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[問題求助] Burn-in相關問題討論

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1#
發表於 2008-1-18 17:59:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
現今的產品所使用的Clock都非常的快, 像Logic, DDR, DDRII, DDRIII, Flash.....等產品, 為何在做Burn-in Test 時, clock卻只使用10MHz, 而不是實際的工作時脈, 不知是否有人可以解釋, 謝謝~~
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2#
發表於 2008-1-18 23:02:09 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

在這邊說說我的看法
  l3 b6 \! X5 a3 E& X7 a% m一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時
! n' ]( |# J+ |7 h, z) u+ m# o找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試5 A# f6 j0 q7 Z! s8 I- [
但實質上 IC壽命可能小於半年.  這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上
, Y0 w: ^) m% a: A+ n8 |# A# q肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.! P; ]! x4 c9 D7 s

) \! N  P& u- P; O一批IC中 不良品, 良品與 一般品  通常呈現出一個高斯分佈的情況
4 i6 ~! y  L5 U3 A5 y+ m但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品/ o- ]' b- T' f  ~
再把良品出貨給客戶,  因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓
0 f9 {7 ]; K- Y8 N3 y& h去操作IC   讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受
. N. ~) q, i9 ^& H% {% C/ p很高的跨壓,  也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC  幾小時某種程度上. q/ _# }8 [1 l' K( Q( ?- I+ q
就等效於  使用IC在正常電壓工作個一兩個星期
" y- ~& d& b/ E0 R" S6 D' h所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間
2 h1 b0 M8 l% A& N1 b, g讓你很快的 篩選出不良品  再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability4 G# }; j( S& i3 I/ B) m0 d

; C9 i9 K, ^! Y& B最後要回答的是  雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命3 L+ G4 R/ @' G3 O9 r. l
不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式
5 z: a: q0 L1 W* ~# S& Q! R: F但是實務上  Burn-in 電路  通常設計者不會要求電路要跑到高速
7 J5 v# k; z. u畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事
: H+ S1 N, F1 L. @8 @( r, r+ a* O只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.
) M- H3 g7 }' ?* a+ ^; W% N* E8 J何苦連  Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己
7 _: {% \( I  {: @: [所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.
9 i; T  Z8 T: ^" V7 k. e/ q) z& h& a) u% I4 H7 a% z1 U
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2008-1-21 11:30:59 | 只看該作者
謝謝你的寶貴意見, 讓我有基本的概念了, 謝謝~~
4#
發表於 2008-1-31 23:00:04 | 只看該作者
此問題讓我回想到十幾年前曾經做過Burn-in的設備工程師的日子,真是好遙遠
5#
發表於 2008-1-31 23:06:38 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

一開始選工作就要慎選
# R9 o+ H2 ], t9 r8 f4 ]從後段到前段難  從前段到後段易
) y% T& s+ Z7 x+ R  F$ L, ^如果先做測試或設備工程師% u7 S! r" J0 Y5 C- ?$ U9 \% z
很可能就會像以前我大學老師說的一樣
& V8 P- Y  t" |+ b8 @( n一日 testing ,  終身testing
6#
發表於 2008-2-13 17:02:44 | 只看該作者

burn in

there are several kinds of burn in method for IC .
. g; n: c8 z! ?' n: aPCT and HCT and several combinations to test the DUT (device under test): R: Q6 H+ J# c) I4 Y/ T1 T3 x
The reason is the failure rate curve of  "bath tub" : |8 t' K8 @+ a
So we do this to 'stress" the semiconductor to push to the failure condition that cause by
2 O9 s: `+ p* Q2 X0 b1 H, nsemiconductor degradation.! g: ^5 ^& J6 I4 p
I did this 16 years ago and I analyzed them to see the defect or failure mode.1 m) K' o; M' k* H' a1 k
The operation is only to ensure IC is working but most condition is cook IC wiithout active current in it.! H& k) f. c" y! g
Oh! those yang days!!
7#
發表於 2008-2-13 17:07:16 | 只看該作者

Hi I was testing

cannot totally agree with your teacher's word.& E1 U3 `. d- I, v8 K
I was test Eng but I experience lots  TECH jobs including R&D .5 l1 n2 [! r4 }/ @/ }
5 ]3 L9 Y. R6 C# @4 \
I believe the only true way is :one day I'm EE the rest ofmy life I should be EE.
% z" O, a3 f5 `/ J  v  J( u3 r
0 M4 D2 G" O0 K+ y7 A8 b' w: UEE includes all the hardware software RF power,embedded tech,.....etc.
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! U/ T$ j' T0 A$ q  ADo you think so?
8#
發表於 2010-5-23 10:55:37 | 只看該作者
I agree your point of view.0 H3 i. @( D. }* C! u
When we test some products, we should realize their specifications.  `0 ^8 {6 g6 d/ T, C& n
If we can't learn something from testing, we can only be a operator.
9#
發表於 2010-5-27 12:07:28 | 只看該作者
補充一點, burn-in system 為求降低單位生產成本, 一般就是提高單爐產能 (一次送進burn-in的IC數量), 這使得單一burn-in board上必須配置大量待測IC, 同時也會讓單一數位通道要驅動多顆IC (8~64顆不等), 加上超長的佈線與所有socket pin的寄生電容, 等效電路就是要推超大電容 (nF~uF級), 為防止電路上各級DUT短路影響其他待測IC, 通常還會串上K級電阻, 最後從driver看出去就是並了一大串low pass filter, 所以10~20MHz就算很厲害了.
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