時間 | 主題 | 主講人 | 08:30-09:00 | 報到 | 09:00-09:40 | Keynote | Alex Shubat 0 r: X$ g; p4 {1 D# x- p7 {* g
Virage Logic總裁兼總行長 | 09:40-10:20 | Keynote | 莊少特
9 j( C, o/ D J2 a& y台積電資深處長 | 10:20-10:40 | Tea/Break | 10:40-11:20 | Keynote | 徐清祥
j+ r2 c0 y% f) q& @" y' T力旺電子董事長 | 11:20-12:00 | Keynote | Robin Saxby+ y3 r1 z+ C- w+ L/ r
ARM創辦CEO與前董事長(已退休) | 12:00-12:15 | 半導體產業先鋒獎頒獎儀式 (Semiconductor Industry Pioneer Award Ceremony) | 12:15-14:00 | Lunch time & booth demo | 14:00-17:00 | Tracks - 下午3場技術論壇 | Track 1 (永康殿)# @& f7 f7 e5 X8 z( X% y
多功能智慧型產品 | Track 2 (永福殿)
% H% q0 K7 K3 [, b# o* i1 W+ H高速介面IP解決方案 | Track 3 ( 永和殿)) k/ S( Z# q0 `+ \- X/ C) K% j) Z# g
達到28奈米的成功境界 | - 手機產品的HD影像與音效設計
- 手機產品的感應架構
- 手機產品的MEMS感應設備
- 針對多媒體與無線通訊產品所需的下世代混訊IC
| - 高速介面IP解決方案如MIPI與DDR
- 消費性多媒體應用所需的多核心平台
- 網路單晶片(Network on Chip; NOC)到SoC多核心多媒體處理架構
- 下世代4G行動產品SoCs所需的高速IP解決方案
| - 如何讓SoCs達到28奈米一次成功的境界
- 如何在28奈米時代設計類比與混訊IC
- 28奈米時代的氮氧化矽(SiON-gate)與高介電層/金屬閘(High-K/metal-gate)技術比較
- 為28奈米製程設計所需的設計規則檢查(DRC)與可製造性設計(DFM)佈局
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| 17:00-18:00 | 攤位展示 / 現場交流 |
備註:主辦單位保留變更議程順序、內容及相關事項之權利,議程變化恕不另行通知。 |