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[問題求助] IC ESD 相關問題請教

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1#
發表於 2007-11-27 16:35:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
1. 聽說即使是 foundry 或 IP 公司提供的 IO library 也可能偷 rule 是不是?反正只要驗證 OK,先以縮小面積為考量,是這樣嗎?  w1 \; s0 b3 M9 x7 u5 i

- w. M+ u! ]/ P! G2 Z2. 假設發生 ESD 問題了,找到亮點了,傷到內部電路,也層層剝下去觀察,知道 damage 在哪個 device 了,如果它是 design issue,接下來該採取什麼樣的求證步驟和方法來找出是哪裡的 design 有問題呢?尤其是 ESD 都已經 follow ESD rule 的情況下,有什麼大方向可先行檢查一遍嗎? (附記 : 0.18um, mixed-signal IC)
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2#
發表於 2007-12-10 14:13:31 | 只看該作者
1. Foundry 的 ESD rule 通常都很大!!  所以使用者常會去偷 rule。IO library 通常都是過他們所說的耐ESD範圍,這部分應該必較沒有問題!!若有存疑可以請 Foundry or IP House 提供相關的資料,就可以知道其耐受度。
; c8 T3 [1 A! }* m( E2. 亮點只是結果。這些可能要靠專業的判斷比較可以得知。大部分的都是猜測。沒有看到實際的 layout 和相關的位置是很難判斷的。

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參與人數 1 +5 收起 理由
cuban487 + 5 Good answer!

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3#
發表於 2007-12-10 21:30:36 | 只看該作者
根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?
4#
發表於 2008-7-25 16:35:48 | 只看該作者
Foundry 的 ESD rule 通常都大,$ i- y7 N, w" T6 Q
design by yourself is better
5#
發表於 2008-9-8 23:04:21 | 只看該作者
IC 裡頭有不同的 Gnd Pad 嗎?. K  {8 N; N, w+ Y
如果有的話,Gnd Pad 之間有沒有用 diode 串接?
5 W# y6 a, a/ d是否有思考過每一種ESD測試組合都有相對應的元件保護?$ O, G5 ^2 q5 q' j$ n
如果都沒有,死在裡面也不是什麼很奇怪的事。; e# F8 O+ G7 n- r

' k9 {  j) w. d9 v- D( S不過,如果是死在 Foundry 給的 IP上面 (不是IO喔),3 `: m' \* k+ I) U" }
可以把問題丟給他們,確認是Foundry的話,甚至可以談賠償,
" e5 G0 [  P+ l# n" I不過,通常那種大的 Foundry 都不會理你就是了。
6#
發表於 2008-9-24 23:37:55 | 只看該作者
原帖由 ritafung 於 2007-12-10 09:30 PM 發表 ; h. Z0 Z! M, o$ @1 x8 r% h
根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?

( O  i7 V- Q" Q: f. Q
/ b- Z* ^$ _9 R- A. K1 U# D4 I0 D5 K1 \" k: {, {
請問何謂poor metal routing呢? 可否麻煩大大解說一下?
7#
發表於 2008-9-24 23:42:18 | 只看該作者
我也覺得常遇到的case都是死在內部電路3 a7 B: v3 j& \
想請問各位前輩, 若我找到damage的device, 假設是死在core的gate好了,那4 |1 Q2 \" y8 M( I" j0 |
我可以直接在那個gate前面加一個放電path嗎?, 譬如一個diode.
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