Fujitsu Develops World's First 64KByte High-Capacity FRAM RFID Tag

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富士通半導體推出9 KB FRAM新型高頻RFID標籤晶片 配備大容量記憶體和串列介面全新晶片擴大RFID標籤應用潛力


2012年7月31日，台北—香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈推出新款FerVID 系列RFID標籤晶片MB89R112。新款高頻RFID標籤晶片，配備9 KB的FRAM記憶體。FerVID系列產品採用FRAM，寫入速度快，具備高頻可覆寫功能、耐輻射和低功耗等特色。富士通將於2012年8月開始提供樣品。
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MB89R112在高頻RFID標籤領域擁有領先業界的記憶體容量，以及串列介面SPI，為RFID在嵌入式與工業領域的應用開闢了全新的可能性。

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自2004年以來，富士通半導體針對高性能RFID標籤，開發出可支援兩個頻段的FerVID系列FRAM產品，可在高頻段(13.56 MHz)和超高頻段(860 ~ 960 MHz)運作。至今，這項產品的應用層面愈趨廣泛，其中FRAM的快速寫入速度和大容量記憶體空間特色，適用於工廠自動化和維護資料的資料媒介晶片；用於醫療和製藥領域的晶片則可承受伽瑪輻射和電子束；而配備串列介面的晶片在嵌入式應用領域也獲得廣泛的關注。

    除了這些用途外，市場上也衍生許多全新需求，例如：產品需備有大容量記憶體，並能將RFID連接至感測器及微控制器，進而用無線傳輸方式改變產品的運作參數，或者在市場流通時透過無線方式獲取環境相關的記錄資訊。這些功能將有利於汽車和電子製造業的生產控制，以及飛機、道路、建築和公共工程的維護應用。
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富士通半導體針對此一需求開了RFID標籤晶片－MB89R112，其中包含一個SPI和9 KB容量的儲存空間，成為高頻段大容量RFID標籤晶片的代表性產品，其他廠商在高頻段應用的大容量產品無法比擬。MB89R112是針對近場被動RFID設計，符合業界標準ISO/IEC 15693。
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MB89R112 加入FerVID系列意味著該產品線將涵蓋容量為256 B ~9 KB的高頻頻段晶片和容量為4 KB ~ 64 KB的超高頻頻段晶片。此外，針對嵌入式應用開發並搭載串列介面的晶片，其產品線也將擴充至4 KB超高頻頻段晶片和9 KB高頻段晶片。連同其他微控制器的產品線，富士通半導體將能滿足客戶的各種需求。

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/ m$ q& F8 q& h9 Q9 N! l1 c) SMB39C326產品特色：
' c! |$ s1 L6 _5 S: |9 E1.領先業界的高頻RFID記憶體容量
這款產品包括9 KB的FRAM，這是ISO/IEC15693定義的在高頻段運作RFID晶片中可支援最大容量的產品。9 KB中的8 KB可用於使用者記憶體，配置為256塊，每塊32B，這可對ISO/IEC 15693定義的整個8 KB區域進行讀寫。寫入8 KB資料的時間大約4秒，這比使用E2PROM的產品快六倍。RFID標籤上提供更多的資料，使用者可以從製造、物流到使用與棄置等產品生命週期中進行有效的追蹤管理；現場的資料記錄儀，也可用於記錄設備維護。

2.適合嵌入式應用的SPI
1 o9 U) x) a1 L+ y+ G# ^這款產品包括一個連接到微控制器的SPI。微控制器可以透過SPI介面讀取FRAM上8 KB的使用者資料，而共用的記憶體區域可用作資料記錄器，也可用作改變微控制器運作參數的參數區域。例如，該產品可用來記錄物流的環境讀數，檢測設備錯誤，改變電子顯示、感測器閾值與韌體設定，並達到許多過去無法觸及的新穎和創新的用途。