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[問題求助] SRAM and RF SRAM, 1port, 2port?

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發表於 2009-4-28 22:58:25 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
請問各位前輩.
) D8 {' A( b2 _- m9 ^9 ^# ^/ TSRAM好像有分1 port, 2 port, dual port這3種
( M6 b  m2 ~, T" p: n( ^% f$ Y然後又有所謂的register file SRAM,也有1port, 2port.
& c, k1 M" Z% E9 o* a1 J' {; E% F$ T/ b
請問這些的差別是什麼阿? 應用上又有什麼不一樣呢?
( U+ Y, ~; _/ ~
: [+ `9 `5 O+ c) y8 j( r' A對這些實在是覺得很混亂,有人可以幫忙解說一下嗎?謝謝~
發表於 2009-6-7 11:03:36 | 顯示全部樓層
首先,定義這個名詞的其實是製作這個SRAM的設計公司。7 e; `; c2 D, V' ]
我碰過的例子,也許是大部分的例子。
& f5 I9 n& n1 _1 L6 oone-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀、1寫。
0 }1 H" G4 |# H# Z/ ddual-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]
1 ], f' l& z5 Z4 xtwo-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]' h& M% v; [0 f5 ~8 a
1 r5 N- A6 s1 O$ A; f7 W
SARAM跟Register-file的差距在於密度問題,當然電路的長相也不同[換句話說 面積跟消耗功率也是不同]
& i$ X3 r" f! J, }3 l5 d9 f) i' E普通情況而言,SRAM的密度比較大,同樣面積底下可以塞多一點資料,但是他的address line的最低要求要比較大
, ?. J) }# _4 W, p0 K/ |可能address line一定要8個bits左右,但是使用者未必會使用到這麼多entries。
6 j, p$ a6 e) F* r1 {+ v2 z& a7 |& D6 P4 {% J
Register-file則是可以擁有比較小的entries,但是他最大能容納的entries數量應該遠不如SRAM...

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發表於 2009-9-22 11:48:44 | 顯示全部樓層
你寫的 dual-port 和 two-port  反過來嚕; y3 r/ E7 v3 n
我用Faraday Memaker 產生
% o( j# ?' e0 C8 O) |9 V7 B, A2 X( L6 X0 r, \$ {  x
two-port 是在1個clock cycle之內支援:1讀0寫、0讀1寫、1讀1寫。[他的I/O data各有1條,address 2條]9 r+ X. S$ N$ b: X! {
dual-port 是在1個clock cycle之內支援:2讀0寫、0讀2寫、1讀1寫。[他的I/O data各有2條,address 2條]
8 r* a% R, @4 H# x% W  B* [2 {' p0 G% c$ z, a2 c
有錯請指正~
發表於 2009-10-12 11:51:18 | 顯示全部樓層

回復 1# 的帖子

dual port sram 一般基于8管SRAM结构,读出靠的是sense Amplifier,需要复杂的写入和读出逻辑,面积很大,而且都是硬IP,用到的metal层多,一般要block 3层metal。所以,APR的时候一般是放在芯片的外围。优点是:规模可以做大,一般是大于16Kb,规模阵列,可以shink最小drc rule面积利用率高。
* j+ u8 G6 i1 n1 ]8 s- M& \register file一般是基于latch结构的存储单元,用户可以根据需要自动综合width和depth。规模不能大,<1kb,优点是读写控制用standard cell做,可以APR,因此可以merge到整个设计中,共用走线通道,可以放在core中。
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