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[問題求助] GGNMOS 與 GCNMOS做ESD

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發表於 2009-5-7 16:53:13 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
請問各位:   GGNMOS 與 GCNMOS做ESD protect,哪一個比較好呢??又各有何優缺點??
發表於 2009-5-8 12:26:02 | 顯示全部樓層
现在“GCNMOS做ESD protect”用的比较多,但是GGNMOS比较简单,普通过2KV的也可以!
發表於 2009-5-14 08:58:10 | 顯示全部樓層

lower trigger voltage

GCNMOS has lower trigger voltage than GGNMOS. That means GCNMOS can protect internal core more.
發表於 2009-6-24 13:45:13 | 顯示全部樓層

Which the kind of GCNMOS is better?

GCNMOS其實可以細分成兩種,& Q7 X8 [  L" Z8 R) Q1 @
一種是有實際的電容在NMOS gate端;& H' M( ~7 q  \+ I
另一種為使用寄生的電容, 故只會有實際的電阻在NMOS gate端,$ G8 d2 r/ Q8 ?4 a
請問那一種比較好?
發表於 2009-7-7 00:35:50 | 顯示全部樓層
應是實際電容較好...可直接評估保護元件開啟時間3 ?- B! Q4 l3 }+ _+ h9 l9 G& J' r  z
寄生電容不易判斷大小
發表於 2009-7-10 12:19:36 | 顯示全部樓層
其实GGNMOS的耦合Cap也足够了,一般应用也可以了!耦合Cap的值不需要很精确!
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