性能結果。相較於濺射沉積法GST 225，此技術能填充高深寬比的結構，展現極佳的存儲單元的電學性能。各種CVD合金沉積的結果證實，存儲速度小於50奈秒，耐久性 （endurance）介於介於108~1010間，在高於攝氏100度環境下，數據仍可保留10年。
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這項最近共同研究所展現出的優異電性成果，將在9月的Electron Device Letters發表。ATMI也會在European/Phase Change and Ovonics Symposium（E/PCOS） 針對CVD製程發佈文獻。

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ATMI執行副總暨微電子總經理Tod Higinbotham表示，GST-basedPCM有希望取代NOR Flash 和部份DRAM市場，在新存儲技術商業前景看好。在邁向微型化的過程中，面臨的重要挑戰是，缺乏一項CVD製程，能使清除（reset）電流持續降低。
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降低清除（reset）電流可使存儲元件的能耗降低，電池壽命延長，提供更高的數據帶寬，這些都是現今可攜式數位消費產品的重要性能指標。

! S* |$ P' D5 {0 W兩家公司計畫將此項技術授權給半導體業者，由ATMI提供前驅材料及相關的沉積技術，來加速高性能的PCM存儲技術商業化的進展。ATMI預期，第四季將此項CVD GST技術在300mm晶片上驗證。
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Tyler Lowrey, Ovonyx 總裁暨執行長指出，此成果得以更加優化相變化單元的熱環境，最終結果是，擁有降低編程電流的低成本、高集成度的元件。
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ATMI與Ovonyx自2008年3月起成為研發夥伴，雙方的合作基礎建立在Ovonyx會提供所有的電學測試晶片和性能分析，以及擁有PCM方面的基本專利。ATMI網址：www.atmi.com ，Ovonyx 網址：www.ovonyx.com。

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TI 用全新的 MSP430™ FRAM 微控制器開創了超低功耗的新時代
採用 EnergyTrace ++™ 技術的 MSP430 MCU 設計 以實現全球最低功耗的微控制器系統
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6 a( ^' x, A, B2 N(台北訊，2014 年 6 月 25 日)   德州儀器 (TI) 宣佈推出其綜合的超低功耗 FRAM 微控制器 (MCU) 平台。該平台包含所有必要的硬體和軟體工具，支援開發人員以降低能源預算，最大限度地縮減產品尺寸並努力實現無電池的世界。具有 EnergyTrace++™ 即時功耗分析器和除錯器的 TI 全新 MSP430FR59x/69x FRAM MCU 產品系列在 32KB 至 128KB 的範圍嵌入鐵電隨機存取記憶體 (FRAM)。這些MSP430™ MCU非常適用於智慧計量儀表、穿戴式電子產品、工業和遠端感測器、能源收集裝置、家庭自動化設備、資料獲取系統、物聯網 (IoT) 以及更多需要超低功耗、彈性記憶體選擇和智慧類比整合的應用。
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採用嵌入式 FRAM 的 TI 創新型超低漏電 (ULL) 專有技術可在 -40 至 85 攝氏的溫度範圍內提供全球最低的系統功耗，其包含運行功耗為 100μA/MHz，精確即時時鐘 (RTC) 待機功耗為 450Na 和業界領先的功率效能。全新的 FRAM MCU 包括各種智慧類比週邊，如在轉換速率為 200 ksps 時耗電流低至 140μA 的差分輸入類比數位轉換器 (ADC) 以及可在系統處於待機狀態時運行的增強型流量計量掃描介面，進而使功耗降低 10 倍。此外，整合式 8-mux LCD 顯示器和 256 位元進階加密標準 (AES) 加速器也可降低功耗，縮減材料清單成本並節省電路板空間。
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採用 EnergyTrace++ 技術即時除錯能量
TI 採用新型 EnergyTrace++ 技術的系統是全球第一個能讓開發人員為每個週邊即時分析功耗的除錯系統，其電流解析度低至 5nA。這使工程師能控制自己的功耗預算並優化軟體，竭盡所能創造出能耗最低的產品。這項新技術現在可用於 MSP430FR59x 和 MSP430FR69x MCU 產品系列，並附上全新的低成本 MSP430FR5969 LaunchPad 開發套件。

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借助 FRAM 的獨特功能挑戰超低功耗
% W" T4 ?+ N, p9 A6 I' h除了具有顯著的節電優勢外，TI 的 MSP430FR59x/69x FRAM MCU 產品系列還具有以下的特性，超出了開發人員的預期：
+ t1 q3 s) K, e: R  W$ @3 F•        無限的可讀寫次數。無法取代的讀取/寫入速度意味著 FRAM MCU 比傳統非揮發性記憶體解決方案的擦寫迴圈次數多100億次以上 — 其擦寫週期超過了產品生命週期本身；
% @8 q  z( \% r  U•        彈性。FRAM 具有獨特能力，使開發人員擺脫代碼和資料記憶體之間的傳統界限束縛。用戶無需再受限於業界標準快閃記憶體與 RAM 的比率或為增加的 RAM需求支付額外費用；
6 h% \% U/ }+ L, O& d•        易用性。FRAM 可簡化代碼開發。由於 FRAM 無需預先擦除段，並可基於位元等級被存取，所以有可能達到恆定的即時資料記錄。無線韌體更新複雜程度降低，速度加快且能耗減少。
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# f( D& O8 N( ]3 _6 STI 超低功耗 FRAM MCU 產品組合的特性與優勢
# C! C6 Y. N5 z1 E- T* ^•        FRAM 是唯一的非揮發性嵌入式記憶體，可在電流低於 800μA 的情況下以 8Mbps的速率被寫入 — 比快閃記憶體快100倍以上；
/ I5 }7 L9 ?. I# O•        借助引腳對引腳相容性和可擴展的產品組合，由 TI 超低功耗 MSP430™ MCU FRAM 產品平台內 32KB 至 128KB 的裝置組成，使開發工作變得更輕鬆；
0 B5 [6 o. V, k•        借助 MSP430 FRAM 和快閃記憶體組合之間的代碼和週邊相容性，利用MSP430Ware™來簡化遷移；
•        可取代 EEPROM，旨在設計出寫入速度更快、功耗更低且記憶體可靠性更高的安全產品；
•        256 位元的 AES 加速器使 TI 的 FRAM MCU 能確保資料傳輸；
•        適合開發人員使用的豐富資源包括詳細的遷移指南和應用手冊，以簡化從現有矽晶片到 MSP430FR59x/69x MCU 的遷移。
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入門
開發人員可透過涵蓋齊全的培訓計畫，包含的線上培訓和現場培訓環節針對超低功耗平台的各個方面開始使用TI的FRAM MCU產品組合。一系列深入的教學影片將幫開發人員快速開始設計，並在設計週期的任何階段利用 EnergyTrace++ 技術和開發工具對 TI 的 FRAM MCU 進行故障排除。
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供貨情況與價格
MSP430FR59x MCU可立即用於批量生產，建議售價為每一千單位 3.35 美元。MSP430FR69x MCU現已開始提供樣品，並將在2014年第3季度用於正式批量生產。MSP-EXP430FR5969 LaunchPad與Sharp® 96 Memory LCD BoosterPack捆綁銷售，建議售價為 29.99 美元。此外，MSP-FET也已開始供貨，建議售價為 115 美元。