|
推薦
樓主 |
發表於 2007-10-27 03:19:11
|
只看該作者
其實以新人來說
- P2 c- z: B- @( R回答這類問題並不用太傷腦筋
( O; z6 B9 F8 z主管是要看你了解這東西的程度
( {# }* D+ K" s8 k9 @提供個答案供大家參考
6 h# i' F7 Z' S0 l8 D& y7 }* ]ESD 是靜電放電沒錯
/ D; }" C) U: {2 m# h3 ^0 D不過可以提一下它有哪幾種發生的機制. H* z$ g7 b3 `( e- j' r+ @: i$ }7 h/ G0 U
ESD 共有三種機制需要測試
( T0 w( Z4 k. K e5 @分別為HBM(Human Body Mode)..MM(Machine Mode)...CDM(Charged Device Mode): X/ V' m) I5 K" Z, e
預防對策則為...) m1 _3 q4 o; H: e# b
power & ground pin 使用 power clamping
$ D3 B& b- t! w: I! P% y) HI/O pin 做 ESD protect device
# g2 z: i' {; N# ]internorl circuit 有接到pad path 的mos....drain端做ESD rule放大; m$ c" ?% o- Q6 t! w. Y; f( j
: A3 w" P7 T: i2 y0 QLatch-up 可以用簡單的話來解釋0 W( S+ e+ }+ @8 e5 C1 u
power & ground path 寄生BJT形成SCR電路
: E# g- S0 k" }! _4 @* z, ^經由電源擾動....產生大電流的拴鎖現象5 b. W4 K/ j( j
造成pwer與ground的虛短路(可以畫一下寄生BJTs形成SCR的電路模型)
: o- E5 Q G: s# d, y. t4 F4 s: R4 vESD討論版有篇關於latch-up的文章
& u9 f. K0 e- |7 f3 Q% z1 H可以view一下剖面圖跟等效電路圖
# q/ ^+ e$ u8 @/ g2 _! f由剖面圖跟等效電路圖就能推敲出
! C0 U* ]2 l" v. ~2 L, ulatch-up該怎預防
# `) V4 X7 N3 q1 a% [, C$ U0 r1.盡可能補上well-contact以及subtract-contact
( O4 D' M! j5 H, o" v 其用意是為了降低Rw跟Rs的阻抗.
* ]3 _ h) n: \! d5 h0 x2.靠近PAD區域的circuit,pmos與nmos之間的距離拉開. ~5 A; H5 O4 D
並且保持gurdring的完整.& K1 K/ `5 w6 S9 w9 C5 Y) |
(p,nmos拉開由剖面圖可看出Q1base跟Q2 collector之間的阻抗會增加 )
( E5 ]+ p: E2 s* ?
2 ~/ \8 B6 n: w$ m9 N1 D L3 a若有解釋錯誤或是哪不夠詳細的& B1 z, u# N% ^% C) b' y
歡迎大家一起討論 ^^+ r5 k4 ~, r; H4 V% p% W
( g+ f3 N' I! ~: S: H/ J
PS: latch-up比較常發生在pad週遭....內部電路比較少發生
$ T9 W& ^$ }6 N- a. X8 P) B 個人是認為...ESD發生時也有可能引起latch-up
A3 Y0 o" q. N/ I6 t 不知大夥的見解為何?! |
評分
-
查看全部評分
|