新世代記憶體(Emerging Memory)，大家最看好哪兩種？

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Ramtron的F-RAM磁芯記憶體和整合式產品是要求高資料完整性和超低功耗之應用的理想選擇——這與飛思卡爾在汽車、工業，使能技術(enabling technology)和聯網方面的目標市場完全吻合。F-RAM具有天生的高耐用性、快速單週期和對稱讀/寫速度、低能耗、對伽瑪輻射的承受能力和抗電磁雜訊干擾能力。TWR-FRAM是為了可以讓客戶使用Ramtron的全部產品線來開發產品而設計的，提供高達8Mb的磁芯記憶體產品和精選記憶體介面(SPI、I2C或並行)，以及Ramtron處理器伴侶、狀態保存器，還有單獨銷售的WM72016-6-EVAL等無線記憶體產品的介面。

; F' `$ R; q9 I6 H& B, L( ~: x價格和供貨
0 E' Y) [& ?; m/ t
Ramtron的TWR-FRAM記憶體模組可經由Future Electronics、Digi-Key和Mouser Electronics公司在世界各地供貨，客戶也可以通過其它Ramtron /飛思卡爾共同授權販售者 (例如Alltek、Tokyo Electron Devices、WT Micro和Farnell) 訂購TWR-FRAM。TWR-FRAM模組是特別以飛思卡爾的Kinetis K53 Tower System kit (TWR-K53N512-KIT)來開發的，並且也是為了可以當作周邊設備模組使用而設計的，可以與任何飛思卡爾Tower System控制器或處理器模組共用，構成完整的Tower System元件。
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5 k( D1 C! E) [TWR-FRAM的所有代碼和範例專案檔案均是為了與IAR® Embedded Workbench和Keil® µVision4 評測授權許可(evaluation-licensed)開發工具一起使用而建構的，這些工具包含在飛思卡爾Tower System開發平臺中，也可從網址www.iar.com及 www.keil.com.下載。客戶可從www.ramtron.com/go/TWR-FRAM下載更多資訊和TWR-FRAM開發工具，並且可從www.ramtron.com/press-center/image-bank.aspx獲得高解析度的TWR-FRAM產品照片(從下拉式功能表中選擇TWR-FRAM)。
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TWR-FRAM記憶體的建議轉售價格是99美元。

ranica

8 @) d. G" R5 G2012年10月16日，台北—香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈推出新款V系列晶片MB85RC256V。富士通半導體目前的V系列FRAM產品涵蓋4KB、16KB、64KB、256KB容量，MB85RC256V是首款可在2.7V-5.5V電壓範圍內運作的FRAM產品，有利於需要大範圍工作電壓零組件之設計。富士通半導體為全球非揮發性鐵電隨機存取記憶體(FRAM)領導廠商，將持續推出更大容量的產品，以滿足各種市場需求。
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FRAM產品結合了ROM的非揮發性資料存儲功能和RAM的優點，可提供1012次的讀寫、高速讀寫週期和低功耗等特點。此外，FRAM產品系統支援多種介面和容量，包括工業標準的串列和並列介面。富士通的FRAM產品比其他非揮發性記憶體的讀寫速度更快、耐久性更佳且耗電量更低。FRAM產品已廣泛採用於測量、工業控制、汽車電子、金融業銷售點管理系統等高階應用領域；FRAM支援高速讀寫、高耐久性、低功耗等特性，對這些領域而言非常重要。

ranica

富士通半導體憑藉其豐富的開發與製造經驗，進一步讓設計與生產端密切合作並發揮最佳成效，透過穩定的供應鏈持續為客戶提供高品質產品，鞏固富士通半導體在市場上的基礎。

MB85RC256V產品特色：
* y( [5 v$ X% T主要參數
$ D6 ]1 U% T- N: v4 ?! N1 G- y        採用32kx 8位元配置，有256KB儲存容量
0 h* }# O1 M, H& c0 d        1012次的讀寫次數
* q- G0 v2 b1 m2 P        資料保持十年(+85°C)
; R, v: \7 Y$ J        作業電壓範圍介於2.7V-5.5V
0 F% q  p- H' f$ G( m. j, R% g! d外部序列介面－I2C
; z8 z7 W! Y& i6 s        在4.5V-5.5V電壓範圍內，運作頻率可高達1MHz
( c8 S* A" \( w+ Z        在2.7V-4.5V電壓範圍內，運作頻率高達400KHz
溫度與封裝規格
        操作溫度介於-40°C至85°C
        有3.9mmx5.05mm和5.30mmx5.24mm兩種尺寸的SOP-8封裝規格
5 T) c4 [9 k7 \6 s0 o: K; v5 k* k% B供應時程
        從2012年8月中旬開始提供樣品，並於10月中旬量產供貨。

jcase

富士通半導體推出全新小型封裝超低功耗16Kb FRAM可延長電池壽命並縮小產品面積


2012年11月29日，臺北—香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈為其低功耗鐵電隨機存取記憶體(FRAM)系列再添超低功耗的SON-8小型封裝新品－MB85RC16。該系列產品可支援I2C介面，除原有的SOP-8標準封裝外，首次採用全新的SON-8封裝規格，以提供更持久的電池壽命和更小型化的終端產品，讓使用者有更佳的使用體驗。
7 M% j, ?) d$ k$ e) m; C- ~
　　為了滿足可攜式電池供電和行動應用的低功耗需求，富士通為超低功耗FRAM的MB85RC16開發全新小型SON-8封裝規格。SON-8封裝 (3mm x 2mm)的占板面積可比現有的SOP-8封裝減少80%以上，更可同時縮小產品的體積和延長電池壽命，為客戶帶來極大的便利性。
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jcase

相較於傳統的非揮發性記憶體，富士通的FRAM具備高速儲存、高耐久性和低功耗等優勢，適用於需要高可靠度的電表領域，以及需要持久電池壽命的可攜式醫療設備和可攜式量測設備。

" c5 q: y5 q+ ~: u4 EMB85RC16不僅擁有16Kb FRAM、支援I2C介面等優勢，可消耗更少電流，而因可延長電池壽命。相較於其他競爭產品，無論是待機電流和操作電流均屬業界最低水準。尤其MB85RC16在待機模式下，平均電流僅0.1 uA，可有效延長可攜式測量設備的待機時間。此外，由於這款產品的運作電流很小，因此也適用於需要即時資料記錄的可攜式設備。相較於傳統的標準EEPROM，MB85RC16在寫入資料時，可降低98%的電流消耗。
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對於可攜式的電池式供電設備而言，終端產品的尺寸及占板面積越來越小，因而帶動小型化產品的需求。富士通的FRAM產品已被廣泛應用於量測、工業設備和FA設備等各種領域的應用。

amatom

東芝開始交付業界首款嵌入式NAND快閃記憶體模組的樣品
/ N9 c$ G, I6 U+ o- ^1 c--這款嵌入式記憶體符合JEDEC UFS[2] 1.1版本標準，將64GB NAND和一個控制器整合在一個封裝中--
4 A+ w6 s! N1 V6 R$ j' G6 c+ X
東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布，業界首款配備UFS I/F的64GB嵌入式NAND快閃記憶體模組已經開始交付樣品。該模組完全符合JEDEC UFS 1.1版本標準[3]，專為包括智慧手機和平板電腦在內的各種數位消費品打造。

樣品主要用於由作業系統廠商對UFS I/F及其主晶片組中的通訊協定進行評估。

由於主晶片組資料處理速度的提高以及無線連接頻寬的擴大，市場上對可支援高解析度視訊的大密度、高性能晶片的需求持續強勁。
4 Q3 t' I7 z8 b' h+ y) W
作為該核心領域公認的創新企業，東芝成為業界首家使用64GB UFS模組為樣品提供支援的企業，並正藉此鞏固其領導地位。

東芝將根據市場需求來安排量產及該系列中其他密度產品的生產。

amatom

產品
產品型號 密度 封裝 樣品交付
* c0 F1 K: l+ |THGLF0G9B8JBAIE 64GB 169Ball 12×16×1.2mm FBGA 2013年1月
; `; C; A7 G8 h. l" [% x
主要特性
1.符合JEDEC UFS 1.1版本標準的介面，可處理的基本功能包括寫入區塊管理、錯誤校正和驅動程式軟體。它簡化了系統開發，讓製造商能夠最小化開發成本，縮短新產品及升級產品的上市時間。
2.UFS I/F有一個序列I/F。它可升級通道數和速度[4]。
1 I9 @; S& l: D. H# ~3.新產品採用12x16x1.2mm的緊湊型FBGA封裝，其訊號佈局符合JEDEC UFS 1.1版本標準。

規格
# y# l" p6 F! C* T! b3 s  s介面 JEDEC UFS 1.1版本標準
+ c/ L& L+ ?( z8 S工作電壓 2.7V-3.6V（記憶體核心）
1.70V-1.95V（控制器核心）
( }5 Q, C/ H. `- _7 m1.10V-1.30V（UFS I/F訊號）
通道數 下游1個通道/上游1個通道
I/F速度 2.9Gbps/通道
; l& j: U! @! M溫度範圍 攝氏-25度至攝氏+85度
9 O1 A9 M  ?5 e) C  Y封裝 169Ball 12x16x1.2mm FBGA

amatom

打造小型化設備及降低設備功耗 為智慧電表、工業機械和醫療設備提供最佳化功能
2 V) W4 J% u/ N) _3 d8 N! ~
2013年3月25日，香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈，推出兩款全新1 Mbit和2 Mbit FRAM產品MB85RS1MT與MB85RS2MT。新產品是目前富士通產品系列中最高容量的序列介面FRAM元件，預計在本(3)月底開始為客戶提供樣品。
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    富士通半導體持續開發FRAM產品系列，全新的MB85RS1MT(1 Mbit)和 MB85RS2MT(2 Mbit)為目前富士通提供的最高容量的SPI序列介面FRAM元件。兩款新型FRAM元件保證提供10萬億次的讀/寫週期，是現有FRAM晶片的10倍，可針對即時、連續資料記錄提供更好的支援，適用於智慧電表、工業機械和醫療設備等應用。

# {+ B9 b3 q, V, y& {7 y  Q) |    智慧電表、量測設備、工業機械和醫療設備(如助聽器)等設備都需要序列介面的1-2 Mbit非揮發性記憶體，現在已可採用富士通半導體的全新型FRAM產品取代傳統的EEPROM。在提升快速寫入功能後更可提供更高的效能，同時也將因電壓突然下降或者停電引起的資料遺失風險降至最低。相較於相同容量的EEPROM元件，MB85RS1MT和MB85RS2MT寫入時可減少92%的用電功耗，延長電池壽命。

amatom

對於使用SRAM記錄資料和使用EEPROM儲存參數和程式的工業機械用途而言，新款FRAM產品可將EEPROM、SRAM和用於資料保存的電池系統記憶體元件所需的功能整合至單一晶片中，進而減少所需元件的數量，更不必更換電池，因而可大幅降低元件成本、電路板面積和功耗，有助於發展更小型、低功耗的設備，不再需要備用電池。  

7 e. p- [6 L; j$ W! b+ _- S* \5 M0 h    FRAM具備非揮發性資料儲存功能和高速資料寫入的隨機存取優點。不但提升效能，更能在儀表設備等應用面臨電源臨時中斷時保護資料。FRAM寫入機制仍能確保資料可高速寫入FRAM元件，而不會損失任何重要資料。富士通半導體的FRAM產品自1999年量產後，憑藉這項功能帶來的優勢，已廣泛採用於工廠自動化設備、量測設備、金融業銷售點管理和醫療設備等領域。

概括而言，新型的FRAM產品擁有減少電路板面積、不必更換電池、降低功耗和元件成本等四大優勢。展望未來，富士通半導體將持續為客戶提供解決方案、協助客戶提高產品效能和設備維護，並大幅降低風險。
1 f# J1 `! M* v/ a$ s3 R5 H& ^7 M
# z. ^! Z5 j6 H( @5 ~  z, I  J供應時程
  m. d) E. [7 F  s; A& T$ {) S, J　　富士通半導體計劃在在本月底開始為客戶提供MB85RS1MT和MB85RS2MT的樣品。客戶可向富士通當地銷售業務人員洽詢樣品價格。

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Molex推出新一代高性能超低功率記憶體技術 DDR3 DIMM記憶體模組插座滿足不斷增長的嚴苛高密度應用需求
5 Z/ x; W2 |5 Z( ^" y# g" W# c
$ v5 r2 r  ?' Z0 c5 E1 N3 V- i(新加坡 –  2013年5月16日) 全球領先的全套互連產品供應商Molex公司宣佈推出空氣動力型DDR3 DIMM插座和超低側高DDR3 DIMM 記憶體模組插座產品組合，這兩款系列產品均可滿足電信、網路和儲存系統、先進運算平臺、工業控制和醫療設備中對記憶體應用的嚴格要求。
3 A, B% P6 A+ O% I& i; |8 t, _
DDR3是一項已制定完成的DDR DRAM介面技術，支持時鐘頻率為400 至 800 MHz的800 至 1600 Mbps資料速率，是DDR2介面資料速率的兩倍。採用標準1.5V工作電壓，DDR3對比DDR2在功耗上減少30%。Molex的DDR3 DIMM插座具有比標準設計更低的底座面，讓ATCA刀鋒系統中可以使用底座最大和高度低於2.80 mm的極低側高模組。新型DDR3 DIMM插座還具有10 mΩ的低位準接觸電阻，可以使用已註冊的DIMM模組及降低刀鋒式伺服器中的功耗。

9 C; U0 g/ P0 [+ NMolex產品經理Douglas Jones表示：“隨著更高頻寬需求的不斷增長，擁有以較快速率傳輸資料而不犧牲寶貴空間或功率的能力是十分重要的。我們的客戶在使用DDR3 DIMM插座時，能夠利用終極高性能記憶體互連，同時維持或縮小現有封裝尺寸和降低功耗。”

Molex 空氣動力型DDR3 DIMM插座具有流線型的外殼和閉鎖(latch)設計，實現氣流最大化及消除運作期間所聚集的熱空氣。人類環境學閉鎖設計能夠實現快速動作及輕易地移除高密度記憶體模組。2.40 mm的低底座面已將垂直空間優化，以便提供更靈活的插座模組設計高度。空氣動力型DDR3 DIMM插座可提供極低側高壓接(14.26 mm)、低側高壓接(22.03 mm)、低側高SMT (21.34 mm)和極低側高SMT (14.20 mm)高度等不同的版本。與標準壓接終端相比，這些壓接插座具有更小的針孔型順應引腳，從而為更高密度的跡線路由釋放寶貴的PCB空間。所有Molex的空氣動力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS標準，而SMT版本則不含鹵素。

Molex超低側高DDR3 DIMM插座具有僅高1.10 mm的底座面，是產業中最低的。該插座在PCB上提供最高20.23 mm的垂直空間來安裝高密度的DIMM，適用於要求符合ATCA電路板機械規範的應用。這項規範要求前板(front board )PCB板一側的元件高度不能超過21.33 mm。超低側高DDR3 DIMM插座還具有更小的閉鎖動作角度，可以使用比標準DIMM插座更少的PCB空間，改善氣流和使已安裝的元件變得更接近。新型無鹵素插座具有玻璃填充的高溫尼龍外殼和閉鎖裝置，將採用波峰焊和高溫紅外回流焊作業變成可能。

mister_liu

(20130521 17:52:00)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)宣布，該公司已經開發出第二代19奈米製程技術，該技術將於本月稍晚用於量產每單元2位元的64 gigabit NAND記憶體晶片。
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東芝已經使用該新一代技術開發出全球最小的*每單元2位元的64 gigabit NAND記憶體晶片，晶片面積只有94平方毫米。新一代晶片採用了獨特的高速寫入方法，寫入速度可高達25百萬位元組/秒—是全球速度最快的*每單元2位元晶片。

東芝還在利用該製程技術開發每單元3位元晶片，並計畫在本會計年度年第二季投入量產。該公司最初將透過開發一種與eMMC相容的控制器，為智慧手機和平板電腦推出3位元的多層單元產品，隨後會透過開發與固態硬碟(SSD)相容的控制器，將產品的應用範圍擴大到筆記型電腦領域。

  r1 V4 }  t# D  b1 LNAND快閃記憶體是記憶卡、智慧手機、平板電腦和筆記型電腦等多元化消費品系列的基本構成元素，並越來越多地被部署到企業產品中，包括資料中心的固態硬碟。展望未來，東芝將繼續促進產品創新與開發，成為市場中一家能夠因應各種客戶需求的領先公司。

innoing123

LSI®成為企業級 PCIe®快閃記憶體轉接卡全球第二大供應商
Nytro™快閃記憶體轉接卡上市首年出貨超過40,000張　

6 C1 b$ i- M! a% w; X. X' Y根據某知名市場研究機構報告顯示，LSI公司(NASDAQ: LSI)在快速成長的企業級PCIe®快閃記憶體轉接卡市場躍升成為第二大供應商 (註1)。LSI自2012年4月推出Nytro™產品系列以來，Nytro快閃記憶體轉接卡的出貨量已超過40,000張，反映了超大規模網路、雲端資料中心、金融服務公司與其他企業對加速應用效能、提升資料中心效率以及降低IT成本的需求攀升。
8 v8 q8 t- f" k
! F& [- X! _8 l8 ~) Z. {Forward Insights公司創辦人暨首席分析師Greg Wong表示：「快閃記憶體方案在資料中心變得越來越普及，而LSI不只成為全美第二大企業級PCIe快閃記憶體轉接卡供應商，更是全球成長最快的PCIe快閃記憶體供應商。LSI在推出Nytro產品線後第一年即達到空前的成功，突顯了LSI在儲存產業的穩固實力。」

LSI Nytro系列產品可降低延遲率，並針對關鍵應用加速效能，如Hadoop®巨量資料分析應用軟體、線上交易處理、虛擬化桌面架構，以及專為高度虛擬化私有雲/企業雲建置設計的無共享架構(Shared Nothing infrastructure)等均可受惠。
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Rackspace Hosting技術長John Engates表示：「將快閃記憶體整合到我們的控制器和其他技術中，可直接協助我們為客戶提供他們想從Rackspace得到的優異效能和具一致性的服務品質。LSI與Rackspace在多項混合雲和開放式運算計畫中都有密切的合作，並從LSI眾多解決方案、包括Nytro產品系列獲益良多。」
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LSI加速解決方案事業部門資深副總裁暨總經理Gary Smerdon表示：「LSI廣泛的PCIe快閃記憶體轉接卡產品陣容，讓我們比其他廠商享有更多優勢，能為客戶解決眾多資料中心負載的挑戰。企業客戶都想盡辦法為應用加速效能，以解決日益嚴重的資料洪流問題，而LSI長期以來穩固、高效能的儲存方案可為客戶提供獨特的價值與優勢。」

7 |# |3 U/ r, b. V- [LSI透過眾多OEM客戶和既有的經銷通路，直接為市場提供解決方案。日前，LSI宣佈與英特爾簽署Nytro OEM合約，在其既有的OEM大廠客戶名單中再添一員。此外， LSI與終端客戶的交易量，包括試產和量產，較上一季成長超過兩倍。

innoing123

LSI® 推出全新SandForce®快閃記憶體儲存處理器 簡化企業行動運算資料安全建置與管理
台北國際電腦展SandForce Driven™SSD產品展示 揭櫫支援TCG Opal規格的產品陣容和全新行動裝省電功能

LSI(NASDAQ: LSI)公司宣佈推出LSI SandForce SF-2200終端裝置快閃儲存處理器 (FSP) ，並加速支援可信賴運算組織(TCG)Opal規格的固態硬碟 (SSD)產品之普及。符合Opal規格的元件有助企業簡化在各種行動運算環境中採用SandForce FSP的自動加密型SSD之建置和管理作業，並可針對由Wave Systems和WinMagic等供應的熱門加密和安全管理產品之互通性。

無論是機密的客戶資訊、專利資料或智財權，資料往往是一家公司最有價值的資產。如果資料遺失、遭竊或意外外洩，企業都會面臨營收損失、法律訴訟和公司聲譽和品牌受損的風險。現今企業的工作團隊越來越機動，在外工作的時間越來越長，因此IT管理者最擔心的是員工儲存在筆記型電腦和Ultrabooks™等行動運算裝置中的企業資料之安全性。多個研究報告指出，10台筆記型電腦中就有一台遭竊，而這種裝置遭竊的比例正穩步攀升。(註1)
  ~" W8 Q& ]$ v. j* C, a2 z
Objective Analysis公司SSD市場分析師Jim Handy表示：「全球的企業都有強烈的理由為筆記型電腦配置加密磁碟來保護機密的資料。同時，也有越來越多IT管理者採用SSD提升企業員工的生產力，或者延長企業筆電的使用壽命。LSI推出支援Opal規格的SandForce SSD控制器可以一次為企業客戶解決這些需求。」

6 a& L1 n& x( r2 H' d! F6 U# Z* Y; i企業基於許多理由採用配備SSD的筆記型電腦，不僅可以更快速開啟應用程式、縮短開機時間，更能延長電池使用時間。然而，由於對資料安全的成本效益，以及建置和管理自我加密型硬碟(SED)的複雜度仍有疑慮，因此也延緩了SSD更廣泛的採用。

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LSI SandForce FSP可針對具備256位元進階加密標準(AES-256)的筆記型電腦和其他企業級行動平台，為儲存在裝置中的SSD之資料進行自動加密。此外，LSI SandForce FSP也支援TCG Opal規格，因而可簡化企業環境中硬體式自動加密型SSD的建置和管理作業，同時也可讓各種規模的企業享有政府等級的資料安全防護。
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支援Opal規格的 LSI SandForce Driven SSD提供以下優點：
        簡化自我加密型SSD解決方案之建置和管理作業
! i- M% o9 g; E, h: V+ q6 h7 m4 N        可與熱門加密工具相互作業
        AES-256自動加密保護
        比軟體加密解決方方案節省高達75%成本(註2)
  g) s% ], z; a7 M5 w        毋須額外花費用和時間處理非加密的硬碟，因而降低整體持有成本 (TCO)
% t! A. D: P; L' S: r        可藉由DuraClass™ 技術提供企業級快閃記憶體性能、可靠度和耐用度

LSI 快閃記憶體元件事業部行銷副總裁Thad Omura表示：「企業對行動運算的需求日益增加，還有資料外洩事件和新系統規格相容性的條件也越來越多，這些都促使各種規模的企業加速強化他們的資料安全。LSI SandForce FSP加入對Opal規格的支援和全新的省電功能，可讓企業更容易建置各種行動運算平台，並能兼顧安全、電池續航力和整體的使用體驗。」

innoing123

LSI將於6月4日至8日舉辦的台北國際電腦展中展示符合Opal規格的SandForce Driven  SSD產品。產品展示中會有DevSleep技術，這是一項專為SF-2200終端裝置FSP設計的全新功能，可讓SSD在閒置時的功耗節省400倍，有效為採用全新Intel® Haswell平台的Ultrabook延長電池使用時間。
, e' D8 R9 K! Q- h
- v5 G' ]# a$ c" X& pDevSleep是因應微軟Windows 8 Connected Standby功能對電池續航力要求的重要技術。支援Connected Standby功能的系統可以在16小時的閒置狀態耗用少於5%的系統功耗。這項功能可讓行動運算裝置如同智慧型手機，在待機狀態時執行內容更新等背景作業，因而達到省電的目的。
# G/ h+ k- f* @! c) ]1 r. p4 G
在台北國際電腦展期間，LSI將於台北君悅酒店1039室設有產品展示。固態硬碟製造商可透過免費的韌體更新取得符合TCG Opal規格的LSI SandForce FSP。DevSleep低功耗技術已導入生產階段，並採用於量產的SandForce SF-2200控控制器產品。

客戶贈言
5 ~6 @/ s! Y2 d- u* w9 iWave Systems執行長Steven Sprague表示：「Wave精於提供簡單、具成本效益和值得信賴的運算解決方案，為企業日益增加的行動工作團隊保護資料的安全。Wave的安全管理方案與支援Opal規格的SandForce Driven SSD的組合，　可有效簡化自我加密型硬碟的部署和管理，更能在行動裝置不幸遺失或遭竊時，可降低因遺失而產生的成本。對於目前市場上可支援Opal 1和Opal 2規格的自我加密型硬碟，Wave提供了獨特的支援方案，而且非常了解LSI推出SandForce Driven SSD後消費者有更多硬碟選擇的好處。」
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WinMagic技術合作夥伙關係副總裁Garry McCracken：「WinMagic的SecureDoc為全球注重資料安全的企業組織提供最頂尖的解決方案，讓客戶擁有集中管理、易於使用的資料加密帶來的優勢。WinMagic是Opal規格的技術夥伴，因此我們在產品的設計、研發和測試階段即與LSI緊密合作，讓我們可以針對市場上許多採用LSI SandForce FSP技術的自我加密型硬碟產品提供更多、更完整的支援。」

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Spansion 擴展串列式快閃記憶體產品群組 新產品系列具有高性能、小區塊和安全性強化的特色

2013年7月25日，台北訊 ─ 業界領先的嵌入式市場快閃記憶體解決方案創新廠商Spansion 公司（紐約證交所代碼：CODE）今天宣佈生產新系列 16 Mb 、32 Mb和 64 Mb Spansion ® FL-1 K 串列式快閃記憶體裝置。此系列的四通道I/O串列式快閃記憶體具有高性能 (108 MHz 時鐘頻率)、 高效率的4K-Byte區塊和增強型的安全系統以支援機上盒、 數位電視、 印表機、 家用網路、 汽車、 智慧電表，平板電腦和下一代電腦的多樣化需求。

; x/ c- k% |. `7 C根據WebFeet 研究機構創辦人暨全球執行長 Alan Neibel 表示：「串列式快閃記憶體是市場成長最快的記憶體之一。全球串列 NOR 快閃記憶體出貨量將從2012 年的13 億 4000 萬美元增長到2015 年的超過 20 億美元。以客戶平台為例，特別是針對中低容量的存儲需求，正轉向採用串列式快閃記憶體解決方案來進行體積微型化和降低腳位數，用以簡化機板設計並從而降低成本。」
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Spansion 產品行銷副總裁Jackson Huang表示：「隨著FL-1 K 家族的推出，Spansion將持續擴大其串列介面(SPI) 的組合，為下一代電子產品提供高性能、小區塊的高效率編碼執行以及更先進的安全性。特別是 FL-1 K 靈活的資料保護和一次性編程設計 (OTP) 功能有助於防止無心的程式設計錯誤和駭客入侵，提高更安全的使用者體驗與更高的系統完整性。」

globe0968

Spansion FL-1 K新產品系列的關鍵事項：
        Spansion FL-1 K 16 Mb、32 Mb、64 Mb 目前樣品生產中，預計Q3 季底量產
, Z) T. j: R' W" |        溫度範圍：工業等級從攝氏- 40度至 +85度，汽車等級從攝氏-40 度到+105度 (耐高溫達125 度的產品  正在計畫中)  
        封裝： 8/16-pin SOIC, 8-land 6x5 USON, 24-ball BGA 6x8
- ^3 Q( V; n7 L2 |: ?$ c        SPI 介面：單、雙和四通道，可在高達 108 MHz 時鐘頻率運行
2 ~2 S) F$ k& K$ Y/ T0 t( ]        統一4 KB區塊設計 可進行高效擦除和程式編碼管理
" t4 G: ^  [! J4 d6 w+ F  k( N        具有三組一次性可程式設計 (OTP) 安全暫存器 （每組 256 位元組）
3 W2 W' G# {6 J& W0 L2 l) b        加強記憶體寫入保護並具有鎖定和 OTP 選項
/ P7 P$ ?) q2 E2 i5 J6 K        支援JESD216 串列快閃記憶體可發現式參數 (SFDP)
6 A% L: O, ~3 |  {! _        Spansion 快閃記憶體檔案系統的軟體驅動程式

整個Spansion FL串列式快閃記憶體產品系列從4 Mb到1 Gb，滿足嵌入式應用的廣泛需求以及輸入輸出（IO）選擇，有單、雙和四通道讀入操作以及雙倍資料速率（DDR）模式，能加倍讀出系統的資料量。該產品系列具有客戶一貫對Spansion所期望的高品質和可靠性，並能夠提供長期的產品支援。

mister_liu

)東京--（美國商業資訊）--東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠（晶圓廠），位於三重縣四日市業務部（Yokkaichi Operations）記憶體工廠內。
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東芝將對Fab 5進行擴充，以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成，設備投資及生產水準將視市場動向而定。

四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體，包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造，其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量，發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後，東芝預計從中長期來看，市場會繼續擴張，並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。

5 @) E& ~7 c+ _0 M1 S( A  B展望未來，東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務，提高競爭力，並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
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& P! a$ U& D$ e8 a, M7 M- n8 h. _Fab 5概況
% u( v  N+ Q* h1 J# A1 X! q  x1 ?0 o大樓結構： 兩層鋼架混凝土結構，大樓共五層
& H: g  j) S4 _5 d( z. \地上建築面積：        約38,000m2
總建築面積： 約187,000m2
4 I: J  J' |* ?! V8 D開工時間：        一期：2010年7月
$ h$ J9 ~  _- B) W. l' Y二期：2013年8月
完工時間：        一期：2011年5月
二期：2014年夏（目標）
$ u* K7 M8 W$ D" R- l1 {& D# N投產時間：        一期：2011年7月
二期：將於稍晚確定；主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型
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8 r3 n  v0 D2 }7 D) e% Z四日市業務部概況
9 O9 \& g6 `/ u' k9 t2 _位置： 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
' d$ H! C& e/ a9 X8 ?3 @成立時間：        1992年1月
總經理：        Tomoharu Watanabe
員工數量：        約5,200名
（截至2013年3月底，東芝的正式員工數量）
場地面積：        約436,800 m2 （包括Fab 5）
總建築面積：        約647,000m2 （包括Fab 5）

mister_liu

瑞薩電子推出全新先進低功率SRAM產品有助於提升製造商系統的可靠性
* m; O9 s2 T2 q% {4 h- B+ U8 D" E擴大先進低功率SRAM系列產品種類以110 nm製程產品達到高軟體錯誤耐受力

7 j  `5 r, m2 P1 r& e5 x8 ?2013年10月8日，台北訊—先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈將推出12款RMLV0416E、RMLV0414E及RMLV0408E系列先進低功率SRAM (Advanced Lower-Power(LP) SRAM)新產品，為瑞薩的旗艦SRAM (靜態隨機存取記憶體)。新款記憶體裝置具有4 Mb密度，並採用電路線寬僅110 nm(奈米)的精密製程技術。

上述即將推出之SRAM為全新系列的先進低功率SRAM，並提供與瑞薩現有採用150 nm製程之SRAM產品相同的高可靠性，包括無軟體錯誤(註1)及無閂鎖(註2)。這些產品可在標準電流2 µA(微安培)、25°C下達到低功率運作，適合用於以電池備份之裝置中的資料儲存。
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瑞薩的低功率SRAM已在多種領域獲得廣泛的採用，包括工業、辦公室、通訊、汽車及消費性產品，該公司此類產品在2012年並擁有全球第一的市佔率(註3)。近來由於製造商系統已達到更高的效能與更先進的功能，SRAM已成為提升整體系統可靠性的重要因素。特別是用於儲存重要資訊如系統程式與帳單資料的SRAM，必須提供高水準的可靠性，因此焦點也特別放在降低因α輻射與宇宙中子輻射造成之軟體錯誤的方法。

mister_liu

在瑞薩的先進低功率SRAM架構中，記憶體單元中的每個記憶體節點(註4)皆附加實體電容器(註5)，因此對於軟體錯誤具有極高的耐受性。在發生軟體錯誤之後，一般的處理方法是在SRAM或製造商系統中納入內部錯誤修正碼(ECC)電路。但是此方法有其限制，在一些情況下，ECC的效能可能無法處理影響多個位元的錯誤。相較之下，先進低功率SRAM採用結構性方法以避免軟體本身發生錯誤。從目前大量生產之150 nm先進LP SRAM的系統軟體錯誤評估結果而言，實際上這些產品稱得上是無軟體錯誤。
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另外，SRAM單元負載電晶體(P通道)為多晶矽TFT (註6)，且堆疊於矽基板上的N通道MOS電晶體頂端。因此，只有N通道電晶體會形成於矽基本之下。如此可確保記憶體區域中不會形成任何寄生閘流體，而且理論上將不可能產生閂鎖。
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* O/ d0 p1 k, L( [) C# I/ p3 j這些功能使先進低功率SRAM所達到的可靠性遠高於採用傳統記憶體單元結構的全CMOS類型(註7)產品。對於非常重視高水準可靠性的應用而言，例如工廠自動化設備、測量裝置、部署於智慧電網的設備以及運輸系統等，先進低功率SRAM將有助於進一步提高這類應用的效能與可靠性。
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此外，先進低功率SRAM結合SRAM多晶矽TFT堆疊技術與堆疊式電容器技術以縮小單元尺寸。例如，110 nm先進低功率SRAM的單元大小相當於採用65 nm製程的全CMOS SRAM。

除上述產品外，瑞薩也將計劃加入8 Mb與64 Mb的110 nm產品以強化其110 nm SRAM產品陣容。