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另外,由於此電晶體是為了微波應用而開發的,因此瑞薩提供業界標準的4-pin薄型迷你模型封裝(瑞薩封裝名稱:M04封裝)。因此,此產品有助於減少使用者終端產品的製造步驟,例如由於現有封裝的良好記錄,可簡化安裝評估程序,或者使用現有的電路板線路圖,僅需稍微修改周圍的電路。
8 {7 N; I! U3 i( \8 l" N( O, A在利用上述新製程的優勢,擴充其具有業界最高水準低雜訊效能的雙極電晶體產品線的同時,瑞薩亦承諾將此新製程部署至微波IC的開發,並進一步提供此領域的解決方案,以回應市場需求。
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(註1)此為結合瑞薩SiGe:C異質接面電晶體與0.15 µm CMOS製程,並針對微波IC應用進行最佳化的fT = 100 GHz製程。$ ?) p, [* V; l0 `* ?
BiCMOS:Bipolar complementary metal oxide semiconductor(雙極互補金氧半導體)的縮寫。這是可製造混合雙極與CMOS裝置的製程。它可藉由結合針對高頻率電路進行最佳化的雙極技術以及支援高密度低功率電路設計的CMOS技術,用於製造微波應用IC。7 X+ O+ p9 G0 e, v
瑞薩將此製程定位為繼瑞薩使用至今的製程之後的次世代製程,並承諾將繼續致力於開發此製程。% z) W) I; I2 }2 R2 ~
$ l; k O- i& m(註2)矽鍺:碳異質接面電晶體(SiGe:C HBT)是針對微波應用進行最佳化的電晶體,實作方法是結合可提升裝置效能的製程技術(在矽電晶體基礎中加入少量的鍺與碳)以及形成可在半導體中以高密度進行高速傳輸之電路的製程(利用異質接面)。
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(註3) SiGe:C製程在此新產品的應用5 z, c5 b5 p* ]) l! r0 |; t
為達成微波範圍內的低雜訊目標,瑞薩利用新開發的SiGe:C製程以及可降低電晶體基極60%電阻的最佳化選擇性磊晶成長晶體成長技術(包括射極、基極及集極架構),並最佳化其0.15 µm精密製造技術,致力於提高基極的電子速度並降低基極的電阻。
( N- v# o, k7 q* r磊晶成長:一種製程技術,可將半導體中的晶體成長限制在形成電晶體基極層的部分。; p% X' _3 }& t
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(註4)ISM:Industrial scientific and medical band(工業科學醫療頻段)的縮寫。ISM 頻段為提供工業、科學及醫療領域之一般用途而配置的頻率頻段。使用此頻段的無線系統包括無線區域網路、藍牙、業餘無線電、DSRC、各種雷達、無線電話、ZigBee及其他應用。 |
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