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[技術求供] 百萬元重金懸賞技術開發難題:「鈦鎳銀多層金屬電極研發」...

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1#
發表於 2009-8-21 12:21:34 | 顯示全部樓層
技術難題:接觸式圖像感測器的測試和評價系統) ?, }2 d: o* ]& d! q" P3 E
" d1 r  \2 \' N4 S- h) ^8 q
* d; \7 t7 M* n3 D$ [
難題情況說明:該系統的功能是對接觸式圖像感測器進行性能測試呵評價。
+ U/ X" d' [2 c& {9 i# g5 @1 v, ^' F0 |* _( ]9 i! _2 J$ I( P

: z( y. `. h5 V( P; `4 j1. 對接觸式圖像感測器的明輸出、暗輸出、偏差、線性、MTF等性能進行測量。測試系統要方便進行多機種切換,如掃描速度、多路光源的控制、光源電壓的設置、光源電流的設置、光源點亮時間的控制、掃描密度的控制、掃描幅度、變更多段輸出頻道數、採樣點位置等,都可以方便地進行切換
' m7 i$ R5 m' }; V) l$ e
/ w; e0 Q2 D8 l
, e. Z* C) t8 T1 K7 u# u/ _
2.利用接觸式圖像感測器,採集圖像,對圖像品質進行評估,需要能進行掃描條件的各種設置,如:掃描速度,採樣點位置,光源電流及點亮時間等。8 i! o& u" @! Z7 b* r( l, O

1 m( A; c7 y0 m- T& d8 F

6 w7 Z1 i3 A: t2 t預期目標:半年時間內,完成可實際使用的系統;導入相關技術。
1 |/ m9 }7 t" [4 Q現有基礎:本公司具備研製生產各種規格接觸式圖像感測器的,處於行業中比較領先的技術水準。隨著新產品的不斷增加,對測試評價系統,要不斷更新。
) ]- ]$ l+ w$ F6 q! C1 {! j, V合作方式:委託研發 技術轉讓(購買); N% a5 Z! f3 ~& c6 X* Z

; v# V8 J( s7 O& ?+ W* }$ j5 u9 t* h1 H
2#
發表於 2009-8-21 12:22:16 | 顯示全部樓層
難題名稱:大截面分割導體導體直流電阻測量方式7 f6 [/ L1 \( l! C2 _# k7 P* B
3 [0 e" m2 D  ~
" ]2 O2 n4 P/ h8 p" g# G' D
難題情況說明:大截面分割導體由於兩個分割導股股塊之間有接觸電阻,通常的電橋法測量其直流電阻往往出現測量不準確的現象。
$ |9 G7 Z  e# K$ Y  _預期目標:使用除電橋法之外的測量分割導體直流電阻方法, g: x" L+ O' ?0 r3 N

& V8 F) B, ~2 {. X

. q: `6 }. S1 n現有基礎:現有測量導體電阻的電橋  I8 Q  l' p* l# g
合作方式:共同研究開發
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發表於 2009-8-21 13:51:46 | 顯示全部樓層
難題名稱:高精度、高穩定性半導體溫度感測器設計, W- M4 N+ Z3 ]$ R  c: y

2 ^3 h% a/ \- O/ `& f  y1 W
' q* c: g" g% p' x2 w
難題情況說明:溫度感測器作為工業測控領域內的常規感測器應用十分廣泛,溫度感測器的測量原理多種多樣,但是高精度溫度測量多採用熱電偶或熱電阻方式實現,成本相對較高。公司基於16位 Σ-Δ ADC 和半導體溫敏特性原理提出一種精度較高的溫度感測器晶片實現方式,溫度測量精度可以達到0.1a-0.2℃,成本較低。如果晶片應用在熱量表、民用產品或工業測量領域前景將是十分廣闊。( O0 T: _# O( v( |3 `$ ?( q
; C' L% g: E  T: c1 O, f
# J  r% G- ?* r, M  ?
預期目標:測量範圍:0-105℃,測量精度:0.1℃;溫度解析度:0.1℃;溫漂:20PPm/℃;回應時間:0.5秒;功耗:<40uW- d0 n3 B! E( _2 |* A3 `0 U" \8 L

" v1 t* r8 H# l& ~/ T9 G9 O

8 D0 l, \  S& S9 c3 Y- f0 M- x5 |現有基礎:公司本身抽調最強大的技術力量到力創贏芯工作,投入博士生1人,碩士生3人,本科生6人,外聘積體電路設計專家5人,組成專門的研發團隊。研發實驗室可容納30人同時進行研發。搭建起了研發技術平臺,共安裝伺服器3台,工作站20套,並配置軟體資源、實驗資源、網路安全等,提供了完備的研發和設計的網路式平臺。Sigma-Delta ADC研發已經全面展開,ADC數學模型,採樣通道數位濾波器模型。
4#
發表於 2009-8-27 12:11:40 | 顯示全部樓層
技術難題:LED外延技術4 ?: S- T6 g& ^6 o
( T! A  j# d% C
需求技術的具體要求:行星式GaNMOCVD及其藍綠光LED外延生長技術,包括設備、外延工藝及外轉工藝配套技術。5 C, a8 y( k( W! I+ O# g
, u% }# d- d& k  ]* s; {" l% |
擬投入資金:面談
: ~% U( _, r/ m4 b, b, u& ?" j合作方式:企業購買
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