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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
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; N: i$ ~6 J& I9 {& c東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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0 Q7 z# T2 W) s# D四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。1 E" q; X& ?4 y$ G T, ^) E/ U4 A
/ B+ G6 l) K6 H/ Z! p" T展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
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- Y) T" N7 a! V$ t; eFab 5概況9 m! U* A8 c. G* t) J& K6 o7 _5 v$ B
大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層! \( ]" P0 J) Y
地上建築面積: 約38,000m2
- C$ B, x' }( a. L0 i7 o( C7 \總建築面積: 約187,000m2
7 R$ L+ O9 q* W3 Z) [5 T( K開工時間: 一期:2010年7月
( m$ }! w! t6 P# b1 h. I# i二期:2013年8月 # i( o8 {/ z- q' y' [
完工時間: 一期:2011年5月 % {- k \$ v5 G! g6 N' V
二期:2014年夏(目標)5 u/ T5 w" W& l" @! |
投產時間: 一期:2011年7月 & J0 K/ o3 w) T
二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型( Z2 @1 y" [$ f( f
2 [9 [: b7 v6 L$ x' s' O5 A, O( y四日市業務部概況
: H" i! E# Z, r" E; r: S$ E. M5 y) Y位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture 2 j" J' p. @" p3 a5 _
成立時間: 1992年1月
% k1 ]( W% q( v F- _總經理: Tomoharu Watanabe
7 m6 ?9 h" r+ B6 m, S# A+ j+ e* I; a+ x員工數量: 約5,200名 3 _, d$ y/ y0 r2 C, a8 t
(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量)
5 ]4 a/ S/ e' n) f8 ?8 i場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
R9 b% G4 T4 }" W總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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