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樓主: samgu

[問題求助] 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎

  [複製鏈接]
發表於 2013-4-14 14:15:24 | 顯示全部樓層
適當的將source contact to poly距離放大(ex x2) 可以得到比較好的結果
發表於 2013-4-15 09:34:59 | 顯示全部樓層
奈電流量與area相關。若需考量ESD問題,一般ESD Drain contact是Source的4倍以上。
發表於 2013-4-22 14:10:26 | 顯示全部樓層
謝謝各位的分享了,學習了
發表於 2013-6-30 13:46:07 | 顯示全部樓層
回復 5# shmiyi
9 o4 h7 v3 g6 z2 y: y$ N0 v  s0 n4 p9 m$ q7 R
/ A% I1 ]9 X8 o
    這位大大說得滿有道理的~~推
發表於 2014-5-21 19:19:56 | 顯示全部樓層
1.若用MIN的RULE來畫MOS,相同的面積可以得到最大的width--> width 夠大 ESD 應該還好吧
發表於 2014-8-6 16:20:04 | 顯示全部樓層
感謝你們的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
發表於 2014-10-5 22:29:11 | 顯示全部樓層
謝大大們的心得,長知識囉 ^^
發表於 2015-12-30 11:57:18 | 顯示全部樓層
謝謝大大們的說明., R6 d8 s- N& }& b% V) T
& {8 n+ h+ C8 R- d4 f. ^
了解許多
發表於 2016-1-7 22:46:35 | 顯示全部樓層
這應該是designer要提供的吧
* I* T7 L/ D8 C而不是layout決定的
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