有關於hi V製程

sw5722

關於guard ring,應該是防latch up跟抗雜訊都有,我聽過2個designer說法
1 p# }: l6 @3 v# n/ T一個的說法是,由於mos在動作時會有一些電子電洞之類的東西,游離出來
,包guard ring的目的,就是以相反的型態去吸收那些電子電洞,
3 h6 P. S- y! y* p一個說法是mos跟guard ring的架構,會形成一些pn介面,變成類似diode或
5 X! H+ V( D* ~  ybjt的元件,不過它的等效電路圖,我不太會畫.
以上是2個designer的說法,如果有誤,還請先進指教.