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[問題求助] 請問TSMC 90nm DRC ERROR 麻煩了!感謝!

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1#
發表於 2009-9-20 16:20:14 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
由於之前都用CIC的虛擬製程.這是第一次用真的製程所以我完全沒有頭緒.請各位前輩幫幫忙.謝謝
' L1 p; z) B0 r; B我LAY完一個子電路後跑DRC.但它出現以下幾個錯誤...(幾乎都是同一類錯誤.超多)
8 ~6 E4 n$ {4 h8 D: h5 H; H1.  DOD.R.1 {@ DOD is a must. DOD CAD layer must be different from OD's.
. x. a( y( H/ b. i/ N) k0 f4 Q                   CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DOD }
1 x! ?- j' g8 F2 [  {! ~2. CSR.R.1.NWi {@ NWi is not allowed inside the empty area of chip corner.
/ H( J3 J2 M. c, w/ D                   EMPTY_AREA AND NWi }
  F. X0 l% D! z: P3. DUTM.R.1 {@ DUTM is must. The DUTM CAD layer must be different from the the UTM CAD ) b, a. O! A; ^# t7 g! r
                     layer.
: H! a# H* u7 R5 o. V. p                     CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DUUTM }- x: n. u' F3 a# g0 Q

! ?# P( f( D) D6 z: @麻煩了!
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2#
發表於 2009-9-21 13:54:35 | 只看該作者
2.是不能在角落的地方放layer " Q; R7 M9 q! N0 Y3 K& V0 c+ I
整體來看應該是 turn on ㄌ full chip check  ^0 y8 A$ c* M, F
在 DRC command file 先把它 mark 掉 # N3 J: O# E3 u: G1 h+ `+ ~. n: E
在 whole chip 時再來 RUN 會比較清楚些7 g2 l" {1 m& j7 B9 w( M+ n
////#DEFINE FULL_CHIP% s6 r) _" B5 {/ {+ Y* h. t( ~
仔細研究一下 design rule ' {1 t/ n" ]) u4 @9 @" G
應該會有幫助
3#
 樓主| 發表於 2009-9-21 22:29:31 | 只看該作者
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉?
6 i9 r# B! R$ D4 o. L$ a, J7 C, t2 W還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?5 e2 c. ~0 Z1 @

* K# u3 F* L% p還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width
: Y$ w4 Q" U/ ?6 v變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise" ]+ M- e) m+ s
也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?
4 d# G) ?- S/ t9 ^' x- U& z
5 c/ s! L& V  V8 r[ 本帖最後由 henry90176 於 2009-9-21 10:31 PM 編輯 ]
4#
發表於 2009-9-22 14:31:03 | 只看該作者
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉- t" [1 c8 k1 m7 [' {
就是在這行 //#DEFINE FULL_CHIP
3 O$ ?6 C# `2 y* s9 U4 E7 ?在前面加 2 個 // 那行就被mark 不會被執行 (卡利柏驗證軟體)1 U) f( N( A" O3 N8 A# {2 {
如果是吸血鬼驗證軟體 就是在前面加一個分號  ;+ |: `/ E0 `1 s8 a2 \! k
還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?$ c6 k4 s: M9 d. C: ]+ A% X1 H
是的  有人說  rule file 也有人說  command file
+ t8 Y' S$ o3 \3 ~; }: J; |% ~. ?+ s
還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width : 2 r5 P6 s: u8 `% U' g- z0 d$ h% M
變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise9 P  E3 G; }5 ^5 w  j
  也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?. X/ g/ F7 F6 n) y' H
沒瞎密差,也沒瞎密不好 通常是以整體考慮
( l& Q) [2 d5 A. X# @% w 例如 整排都是 w=5   只有 一個 w=20  那就是 鶴立雞群ㄌ
9 F0 M9 U* B# K4 G% W通常會做成 finger 4  統整高度, 這類問題會先和 designer 討論
# }2 {$ N0 u2 R" q" l+ A; k後 做決定 有時電路有其考量  參考參考3 ^: y0 s! Y; E5 C( }
  \) t3 k1 Y' v  `: F
:
5#
 樓主| 發表於 2009-9-22 19:18:00 | 只看該作者
真的很感謝M大!!問題大概解決了!!謝謝~~~!!!!!!!!
6#
發表於 2009-10-20 00:04:44 | 只看該作者
我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~
5 c5 s$ \' Y, Y4 Q那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
7#
發表於 2009-10-21 14:48:26 | 只看該作者
原帖由 小包 於 2009-10-20 12:04 AM 發表
2 g( P% c6 s4 q5 i我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~
( C2 N0 l8 [. ]; F那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
<<<<<沒記錯 virtuoso都是內建的DRACULA
8#
發表於 2009-10-22 22:58:07 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

哈哈哈…所以吸血驗証軟體指的是dracula嗎!!?% ~0 u5 X4 E$ I. D
原來我一直在用的就是吸血驗証軟體…
+ e( E/ h0 g8 S) l$ I這個名稱還滿好笑的……
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