討論基本電流鏡的佈局方式

hoodlum

C方式在萃取RC時,共用S D的部份
* K0 L; X, O& t; w% j4 E它會除二,平均分給兩顆各一半一半
且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小
3 \: ^( G* `/ @" S( o,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在
做速度較快的電路時,差異更明顯,
9 a& H# @/ Y9 M# J5 j. e2 ?- f& @0 |E方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生
電容的萃取,都是單獨計算,會比較大
所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同
9 T# X- H$ @! n+ m2 o" Y1 c, X( W而變慢,
7 }; H/ O8 ]- y4 Q- Y# q所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
, V4 M& A- @( E) [0 Lmatch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該
比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是
  t- e# \) s6 k, n$ V' B' A; k問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確