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其實以新人來說 Q9 I+ B# [+ @6 ^! s
回答這類問題並不用太傷腦筋, e3 y' {: |/ f5 k( k/ E. i& _3 U
主管是要看你了解這東西的程度
" ?2 R" p0 q1 h: m+ M0 D) q提供個答案供大家參考4 t2 V7 t* }2 ~* A; h
ESD 是靜電放電沒錯2 T4 o+ _0 I2 w' z, d) e
不過可以提一下它有哪幾種發生的機制* f( A& N; o% }( z7 W
ESD 共有三種機制需要測試
2 _1 Q7 n# o1 y$ J分別為HBM(Human Body Mode)..MM(Machine Mode)...CDM(Charged Device Mode): ]+ k5 {. @$ u8 v- \5 G$ C" H0 Z
預防對策則為...
1 T% \" V1 A. p8 D% ]power & ground pin 使用 power clamping
9 y2 }, Z& U; L9 r. D2 HI/O pin 做 ESD protect device
U# ~0 m! W1 n* f* z' Ainternorl circuit 有接到pad path 的mos....drain端做ESD rule放大 N- y# Y( u# c& s
, Z! U% L; Y4 D" u( W0 b7 U
Latch-up 可以用簡單的話來解釋7 B: W/ F/ [; _
power & ground path 寄生BJT形成SCR電路
W9 ]- N2 H/ M. x ~7 C/ y經由電源擾動....產生大電流的拴鎖現象, K x% N' ^; u0 V" g3 ]0 j7 I* l
造成pwer與ground的虛短路(可以畫一下寄生BJTs形成SCR的電路模型): l0 T2 b! T5 k6 G" h
ESD討論版有篇關於latch-up的文章( F/ }! r8 x! k8 l" q
可以view一下剖面圖跟等效電路圖( X' j3 i# s5 g& s
由剖面圖跟等效電路圖就能推敲出' g9 [% ~/ \9 |) f2 B: G2 n6 A+ S
latch-up該怎預防1 W9 W8 {1 f* O$ k$ S% i
1.盡可能補上well-contact以及subtract-contact
% k N. O' l" D& e) @( {) @ 其用意是為了降低Rw跟Rs的阻抗.
: X0 z9 h3 e' A& f2.靠近PAD區域的circuit,pmos與nmos之間的距離拉開+ q! F* y1 k& B
並且保持gurdring的完整.4 d. M, `% g. _+ v
(p,nmos拉開由剖面圖可看出Q1base跟Q2 collector之間的阻抗會增加 )
$ g6 H) g7 Y/ E' k/ _( ]
$ S. Y- _3 z8 ]若有解釋錯誤或是哪不夠詳細的
" a. ~' s! S/ V( i+ [" Z. L歡迎大家一起討論 ^^
+ p9 V! g6 K; K) E& R6 A% o7 T# H9 z9 m+ F% \
PS: latch-up比較常發生在pad週遭....內部電路比較少發生: I! ?" b& a# n! ~) R, t9 ?
個人是認為...ESD發生時也有可能引起latch-up5 E4 ]* X: k: l. ]1 Q P; ^
不知大夥的見解為何?! |
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