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[問題求助] 請問TSMC 90nm DRC ERROR 麻煩了!感謝!

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1#
發表於 2009-9-20 16:20:14 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
由於之前都用CIC的虛擬製程.這是第一次用真的製程所以我完全沒有頭緒.請各位前輩幫幫忙.謝謝" a" b# V/ j5 I
我LAY完一個子電路後跑DRC.但它出現以下幾個錯誤...(幾乎都是同一類錯誤.超多)9 F; \5 v* d) m
1.  DOD.R.1 {@ DOD is a must. DOD CAD layer must be different from OD's.4 B, s' W6 [# r7 D
                   CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DOD }
" k6 K. o. i6 k2. CSR.R.1.NWi {@ NWi is not allowed inside the empty area of chip corner.2 t; Z. M) e' v" U+ H
                   EMPTY_AREA AND NWi }% N9 G  ~7 P/ {, T8 O4 T& A+ D3 F  |
3. DUTM.R.1 {@ DUTM is must. The DUTM CAD layer must be different from the the UTM CAD ! \5 F' y1 ~) d3 l$ n
                     layer.. J0 o5 I2 X, A( X- w5 H
                     CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DUUTM }
9 S9 K+ R: E! Z7 a* l$ r# e2 ~5 Z. A1 A# e' Y
麻煩了!
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2#
發表於 2009-9-21 13:54:35 | 只看該作者
2.是不能在角落的地方放layer
& l% n4 V3 `( r$ d5 s 整體來看應該是 turn on ㄌ full chip check3 J! B* ?$ `, `! x, Z
在 DRC command file 先把它 mark 掉
) ~3 n' _+ O- H- s' h1 u在 whole chip 時再來 RUN 會比較清楚些( Z3 g8 X, g# X0 ~
////#DEFINE FULL_CHIP
2 P7 M2 j2 r( Z8 X8 h) B仔細研究一下 design rule
" K/ ^, J2 w8 d9 p3 ]+ L5 y3 x; V8 a# x應該會有幫助
3#
 樓主| 發表於 2009-9-21 22:29:31 | 只看該作者
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉?# S: a$ a1 V8 ~- {+ R6 g* a, }8 f
還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?
  V" l) y9 j# W, A6 u2 e- ~
  c) Q6 @1 f* F3 ]5 v. v6 N4 b還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width
3 l& Z4 w5 C/ ?& u* B: U) h變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise
; e6 W0 _& W1 \: f9 Y: N也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?$ Q$ Q; \% B9 W9 n0 ?, m3 |/ i
8 j3 X9 g$ A6 M6 ~( e
[ 本帖最後由 henry90176 於 2009-9-21 10:31 PM 編輯 ]
4#
發表於 2009-9-22 14:31:03 | 只看該作者
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉
" j8 _3 g$ r0 ]+ ?就是在這行 //#DEFINE FULL_CHIP
% Q6 o" K4 ^. X8 d  [2 T0 z* L在前面加 2 個 // 那行就被mark 不會被執行 (卡利柏驗證軟體)
& W2 c) ]- w; @, q/ ]) Z( x如果是吸血鬼驗證軟體 就是在前面加一個分號  ;
0 M: O3 {0 ~) Q: |+ a' H: m: l 還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?* b0 i8 i1 e5 _1 n$ k) l8 Q- N; r+ M
是的  有人說  rule file 也有人說  command file
9 A2 E- c7 g& O
. ^7 n' D* m2 U0 V( C  R3 e+ P還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width : # R+ g* \# E2 d
變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise3 x: d, x8 Z5 b1 m) @2 P3 k; N, B8 N
  也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?
8 M" L) Z0 O3 B& K% H# @( d沒瞎密差,也沒瞎密不好 通常是以整體考慮
$ q1 o/ t5 U1 Q; T 例如 整排都是 w=5   只有 一個 w=20  那就是 鶴立雞群ㄌ, s' n  t' \' d+ T
通常會做成 finger 4  統整高度, 這類問題會先和 designer 討論" U& k* [3 f4 e9 f7 j: t
後 做決定 有時電路有其考量  參考參考
: b! w3 H9 O& Y
1 q- H- b' {: k2 V: h. J# _:
5#
 樓主| 發表於 2009-9-22 19:18:00 | 只看該作者
真的很感謝M大!!問題大概解決了!!謝謝~~~!!!!!!!!
6#
發表於 2009-10-20 00:04:44 | 只看該作者
我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~/ Q) C  y: n, F" J, B# y0 A
那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
7#
發表於 2009-10-21 14:48:26 | 只看該作者
原帖由 小包 於 2009-10-20 12:04 AM 發表
% [# _8 @/ H$ v6 n我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~
0 T. ]$ W; P$ `" c3 C. G5 i" L0 O那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
<<<<<沒記錯 virtuoso都是內建的DRACULA
8#
發表於 2009-10-22 22:58:07 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

哈哈哈…所以吸血驗証軟體指的是dracula嗎!!?4 n! k! {7 W8 P+ a
原來我一直在用的就是吸血驗証軟體…
6 m3 g) G- Q2 e8 C; O1 J這個名稱還滿好笑的……
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