Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 8356|回復: 14
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] esd管衬底接触的疑问

  [複製鏈接]
1#
發表於 2009-10-30 09:47:05 | 顯示全部樓層

回復 8# 的帖子

同意   是Rsub的问题   2 P0 @2 ]6 L5 N+ n1 o5 v9 ^2 O  \
同种工艺中左侧Rsub大于右侧     
" X/ s( Q2 Y: n" w, p之所以不建议采用右侧结构是因为左侧结构中Rsub的差异会增多寄生结构开启机会
1 N, u" n5 X9 J. V即当寄生npn结构只有一个或少部分开启时  较大的Rsub会使后面的结构也有机会启动6 v" m; B4 E8 k( [# _- k  J
不同工艺直接的差异还是有的   比如hhnec的就不允许做右侧结构6 @/ a! Z2 H( L
而tsmc等工艺中就无所谓   两种都很好
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-7 01:05 PM , Processed in 0.100005 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表