請問 ESD為何需要量I-V curve

dylan8

一般ESD會先量測試路徑未受ESD stress前的I-V curve
  t' B  S- x* f/ k與受ESD stress後的I-V curve做是否SHIFT 30％來判斷是否FAIL
就MOS來說 常見到的是接面崩潰的曲線
6 J% }" p" |0 X受ESD stress後 曲線會向Y軸中心飄移
超過30％及判定失效

dylan8

封裝後的IV curve
sorry 我不會貼圖..
% R; B- e6 w6 f# g' f# ]- B) I再簡單的說即
測試前後curve
/ {2 ^+ l4 d9 `/ o: O& Ushift 超過30％便判定失效