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中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電

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發表於 2009-7-2 13:39:33 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響# l# `6 ^* @% {1 d# Z: N
---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性  u( Z7 y1 k+ B* o
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一、前言$ Y1 `1 }) i+ X: }0 Z0 B
二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體4 t/ ~: O9 R1 Q4 o- x8 @+ f3 p
三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理& s2 _: ^( t/ g6 M3 z
四、實驗結果與分析推論' |$ y6 o8 p0 k
五、結論( V. X* t+ I- J8 i
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發表於 2015-5-10 15:41:52 | 顯示全部樓層
為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限
發表於 2018-11-28 16:16:09 | 顯示全部樓層
感謝樓主用心的分享使我們得以成長!3 u" H2 b) z6 Q

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發表於 2019-1-26 20:56:41 | 顯示全部樓層
謝謝大大分享,最近正好需要相關資料
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發表於 2019-3-13 19:04:46 | 顯示全部樓層
感謝樓主用心的分享,您使我們得以成長!~
發表於 2021-6-7 10:28:59 | 顯示全部樓層
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謝謝大大分享,( ?' x1 C! V$ {3 g; `
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深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響3 j- y- ~7 y4 d! o* @% T0 c2 r: B4 g

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發表於 2022-11-24 00:28:21 | 顯示全部樓層
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