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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--（美國商業資訊）--東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠（晶圓廠），位於三重縣四日市業務部（Yokkaichi Operations）記憶體工廠內。5 z; k% a3 b& V$ F) x! i
# Y; x- g& ]5 x( p# p! ]# n( W東芝將對Fab 5進行擴充，以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成，設備投資及生產水準將視市場動向而定。( z" l: Z7 X: U
; h, q; Z5 ~+ {1 L* k$ t四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體，包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造，其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量，發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後，東芝預計從中長期來看，市場會繼續擴張，並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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) c# M; A. G8 Q展望未來，東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務，提高競爭力，並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
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! e! n s; Z' Y' EFab 5概況+ ~6 \+ I2 h* _$ d/ V @3 I/ j
大樓結構： 兩層鋼架混凝土結構，大樓共五層0 h8 l/ E8 a' }
地上建築面積： 約38,000m2
2 e3 |) Q' s. }. H6 \0 T9 S總建築面積： 約187,000m2 % T8 R+ q7 [ I' d! u o0 t; O- r
開工時間： 一期：2010年7月
2 @$ K) A n6 G0 W- T* }二期：2013年8月 7 M1 `' }1 U% f: Q7 e
完工時間： 一期：2011年5月 , U& k- V) }0 m( \
二期：2014年夏（目標）; o- H/ U" M) M2 L, o! a( r
投產時間： 一期：2011年7月 f2 ^- u ~* h
二期：將於稍晚確定；主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型
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四日市業務部概況 2 |+ }* Q% v0 N' v
位置： 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture 8 V2 p1 _0 _: M; N
成立時間： 1992年1月 & n8 s$ J* l; d: Y
總經理： Tomoharu Watanabe
# V* |- j: F5 P9 h員工數量： 約5,200名
& Z& R/ {1 g2 G: k8 f' ~1 X" k（截至2013年3月底，東芝的正式員工數量）
+ Z$ d1 {' i$ N) j' X& O c場地面積： 約436,800 m2 （包括Fab 5）
' ]/ V: U% [1 h6 G總建築面積： 約647,000m2 （包括Fab 5） |
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發表於 2011-10-27 10:09:18
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