esd管衬底接触的疑问

linger809

我想是因為它要確定有大 Rsub,方便這個MOS snap back 從而discharge ESD....
. m, G' }7 u4 }如果Rsub太少,這個MOS 便需要 ...
5 j' M' Q- \1 c! J/ h/ k' Iritafung 發表於 2009-9-21 03:37 PM

' v' o. s; C4 o; j) I; d1 E
比较赞同该说法,右边的Rsub会很小,雪崩击穿后需要很大的电流才能让npn的base级开启,如果Rsub大的话很小的电流即可开启npn,右边匹配没有左边的好,同样多的finger右边会比左边长很多,
有可能由于匹配不好,有的finger已经进去snapback了,有的finger还没有开启,导致局部电流过大将IC烧毁,不过如果用左边的方式,最好还是要有ESD implant,这样才能更好的保证finger同时导通,
要不然也是有局部导通烧毁IC的可能性.