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仿真 ram 的时候遇到的,
9 g7 C" w: B8 M4 I6 v9 I( B) i先把ram的mos管的w,l都shrink到原来的0.85倍,加上激励,仿真的时候读出的数据是正确的(跟设置的状态是一样的)
3 i, c% }9 I* p+ I此时的hsimspeed设置 整体为8,ram部分为3,hsimvdd=1.8 数字部分的电压也是1.8v
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! b0 [* U/ X: l, N3 d5 b6 o+ i8 M然后又把ram的周边控制数字电路也shrink,这时候仿真的时候,在原来没有毛刺的地方出现了几个毛刺' l2 J% x. k; ~& O5 [ ^
设置跟刚才是一样的2 b# O* u' E7 Q9 V2 |" l4 F
( S1 t, \( c- C% G& b一开始觉得是设置的问题,于是把hsimspeed的的值设为6,ram部分仍然为3 y) V+ ?) _' y2 S
仿真完的数据仍在错误的位置有毛刺,但是毛刺的位置变了。。
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, ?( e8 |( t: s) P我觉得这样反复的修改参数挺浪费时间的,每次把speed降低,都会多花很长时间,要24h,甚至更长,有没有什么好的办法debug?" w# k* z& V+ T; D: Z
' ]7 v9 Z( b" R" S) f4 R- h8 Y/ Q8 W1 t D
这有可能是什么引起的呢?% y" v% M# s4 F- d# G! Q5 ?$ C# q5 G
谢谢各位大大,欢迎指导。 |
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