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在這邊說說我的看法
l3 b6 \! X5 a3 E& X7 a% m一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時
! n' ]( |# J+ |7 h, z) u+ m# o找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試5 A# f6 j0 q7 Z! s8 I- [
但實質上 IC壽命可能小於半年. 這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上
, Y0 w: ^) m% a: A+ n8 |# A# q肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.! P; ]! x4 c9 D7 s
) \! N P& u- P; O一批IC中 不良品, 良品與 一般品 通常呈現出一個高斯分佈的情況
4 i6 ~! y L5 U3 A5 y+ m但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品/ o- ]' b- T' f ~
再把良品出貨給客戶, 因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓
0 f9 {7 ]; K- Y8 N3 y& h去操作IC 讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受
. N. ~) q, i9 ^& H% {% C/ p很高的跨壓, 也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC 幾小時某種程度上. q/ _# }8 [1 l' K( Q( ?- I+ q
就等效於 使用IC在正常電壓工作個一兩個星期
" y- ~& d& b/ E0 R" S6 D' h所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間
2 h1 b0 M8 l% A& N1 b, g讓你很快的 篩選出不良品 再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability4 G# }; j( S& i3 I/ B) m0 d
; C9 i9 K, ^! Y& B最後要回答的是 雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命3 L+ G4 R/ @' G3 O9 r. l
不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式
5 z: a: q0 L1 W* ~# S& Q! R: F但是實務上 Burn-in 電路 通常設計者不會要求電路要跑到高速
7 J5 v# k; z. u畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事
: H+ S1 N, F1 L. @8 @( r, r+ a* O只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.
) M- H3 g7 }' ?* a+ ^; W% N* E8 J何苦連 Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己
7 _: {% \( I {: @: [所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.
9 i; T Z8 T: ^" V7 k. e/ q) z& h& a) u% I4 H7 a% z1 U
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ] |
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