電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

amatom

ACPL-336J/ACPL-337J產品特點
•        高電流軌對軌輸出，可以節省輸出緩衝電路並提高電源效率
•        內建LED驅動電路、主動米勒箝位與高DESAT去飽和遮蔽電流源，節省系統成本與電路板空間
•        整合短路保護以及錯誤(FAULT)與電壓過低鎖定(UVLO)回授控制電路，提高驅動系統可靠度並保護IGBT
•        VIORM=1414VPEAK高強化絕緣電壓，提供高電壓應用可靠的防失效安全保護
•        8.3mm爬電距離與電氣間隙，符合嚴格系統級安全規範要求
•        典型50kV/µs高CMR，避免高雜訊環境下的錯誤驅動
•        符合CSA、UL和IEC安全規範，帶來快速系統級安全反應與上市時程

供貨情況
Avago的ACPL-336J與ACPL-337J智慧型閘極驅動光耦合器目前已經可以正式供貨。如需樣品與產量，請洽詢Avago直接銷售管道或全球經銷合作夥伴。

innoing123

科銳CPW5系列 Z-Rec二極體將碳化矽 (SiC) 優勢擴大至兆瓦 (megawatt) 的電力系統市場，可協助提升效率同時降低成本

科銳公司 (Nasdaq: CREE) 宣布推出新型CPW5 Z-Rec®高功率碳化矽(silicon-carbide, SiC)蕭特基二極體產品，為業界第一個已可商用化的50安培SiC整流器系列。這些新型二極體專為在從50 千兆 (kW) 到超過1兆瓦 (MW) 的高電力系統中使用SiC技術，提供成本降低、效率提升、系統簡化以及高可靠度的優勢，能夠實現要求嚴苛的應用，包括太陽能/太陽能光電轉換器(PV inverter)、工業用電源、感應加熱、電池充電站、風力發電變流器和牽引逆變器。

科銳的CPW5蕭特基二極體特別為方便50安培的二極體與50安培的MOSFET或IGBT直接配接而開發，以單一CPW5整流器取代多個低電壓、低電流的SiC蕭特基二極體或矽PiN二極體，有助降低系統的複雜程度和成本。由於SiC的開關過程中消除了電壓超量的問題，因此可以藉著降低最大電壓額定值和消除緩衝電路來進一步降低成本。

APEI公司業務發展總監Ty McNutt表示：「科銳的CPW5系列SiC蕭特基二極體是我們高性能功率模組和電子電力系統中的重要組成部分。其低順向電壓降 (voltage drop)、快速的開關速度和擴展的溫度性能，使我們能在許多應用，例如高功率馬達驅動器和太陽能光電轉變器中提升功率密度和效率。」

科銳 CPW5二極體可實現新一代的高電流Si/SiC IGBT模組。與傳統模組相比，混合式Si/SiC的IGBT模組的開關損耗可銳減達43%，同時還可抑制電壓及電流超量、開關延遲時間(dead time)和冷卻需求。另一個好處是設計工程師可利用與傳統模組相同的閘極驅動器設計和電路，從而可方便及立即執行系統。此外，科銳CPW5二極體也提供了一個具有超過500安培反覆電流和2000安培非反覆電流的正向峰值浪湧電阻，在最惡劣的電氣環境下也能提供較高的可靠性。

SmiDice執行長Dan Cormack表示：「SemiDice是以晶圓和晶粒方式提供科銳SiC功率產品的獨家經銷商，我們很高興能供應CPW5系列的Z-Rec蕭特基二極體。我們正看到客戶對50安培蕭特基二極體的需求增加，並深信Cree作為高階SiC二極體製造領域的全球領先者，將可提供我們客戶所期望的品質和性能，協助他們將系統成本和尺寸降到最低。」

CPW5系列Z-Rec蕭特基二極體包括1700V/50A、1200V/50A、650V/50A和650V/30A組合。SemiDice公司現已提供新型CPW5二極體的裸晶。

mister_liu

IR堅固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET為電訊電源應用提供基準效能

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRFH7185TRPbF 100V FastIRFET功率MOSFET，為電訊應用內的DC-DC電源提供基準效能。

IRFH7185TRPbF利用IR全新100V FastIRFET製程，提供基準的導通電阻閘極電荷品質因數 (Rds(on)*Qg figure of merit)，以實現更高效率和功率密度，並且提高系統可靠性。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IRFH7185TRPbF提供極低導通電阻，加上閘極電荷比同類型元件顯著較低，所以從輕載到滿載都能達致高效能。新100V FastIRFET元件提高雪崩電流密度達20%，藉以為DC-DC電訊電源提供行業最堅固耐用的解決方案。」

IR FastIRFET元件可配合各種控制器或驅動器操作，從而使設計更靈活，更以小佔位面積實現更高電流、效率和頻率。IRFH7185TRPbF符合工業級標準及第一級濕度敏感度 (MSL1) 標準，並採用了5x6 PQFN行業標準封裝，備有不含鉛且符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的環保物料清單。

規格

封裝	元件編號	在25°C下最大Id	在10Vgs下    典型/ 最高RDSon (mΩ)	在4.5V下典型QG (nC)	在10Vgs下R*QG
PQFN 5×6	IRFH7185TRPBF	123A	4.2	36	151.2

ritaliu0604

德州儀器針對大電流馬達控制及電源設計推出 40V 至 100V NexFET™ MOSFET
最新中電壓功率 MOSFET 包含採用 TO-220 封裝的最低導通電阻80V 及 100V 元件

(台北訊，2014年3月25日)   德州儀器 (TI) 宣佈推出採用 TO-220 及 SON 封裝的 14 款功率 MOSFET，該產品支援 40V 至 100V 輸入電壓，可進一步壯大其深受歡迎的 NexFET 產品陣營。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道元件，可為各種大電流馬達控制及電源應用提供優異的散熱效能。

最低導通電阻
兩款最新 80V 及 100V NexFET 元件採用 TO-220 封裝，可在不影響高閘極電荷情況下實現業界最低導通電阻，進而可在更大的電流下為設計人員提供更高的電源轉換效率。CSD19506 可在高達 80V 的輸入電壓下支援 2.0 mΩ的 Rds(on)，而CSD19536 則可在 100V 輸入電壓下實現 2.3 mΩ的 Rds(on)。這兩款產品都採用支援高累增崩潰效能的塑膠封裝，支援高壓力馬達控制應用。此外，設計人員還可透過參訪 TI 獲獎型 WEBENCH® 線上設計工具便捷選擇最新產品並模擬電源設計。

簡單易用的評估模組
TI 還推出了幾款基於 60V NexFET 產品的簡單易用型評估模組，所有評估模組均可透過 TI eStore™ 訂購：
•        步進馬達前置驅動器：DRV8711EVM 評估模組基於與 NexFET 配對的 DRV8711 步進馬達控制器，可驅動一部大電流雙極步進馬達或兩部有刷 DC 馬達；
•        馬達驅動器 BoosterPack：BOOSTXL-DRV8301 套件是一款基於 DRV8301 前置驅動器的 10A 三相位無刷 DC 驅動級，適用於學習無感測器無刷控制技術與驅動級設計的設計人員；
•        數位電源：UCD3138PSFBEVM-027 可幫助電源開發人員設計數位控制、相移離線 、12V、360W 電源轉換器應用；
•        負載點控制：TPS40170EVM-597 評估模組支援 TI TPS40170 同步降壓控制器以及兩個 NexFET 元件。

供貨情況與價格
CSD19506KCS 與 CSD19536KCS N 通道元件現已開始投入量產，可透過 TI 及其全球授權販售者網路進行訂購。每一款元件均採用 3 接腳、標準 TO-220 封裝，CSD19506每千顆單位建議零售價為 2.30 美元，而CSD19536每千顆單位建議零售價為 2.30 美元。此外，TI 還提供採用 5 mm × 6 mm無鉛 SON 封裝的 40V、60V、80V 以及 100V FET。

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IR為工業應用擴充StrongIRFET系列 新推出60V MOSFET備有極低導通電阻

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充StrongIRFET MOSFET系列，為多種工業應用推出60V元件，包括電力工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源二次側同步整流。

全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列配備可提升低頻率應用效能的極低導通電阻 (RDS(on))、極高的載電流能力、軟本體二極體，以及有助於提高噪聲免疫能力的3V典型臨限電壓。該系列的每款元件都完全通過行業最高雪崩電流級別的雪崩測試，能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案。新元件提供插入式及表面黏著D2-PAK封裝選擇。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR 60V StrongIRFET元件系列具有極低的導通電阻，而且完全通過嚴格的行業級雪崩測試，以確保產品堅固耐用。新元件提供基準效能MOSFET選擇，旨在為工業市場作出優化。」

atitizz

規格
採用了穿孔式封裝的60V StrongIRFET

元件編號	BVDSS	在25°C下的ID	在VGS=10V下的最高導通電阻	在VGS=10V下的閘極電荷	封裝
IRFB7530	60V	195A	2.0	274	TO-220
IRFP7530					TO-247
IRFB7534			2.4	186	TO-220
IRFB7537			3.3	142	TO-220
IRFP7537					TO-247
IRFB7540		110A	5.1	88	TO-220
IRFB7545		85A	5.9	75
IRFB7546		58A	7.3	58

tk02561

(20140428 18:01:33)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)半導體和儲存產品公司今天宣布，該公司推出小型SO6封裝的光電耦合器。新產品TLP3905和TLP3906即日起投入量產。

光電耦合器採用不含MOSFET晶片的光控繼電器結構。用戶可透過將光電耦合器與外部選用MOSFET相結合，從而建立一個隔離繼電器。這樣可獲得更大的電壓和電流，超越現有光控繼電器產品的性能。

新產品TLP3905和TLP3906能保持東芝現有產品TLP190B和TLP191B的基本性能，同時能夠透過將工作溫度增加至125°C（最大值）以及將絕緣電壓升至3750Vrms（最小值），以擴大應用領域。此外，TLP3906整合了一個控制電路，可釋放MOSFET閘極電荷，從而加快斷開速度；這一速度約為TLP3905的三倍。另外，TLP3906可保證LED觸發電流，以確保VOC（最小值）*，從而更易於降低LED電流的功耗。新產品適用於測試應用中的線路開關或PLC應用中的高電流控制。

*VOC：開路電壓

globe0968

英飛凌推出ThinPAK 5x6 體積最小的  CoolMOSTM MOSFET 適用於適配器、消費性電子及照明應用

【2014 年 5 月 27 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司今日推出全新無引線表面黏著 (SMD) 封裝的 CoolMOSTM MOSFET – ThinPAK 5x6。 體積最小的ThinPAK 5x6   CoolMOSTM MOSFET 適用於適配器、消費性電子及照明應用。

行動裝置的充電器、超高畫素電視、LED 照明必須滿足各式極具挑戰的要求。消費者渴望超薄的高效能產品，因此，製造商需求體積精巧、提供高效能、具有成本效益的半導體解決方案。藉由減少佔據印刷電路板 (PCB) 面積的元件尺寸及重量，有助於節省可觀的空間需求。例如，根據 Strategy Analytics (2014) 的預估，全球智慧型手機市場年成長率將達 9.4% (2013 – 2018)。

充電器的發展趨勢則是朝向更小、更快、更有效率的解決方案前進。ThinPAK 5x6封裝高度僅 1mm， 5mm x 6mm 的極小面積，相較於傳統 SMD 封裝如 DPAK，體積減少了 80%，讓製造商更有彈性，可設計出更小的充電器。ThinPAK 極低的寄生效應，例如比傳統式 DPAK 更低的源極電感，可以在全負載條件下降低閘極電壓震盪，並且將切換過程的電壓尖波減到最低，比起傳統式 SMD 可減少達 40%，改善裝置及系統穩定度及使用便利性。

ThinPAK 5x6 確保工程師在 PCB 設計時有更大的彈性以及更好的切換效能，達成更有效率的電源轉換，同時也能縮小應用的整體系統尺寸，例如低功率適配器、照明及薄型電視。而之前發表的 ThinPAK 8x8 產品系列，則在較高功率應用，如伺服器及電信 SMPS，擁有絕佳的市場接受度。

上市時間

目前已開始提供ThinPAK 5x6 封裝的工程樣品，預計將於 2014 年 9 月開始量產。

tk02561

IR為工業應用推出大罐型DirectFET MOSFET系列 備有極低導通電阻

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大型罐DirectFET MOSFET系列，適用於要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的高功率直流馬達、直流/交流逆變器等工業應用，以及動態ORing熱插拔和電子保險絲等高電流開關應用。

全新7mm x 9mm x 0.7mm大型罐封裝元件提供卓越的導通電阻效能，從而實現較低的導通損耗及更理想的系統效率。這款大型罐產品與中、小罐型DirectFET元件相似，備有雙面散熱功能，可提供最佳傳熱效能和功率密度。DirectFET還提供最佳的裸片對佔位面積比，有效縮減電路板尺寸。加上0.7mm的超薄厚度，新元件為受空間限制的高功率工業電源設計提供理想的解決方案。

與DirectFET系列的其他元件一樣，全新工業用大型罐封裝元件提供能改善可靠性的無鍵合線設計。此外，DirectFET封裝符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單，可迎合生命週期長的設計。同類型的高效能封裝包含了含鉛上片，雖然獲豁免不受電子產品有害物質限制指令第7(a) 項管限，但豁免將於2016年到期。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「DirectFET系列新增大型罐封裝元件後，繼續領導業界作為市場上最可靠、最高效的MOSFET封裝產品之一。全新大型罐DirectFET系列的佔位面積比D2PAK等傳統的大型塑膠表面黏著功率封裝顯著減小，而且增加了上方散熱效能，因而非常適合受空間限制的長壽工業電源設計。」

全新40V到150V大型罐封裝元件符合工業級標準及第一級濕度敏感度 (MSL1)。

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TI 推出業界首批支援整合型 MOSFET 的大電流 PMBus™ 轉換器
20-A 及 30-A SWIFT™ DC/DC 降壓轉換器支援電壓、電流以及溫度監控


(台北訊，2014年6月27日)   德州儀器 (TI) 宣佈推出業界首批具有 PMBus 介面的 18-V、20-A 及 30-A 同步 DC/DC 降壓轉換器。該 SWIFT TPS544B20 及 TPS544C20 轉換器採用小型 QFN 封裝並支援整合型 MOSFET，可在空間有限的高功率密度應用中驅動 ASIC，充分滿足有線及無線通訊、企業與雲端計算以及資料儲存系統等各種不同市場需求。這些轉換器與 TI 屢獲殊榮的 WEBENCH® 線上設計工具配合使用，可簡化電源轉換，加速電源設計時程。

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上述高整合轉換器支援 0.5% 的參考電壓誤差精準度以及全差動遠端電壓感測，可滿足深次微米處理器的電壓需求。可選 D-CAP™ 或 D-CAP2™ 自我調整導通時間控制模式簡單易用，不僅支援高速負載暫態響應，而且還可減少外部元件數量。可編程設計性和輸出電壓、電流及外部溫度的即時監控，加上透過 PMBus 的故障報告，不僅可簡化電源設計，提高可靠性，還可減少元件數量，降低系統成本。觀看影片，瞭解 PMBus 介面降壓穩壓器的各種優勢。
       
對於不支援輸出電壓、電流及電路板溫度遙測技術的 PMBus 應用，TI 提供 12-A SWIFT TPS53915 降壓轉換器。瞭解有關 TI 完整SWIFT 產品系列的更多詳情。

TPS544B20 與 TPS544C20 的主要特性與優勢
•        整合型功率 MOSFET 支援 20-A 及 30-A 持續輸出電流；
•        晶片上 PMBus 介面和非揮發性記憶體可簡化電源設計，支援電壓、電流以及溫度監控，並可達到電源客製化；
•        可選 D-CAP 或 D-CAP2 自我調整導通時間控制模式並無需輸出電容與迴路補償，可最小化外部元件數量；
•        其他特性包括內部緩啟動、輸入欠電壓保護以及過熱關機等。

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IR 60V StrongIRFET MOSFET擴充系列備有標準和高效能功率封裝 極低導通電阻適合工業應用


全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充60V StrongIRFET功率MOSFET系列，並提供多種標準和高效能功率封裝選擇。全新MOSFET備有極低的導通電阻 (RDS(on))，適合電力工具、輕型電動車 (LEV) 逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源 (SMPS) 二次側同步整流等多種工業應用。

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經過擴充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式和表面黏著封裝選擇，其中IRF7580M元件採用超薄精密的中型罐 (ME) DirectFET封裝，可提供高電流密度，還有效縮減整體系統尺寸及降低成本，因而非常適合受空間限制的高功率工業設計。

新的60V StrongIRFET功率MOSFET系列共有19款元件，全部配備可提升低頻率應用效能的極低導通電阻、極高的載電流能力、軟本體二極體，以及有助於提高噪聲免疫能力的3V典型臨限電壓。該系列的每款元件都完全通過行業最高雪崩電流級別的雪崩測試，能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR廣泛的60V StrongIRFET MOSFET產品系列提供多種封裝選擇，並具有針對工業市場的低導通電阻和高電流能力，使設計師能夠基於性價比準則靈活選擇最適合其應用的元件。」

與DirectFET系列的其他元件一樣，全新IRF7580M中型罐封裝元件提供能改善可靠性的無鍵合線設計。此外，DirectFET封裝符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單，因而適合生命週期長的設計。同類型的高效能封裝包含了含鉛上片，雖然獲豁免不受電子產品有害物質限制指令第7(a) 項管限，但豁免將於2016年到期。

採用表面黏著封裝的60V StrongIRFET

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東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba) (TOKYO:6502)力爭透過在成長型市場中提供分離式元件實現業務穩定擴張。

業務環境日新月異，智慧型手機、平板電腦、無線基地台和資料中心等市場不斷擴大，汽車正越來越智慧化，風力發電等新能源日益發展（主要在新興市場國家），而且產業對能源效率的重視前所未有。

小信號設備和光電(OPTO)元件

小信號設備和OPTO元件是該業務領域的基礎產品，自去年以來需求強勁。我們的每個生產據點，包括自泰國水災之後搬遷廠址的東芝半導體（泰國）公司(TST)，目前均開足馬力營運。我們的OPTO元件光電耦合器已連續四年保持全球第一的市占率。我們致力於透過擴大TST規模、擴大高附加值領域的產品陣容（主要是在工業市場），以進一步提高生產力，以及透過回應市場變化和擴張來擴大業務。

功率元件

金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)是我們重點關注的產品，我們將透過發揮性能、品質和供應能力方面的綜合實力來為客戶提供支援，以滿足中國的工業市場及強大的日本汽車廠商的需求。中國市場可望實現進一步擴張。我們已經獲得下一代汽車產品的訂單。我們將繼續提高加賀東芝電子(Kaga Toshiba Electronics) 200mm生產線的產能，並繼續為客戶提供解決方案。

此外，隨著下一代產品利用新材料因應多元市場需求，我們將為高電壓、高頻率領域推出碳化矽(SiC)元件，為超高頻率領域推出氮化鎵(GaN)功率元件，以及為白色LED推出矽基氮化鎵(GaN on Si)製程技術。我們還將與內部系統公司攜手合作。我們將在未來引領市場擴張。

東芝分離式半導體業務(Toshiba Discrete Semiconductor Business)將提前因應未來的需求，以在全球市場中實現業務成長。

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德州儀器高電壓轉換開關 為always-on智慧電錶及家庭自動化設計節省能源
700-V 電源管理轉換開關將靜態功耗減少 50%


(台北訊，2014年9月12日)   德州儀器 (TI) 宣佈推出支援不足 100uA 業界最低靜態電流的 700-V 轉換開關，其功耗是現有解決方案的一半，進一步擴大了 TI 針對離線 AC/DC 設計的高電壓電源解決方案陣營。該 UCC28880 控制器高度整合 700-V 功率 MOSFET 和高電壓電流電源，可提高輸出電流高達 100mA 的 always-on 非隔離式電源系統的整體能源效率，充分滿足智慧電錶、家庭自動化設備以及大型家用電器等應用需求。

TI 高電壓電源解決方案產品部首席技術官 Dave Freeman 指出，全球數以億計的智慧電錶透過不斷消耗電網電源來測量能源使用情況並向公共事業單位提供回饋。雖然這些電錶耗電量相對較小，而且其耗電也不向用戶收取費用，但將這些設備供電所需的能源進行累加後發現，降低其能源消耗也非常重要。TI 最新高電壓電源解決方案等最新電源轉換技術將有助於智慧電錶大幅降低能耗。

sophiew

UCC28880 高電壓轉換開關不僅可降低系統成本，最小化電源整體尺寸，同時還可保持高效率與高系統效能。設計人員可使用該轉換開關創造降壓、升降壓以及反向等不同轉換器拓撲，無需增加額外的半導體元件。

UCC28880 的主要特性與優勢：
•        業界最低功耗：由於負載降低，靜態電流可降低至 100uA 以下；
•        縮小應用尺寸，降低整體系統成本：該電路在 29.4 平方毫米的微小型 7 接腳SO 封裝中高度整合 700V MOSFET、啟動電流源以及內部電流感測功能。此外，由於無需外部補償，可進一步減少元件數量，縮小電路板空間；
•        過大電流下的優異系統效能：除了電流限制功能之外，控制器的電感器電流失控保護也有助於在負載短路情況下提供保護，確保設計可靠性；
•        過熱保護：該裝置提供支援遲滯重啟的過溫保護功能，可確保安全工作；
•        增加沿面距離與間隙：高電壓接腳隔離在封裝的一側，其可最大限度增大高低電壓接腳的間隙。

基於 UCC28880 的 離線 AC/DC 參考設計 (PMP8550) 不僅可讓設計人員快速設計總體解決方案尺寸為 38 毫米 × 32 毫米 × 22 毫米的低成本、低功耗非隔離式高側降壓轉換器，其支援 13V 的電壓，同時還可生成高達 100mA 的輸出電流。該參考設計採用整合開關的降壓轉換器，可用於眾多工業應用。設計原理圖、CAD 檔以及測試結果可供下載。
       
供貨情況及售價
整合 700V FET 的 UCC28880 轉換開關現已開始供貨，採用 7 接腳 SOIC 封裝，建議售價為每一千單位 0.55 美元。UCC28880 低側降壓評估模組 (EVM) 與高側降壓 EVM 包含可下載 PSpice 模型，建議售價為 49 美元。

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(20140915 15:40:10)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布針對超低功率微控制器(MCU)開發採用新工作原理的穿隧場效應電晶體(TFET)。該工作原理已經被應用到使用CMOS平台相容製程的兩種不同的TFET開發中。透過將每種TFET應用到一些電路塊中，可實現大幅降低MCU的功耗。

9月9日和10日，東芝在日本筑波舉辦的2014年固態元件與材料(SSDM)國際會議上的三場展覽中展示了其TFET。其中的兩次展覽是建立在與日本產業技術綜合研究所(AIST)合作研究團隊綠色奈米電子中心(GNC)的共同研究基礎上。

無線設備和行動裝置的需求快速成長，正帶動著大型積體電路(LSI)超低功耗的需求成長。在這種形勢下，我們急切需要創新設備，以降低工作電壓，減少待機洩漏電流。使用量子穿隧效應新工作原理的隧道場效應電晶體已經吸引了大量關注，能夠取代傳統的金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)實現LSI的超低功耗運作。

由於III-V化合物半導體等新材料具有實現高性能的潛力，因此近來就是否可引進這些新材料應用於TFET進行了廣泛調查。然而，由於特殊製程利用導致的困難，將這些材料應用到目前的CMOS平台較為困難。

東芝已透過為採用通用CMOS製程的一些主要電路塊最佳化TFET特性，解決了這一問題。該方法使TFET輕鬆安裝至現有生產線中成為可能。東芝開發了兩種型號的矽基TFET，一種用於具有超低洩漏電流和最佳化導通電流的邏輯電路，另一種用於具有極低電晶體特性偏差的SRAM電路。兩種型號均使用垂直型穿隧操作，以增強穿隧屬性。此外，邏輯TFET使用精確控制的磊晶材料生長製程確保使用碳和摻磷矽(phosphorus doped Si)的隧道結形成過程。這裡提及的矽/矽鍺(SiGe)結也已被全面評估，以確保最佳化配置。因此，該設備的導通電流相較於矽TFET高兩個數量級，而且N型和P型TFET的超低關態電流相同。對於SRAM型號的TFET開發，東芝已提出新穎的TFET運作架構，無需形成結構化隧道結。它可消除製程變異性，並顯著抑制電晶體的特性偏差。

東芝將展示這些TFET與傳統的MOSFET在MCU中的整合，以使總功耗降低十分之一或更多，到2017年將目標瞄準商用產品及使用。

globe0968

科銳的碳化矽MOSFET協助 日本推動日益擴大的太陽能基礎建設
日本Sanix公司最新的太陽能逆變器採用科銳C2M系列碳化矽MOSFET 以實現最佳的系統性能、可靠性和定價組合


科銳公司(Nasdaq: CREE) 日前宣佈其1200V、80毫歐姆的C2M™系列碳化矽(SiC) MOSFET已獲得日本Sanix公司採用，納入其新型9.9kW三相太陽能逆變器的設計內，而該逆變器用於正在快速成長的日本太陽能市場中的商用化太陽光發電系統。

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Sanix公司總經理Hiroshi Soga表示：「藉著與科銳的夥伴關係和其擁有的碳化矽技術，我們能夠在競爭激烈的日本太陽能市場中取得更高的市占率。科銳的碳化矽MOSFET對Sanix而言非常重要，使我們得以實現效率和散熱設計目標。和我們考慮中的矽超級接面MOSFET (silicon super-junction MOSFET)相比，碳化矽開關在我們的太陽能逆變器電子中可降低損失超過30%以上。科銳最新一代C2M系列碳化矽MOSFET除了可提供大幅的效率增益外，在定價上也具有競爭力，因此可以取代電壓、耐用性和效率都較低的矽功率MOSFET。」

科銳1200V 的C2M0080120D MOSFET用於太陽能逆變器的初級功率轉換階段，提供更快的開關特性，而開關損失甚至僅為同等評級的額定電壓900V矽超級接面MOSFET的三分之一。藉著大幅減少開關損失，科銳的碳化矽MOSFET能實現較少的系統總能量損失、較高的頻率切換、以及較低的操作溫度。這些優點提升了轉換效率，同時降低系統的尺寸、重量、複雜性和熱管理要求。在系統層級方面，系統性能獲得提升、成本得以降低、而太陽能逆變器的壽命也得以延長。

科銳功率和射頻部門總經理暨副主席Cengiz Balkas表示：「我們非常高興見到Sanix在其新型9.9kW太陽能逆變器中，採用科銳1200V C2M系列碳化矽MOSFET技術。科銳碳化矽功率裝置能為太陽能逆變器的效率、可靠性和成本等方面提供顯著的優勢，並且隨著Sanix公司不斷擴大在日本太陽能市場的市占率的同時，為其提供關鍵性的競爭優勢。」

科銳的C2M系列碳化矽MOSFET經證實比傳統的矽技術可實現高達三倍之多的功率密度，並提供了1200V和1700V，範圍從1Ω至25 mΩ的型號選擇。C2M系列的MOSFET自2013年三月上市以來受到一系列工業功率應用產品採用，並持續面臨需求不斷增加的情況。科銳目前所提供的碳化矽MOSFET產量，主要是供應給Sanix和其他太陽能逆變器製造商，此外還有工業電源供應器、輔助功率轉換器、電池充電器及馬達驅動器的製造商。

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麥瑞半導體推出新型 85V 全橋 MOSFET 驅動器以應對電池供電工具的技術改進

加利福尼亞州聖約瑟市2014年9月24日電 /美通社/ -- 高性能線性和電源解決方案、局域網以及時鐘管理和通信解決方案領域的產業領導者麥瑞半導體公司 (Micrel, Inc.) (Nasdaq:MCRL)，今天推出一款 85V 全橋 MOSFET 驅動器 MIC4606 ，該驅動器具有自我調整停滯時間和擊穿保護功能。這款元件是麥瑞半導體最初於2013年推出的極其成功的 85V MOSFET 驅動器系列的成員，專注于滿足多種應用不斷增加的電力需求。85V MIC4606 系列是麥瑞半導體為滿足電池供電的工具、不斷電供應系統、無線電控制的玩具和不斷增加的無人機市場的需求，而實施的戰略的一部分。 MIC4606 目前已開始批量供應，採用 4mm x 4mm QFN 封裝，以1000片為單位批量購買，每片價格為1.37美元。

麥瑞半導體高性能線性和電源解決方案部門行銷副總裁 Brian Hedayati 表示：「無處不在的電動工具市場悄無聲息地經歷了技術上的改進，透過添加控制演算法，提高使用者生產效率和安全性，並延長產品使用壽命。麥瑞半導體的 85V 全橋 MOSFET 驅動器提供先進的電路設計，其自我調整停滯時間可帶來較高的電源效率，而擊穿保護可增強可靠性。 MIC4606 是業內最堅固、最節能的全橋 MOSFET 驅動器之一，旨在滿足步進電機、直流有刷和無刷電機以及直流/交流逆變器等眾多應用的需求。」

MIC4606 結合了全方位的功能和技術解決方案，旨在實現電源效率最大化。自我調整停滯時間電路主動監測全橋，最大限度地縮短高邊和低邊 MOSFET 轉換的時間。擊穿保護電路防止錯誤輸入和雜訊造成高低邊 MOSFET 同時導通。該元件還提供較寬的工作電壓範圍（5.5V 至 16V），以達到最高的系統效率。5.5V 的低工作電壓能延長電池供電應用的執行時間。這些特色使得 MIC4606 成為業內要求最嚴苛的電池供電電機應用（包括電動工具和直流/交流逆變器等）的理想解決方案。此外，85V 的工作電壓提供了很大的餘量來防止電機驅動和電源電路中常見的電壓尖峰。 MIC4606 採用16引腳 4mm × 4mm QFN 小型封裝，工作結溫範圍為-40°C至125°C。