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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
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5 O& e2 V) v+ X C0 [) T東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。2 F, x" h2 q+ c& Z4 s
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四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。
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展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。9 c! u5 W! R+ w( g2 d
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Fab 5概況
4 u. Y; r; t9 D0 V2 [* y ]大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
- ]( F c2 C. x: I7 u+ V: f地上建築面積: 約38,000m2 ; R3 {' f' H/ ~+ R
總建築面積: 約187,000m2
" ~( E/ y+ I% b開工時間: 一期:2010年7月
" V. p9 H' f, P/ g) i二期:2013年8月
4 ]& F% E0 r1 M3 C: L7 l5 C完工時間: 一期:2011年5月
7 x5 W# j( w: }9 ?. Q3 g二期:2014年夏(目標)6 P/ G" o4 Y5 W& V$ o4 a& h( a
投產時間: 一期:2011年7月 % J; C3 R' ]2 m
二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型
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四日市業務部概況 0 p5 M2 a! T, y. e8 B) z2 Z! U
位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture ' x' x8 m* g& ]/ j- @+ h
成立時間: 1992年1月
# }0 ~# y9 n8 E. j9 G總經理: Tomoharu Watanabe
3 u, l# |6 c8 i7 \員工數量: 約5,200名
?. D" T1 f; N3 s% S% Z(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量) ! i6 H5 }- L$ V8 S4 ]
場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5) - L. M& X; D9 `/ [5 |
總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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