請問 ESD為何需要量I-V curve

HanGu

在做 I-V curve trace 時，會把 power 和 ground 接到地，然後在測試 pin 上施加正負電壓。
9 U4 ], i  M/ h/ ]如果你的 esd protection 為對 power GGPMOS 和對 ground GGNMOS 的架構。就會看到電壓向正方向和向負方向
. F+ m1 R+ z& A: S+ d! |1 ^電流分別是兩個forward的diode特性。如果是對 ground GGNMOS 的架構，電壓正方向，電流表現出 diode reverse
5 G% r" G( q+ |" a2 i% Mbias 的特性。通過比較 esd zapping 前後 pin 的 I-V curve 就可以判斷出pin是否在此 esd
電壓下 fail or pass.