電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

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科銳第二代碳化矽功率 MOSFET的量產顯著節約功率轉換系統的成本 新元件性價比增加了一倍

科銳公司 (Cree, Inc) (Nasdaq: CREE)宣佈推出第二代碳化矽 (SiC) 功率MOSFET，是能夠使系統實現高效率及更小尺寸、以及高成本效益的矽解決方案。這新型1200V耐壓功率的MOSFET提供業界領先的功率密度和切換效率，每安培成本只有科銳前一代MOSFET產品的一半。從性價比上，新型的功率MOSFET是尺寸更小及重量更輕的碳化矽系統，通過提高效率及降低安裝成本，協助OEM客戶降低系統成本，並為終端用戶節省額外花費。

德國弗萊堡 (Freiburg) 行內著名的Fraunhofer研究院 (Fraunhofer-Institute) 專家Bruno Burger博士表示：「我們已經在先進的太陽能電路中採用科銳第二代碳化矽功率MOSFET進行評估。它們擁有最好的效率，並能讓系統在較高切換頻率時運作，從而實現尺寸更小的被動元件，尤其是更小的電感器。這樣大大提高了太陽能逆變器的成本/效能折衷，有助開發更小、更輕及更高效的系統。」

在一些高功率應用上，這些新型SiC MOSFET的優越性能可削減50%~70%所需額定電流。經過妥當的最佳化之後，客戶現在能以與以往的矽解決方案相同或更低的系統成本，獲得碳化矽性能上的優勢。對於太陽能逆變器和不斷電系統(UPS)，效率會隨著尺寸和重量的減少而提升。在馬達驅動應用方面，可協助其功率密度增加一倍以上，同時提高工作效率，並較其它具有相同額定的矽解決方案提供多兩倍的最大扭矩。新產品提供的範圍已經擴展到包含一個更大的25毫歐姆晶粒，鎖定30kW以上功率水準的高功率模組市場；而80毫歐姆元件則為第一代MOSFET提供更低成本、更高性能的升級方案。

科銳功率及射頻事業部副總裁及總經理Cengiz Balkas表示：「有了這個新MOSFET平臺，我們在多個領域上都贏得客戶的導入設計。由於第二代SiC MOSFET受到迅速接納，我們不但提前為幾家客戶量產出貨，而且我們也正在依客戶要求加速量產。」

科銳現提供額定電阻為25毫歐姆及80毫歐姆的晶粒，前者作為50安培基本組件用於高功率模組；而80毫歐姆導功率MOSFET則採用TO-247封裝，以優越性能及較低成本，取代科銳第一代產品CMF20120D。封裝元件可通過代理商DigiKey、Mouser和Farnell公司即可購得。

innoing123

科銳的碳化矽功率 MOSFET為台達能源系統公司 實現下一代太陽能轉換器
碳化矽功率 MOSFET技術可顯著改善太陽能逆變器的重量、成本和效率

科銳公司(Nasdaq: CREE)與台達能源系統公司(Delta Energy Systems)共同宣佈成功達成太陽能逆變器(PV inverter)業內一項計畫，台達的新一代的太陽能轉換器將科銳的碳化矽(SiC)功率 MOSFET納入設計。碳化矽功率 MOSFET的加入，使下一代的太陽能逆變器在功率密度、效率和重量上達到重要的新里程碑。

台達能源系統公司的太陽能逆變器研究與發展主管 Klaus Gremmelspacher評論表示：“通過利用碳化矽功率 MOSFET，台達下一代的太陽能逆變器在功率密度上達到新的里程碑。對我們在實現輕型且具備業界領先效率的新型高功率轉換器的目標來說，科銳公司所提供的碳化矽功率 MOSFET是不可或缺的。”

科銳於2011年發表了首款碳化矽功率 MOSFET， 具有降低損耗和提高太陽能逆變器效率及功率密度的功效；而性能更顯著提升的第二代矽功率 MOSFET將於2013年推出。在這項具里程碑意義的產品面市後，世界上最大且最受尊敬的電源管理解決方案供應商之一的台達能源系統公司(台達電子集團的子公司)，決定將科銳的碳化矽功率 MOSFET納入下一代太陽能逆變器的設計中。在11kW太陽能逆變器中採納科銳的1200V碳化矽功率 MOSFET後，台達已能擴大直流輸入電壓範圍，同時維持或甚至提升前一代產品的最高效率。台達預計在2013年第二季推出的11kW加速器(booster)，因為採用科銳的碳化矽功率 MOSFET，其直流輸入電壓從900V提升到1000V。

科銳電源的資深行銷主管Scott Allen博士表示：“我們很高興且榮幸像台達能源系統這樣的公司成為我們碳化矽功率 MOSFET產品的客戶。他們正使用中的1200V、160m-MOSFET能很快臻於完善，因為那是2011年發表的產品，而且又具備領先業界的性能和成本優勢。 像台達電子等從事先端技術的客戶，如今也積極採用我們的碳化矽功率 MOSFET技術，不僅能使太陽能逆變器在尺寸、重量和成本等方面比採用矽減少20%~50%，同時能保持或提升效率水準。”

科銳提供的碳化矽功率 MOSFET封裝元件可經代理商DigiKey和Mouser購買，而晶粒則可從代理商SemiDice購得。要瞭解有關科銳公司及產品更多的資訊，請參閱公司網站www.cree.com/power，或聯繫科銳的在地銷售人員或經銷商。

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快捷半導體的Quad-MOSFET 解決方案，可提高主動橋式應用的效率，且無需散熱
四個 60 V MOSFET 整合在單個封裝內，可提高系統效率，取代二極體橋電路，適用於緊湊型設計及節省電路板空間


在高畫質緊湊型主動橋式應用中（如網路攝像機）產生過多熱量，可引起圖像畫質問題。 與之類似，熱雜訊也可能會影響系統的圖像感測元件，進而降低攝像機的畫質。 典型的散熱解決方案透過增加元件數量來調節熱漲落(thermal fluctuations)，這使得本就複雜的設計變得更加複雜，並且使電路板空間變得更加混亂。 美國快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號： FCS） FDMQ86530L 60 V Quad-MOSFET 為設計者提供一體式封裝，有助於解決這些棘手的設計難題。

globe0968

FDMQ86530L 解決方案由四個 60 V N 通道 MOSFET 組成，採用快捷半導體的 GreenBridge™ 技術，將功率損失性能提高了十倍，從而改善了傳統二極體電橋的傳導損失及效率。 該元件採用熱性能增強，節省空間的 4.5 x 5.0 mm MLP 12 接腳封裝，無需使用散熱器，實現了緊湊型設計，並在 12 V 及 24 V AC 應用中可提高功率轉換效率。

規格：

•        最大 RDS(ON) = 17.5 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 8 A
•        最大 RDS(ON) = 23 mΩ，需 VGS = 6 V、ID = 7 A
•        最大 RDS(ON) = 25 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 6.5 A

封裝種類與售價資訊（訂購 1,000 個，美元）

按需求提供樣品 － 收到訂單後 8 至 12 週內交貨

FDMQ86530L 產品採用 4.5 x 5.0 mm MLP 12-引腳封裝，售價 1.38美元。

FDMQ86530L 是快捷半導體公司全系列分立式 MOSFET 組合產品的一部分，提供該產品進一步實現了公司的承諾：提供最具創新意義的封裝技術，為當今最先進的系統實現體積最小化、熱性能及效率最大化。

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【2013 年 5 月 16 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 宣佈出全新的 TO 無鉛封裝產品，能減少封裝電阻、大幅縮小尺寸，還能改善 EMI 特性。產品包含最新一代的 OptiMOSTM MOSFET，適用於具有高功率和穩定性需求的應，像是堆高機、輕型電動車、電子保險絲 (eFuse)、負載點 (PoL) 和電信系統等。

全新 TO 無鉛封裝的設計可耐受達 300A 的高電流。封裝電阻較低，因此在所有電壓等級下都能達到最低的 RDS(on)。封裝尺寸比 D2PAK 7pin 60%，能將設計體積減到最小。TO 無封裝的體積大幅減少 30%，讓堆高機等應用所需要的電路板空間更小。高度減少 50%，在機架或刀鋒伺服器等一些需要小巧體積的應用中尤其具備優勢。此外，封裝的寄生電感較低，因此 EMI 特性更佳。

英飛凌低電壓功率轉換深協理 Richard Kuncic 表示：「隨著 TO 無鉛封裝的推出，英飛凌將成為第一家推出 0.75mΩ 60V MOSFET 的半導體公司。產品可以減少堆高機應用中所需並聯 MOSFET 的數量，同時提高功率密度。此種封裝能為我們的客戶帶來重大優勢，滿足高功率應用的需求，提供最高等級的效率和可靠性。」

再加上，TO 無鉛封裝的焊接接觸面積增加 50%，因此電流密度得以降低。如此避免在高電流量和高溫下發生電遷移，進提升可靠性。與其他無鉛封裝不同的是，TO 無鉛封裝採用銲錫的溝槽引腳，因此能用肉眼檢查。

此種全新封裝是功率應用的最佳選擇，能滿足應用對高效、優異可靠性、最佳 EMI 特性和最佳散特性等的需求。

上市時間
TO 無鉛封裝目前已開始提供 30V（最高 0.4 m?）、60V（最高 0.75 m?）、100V（最高 2.0 m?）和 150V（高 5.9 m?）等規格的樣品，預計自 2013 年第三季開量產。

ranica

新的LGA封裝MOSFET幫助將空間受限的智慧型手機及平板電腦應用的能效及電池使用時間提升至極致
單節及雙節鋰離子電池充電/放電保護電路因高性能覆晶晶片MOSFET而受益

2013年6月5日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出兩款新的MOSFET元件，用於智慧型手機及平板電腦應用，作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關的關鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。

這兩款元件符合RoHS指令，適用於單節及雙節鋰離子電池應用，提供領先業界的導通阻抗(RDS(on))性能水準，使用平面閘格陣列(LGA)結構，以提供小型的低高度設計，使其適合用於通常空間受限的智慧型手機及平板電腦應用。EFC6601R的額定最大源極至源極電壓(VSSS)為24伏(V)，EFC6602R的額定最大VSSS為12  V。兩款元件都採用2.5  V供電電壓工作，採用共漏極結構，包含內置保護二極管。

安森美半導體的三洋半導體產品部MOS產品總經理秋庭隆史說：「自從鋰離子電池面市以來，安森美半導體一直在開發及提供充電/放電保護電路開關MOSFET。我們積累的專業知識和技術使我們能夠開發出這些微型元件，更進一步延長電池使用時間及提升能效。」

安森美半導體計劃在年內再增添5款EFC系列MOSFET元件，説明從事更寬廣範圍的行動設備設計人員實現減小方案尺寸及延長電池使用時間的應用目標。

封裝及價格
EFC6601R及EFC6602R採用無鹵素EFCP封裝，每5,000片批量的單價分別為0.80和1.00美元。

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IR新款IRS44273L精密低側閘極驅動IC採用SOT-23-5L封裝

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出採用了SOT-23-5L高度精密封裝的IRS44273L低側閘極驅動IC，有效提供高驅動能力。

IRS44273L易於使用，並且為IGBT及MOSFET閘極驅動器提供簡易的解決方案，從而利用最小的電路板面積，帶來典型1.5A拉電流和灌電流能力、快速開關效能及整合式欠壓閉鎖保護功能。全新元件更具有以往只適用於SO-8等較大封裝的功能，促進更精密、更經濟實惠的系統設計。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「全新IRS44273L採用了SOT-23-5L封裝，為低側驅動器提供目前市場上最高的驅動電流，使設計師得以利用該元件來代替面積較大的SO-8封裝元件，大幅減少解決方案的尺寸。」

IRS44273L在封裝的兩側都配備了兩個輸出引腳，透過靈活的布線來簡化系統設計。此外，該元件包含了非反相輸入，並且與CMOS及LSTTL控制器兼容。

規格

元件編號	封裝	IO+ / IO-(典型)	TON / TOFF  (典型)	邏輯
IRS44273L	SOT23-5L	1.5A / 1.5A	50ns / 50ns	非反相

產品現正接受批量訂單。全新元件符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS)。

innoing123

(20130613 16:59:51)東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）宣布使用CMOS相容製程開發高功率增益電晶體。該電晶體可有效降低高頻射頻/類比前端應用的功耗。詳細資訊將於6月12日在2013年超大型積體電路技術及電路研討會（Symposia on VLSI Technology and Circuits）期間公布，本次研討會將於2013年6月11日至14日在日本京都舉行。

智慧手機和平板電腦等無線和行動裝置的快速成長正推動對低功耗和高性能射頻/類比電路的需求。但是，由於電晶體擴展會導致噪音和能量增益效率的下降，因此很難將數位電路廣泛使用的先進設備和製程技術應用至射頻/類比電路。

東芝透過一種新設備結構（使用兩種不同材料作為一個金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)的閘電極）和一種製程整合方案（採用廣泛使用的常見半導體製造方法）解決了這一問題。這種方法實現了奈米級閘長控制。電晶體的實驗結果顯示功耗顯著降低，並且作業速度沒有出現任何下降。

這種設備結構的獨特特徵是兩種材料（n型矽和p型矽）之間的薄氧化物阻擋膜，這種膜可以抑制雜質互擴散。閘電極區域中可以實現高電場，從而提高放大器效率。不同的閘電極材料採用不同的閘氧化膜厚度。這種結構在飽和狀態下可實現控制良好的設備屬性，即便在低工作電壓下也可實現。這種新設備製程還適用於先進數位大型積體電路製造所使用的高介電閘極絕緣層。

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東芝擴大用於基地台和伺服器的功率MOSFET陣容
推出擁有頂尖[1]低導通電阻性能和高速交換性能的60V產品

東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布為其用於基地台和伺服器的通用直流-直流轉換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產品。這些產品使用最新的第八代低電壓溝槽結構，並實現了頂尖[1]低導通電阻和高速交換性能。即日開始量產。

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快捷半導體全新 MOTION SPM® 5 系列產品為小家電提供溫度感測與穩定的 EMI
模組已針對嚴苛應用環境中的效率及最大可靠度進行最佳化


馬達控制系統設計人員需要能在嚴苛應用環境提供最佳化效率、確保最大可靠度的解決方案。為了應對這一挑戰，快捷半導體公司（紐交所代碼： FCS) 已開發 SPM® 5 智慧型功率模組系列，提供 3 相 MOSFET 變頻器(Inverter)解決方案，可為設計人員提供 AC 感應馬達 (ACIM : AC Induction Motor) 與無刷直流 (BLDC) 馬達變頻器解決方案，適用於最高 200W 的馬達，包括風扇馬達、洗碗機及各種小型工業馬達。

ranica

全新的 SPM 5 系列包含六個快速回復 MOSFET，以及三個用於閘極驅動的半橋 HVIC。上述裝置提供低電磁干擾 (EMI) 特性及最佳化的切換速度。

低 RDS(ON) MOSFET 的精密驅動可大幅降低 EMI，提供最大的切換效率。內建的電壓過低鎖定(UVLO)與溫度感測單元(TSU: Thermal Sensing Unit)可為 SPM 裝置提供本機保護，連接的控制器 IC 也可即時監控模組的散熱效能。

Motion SPM 5 SuperFET® 系列中的 FSB50x60SF(S) 裝置採用 600V 超接面 MOSFET 技術，FSB50xxxA(x) 則採用 250V/500V FRFET® 技術。SPM 5 SuperFET 系列是業界第一款適用於小型家用裝置和小型工業驅動裝置的 600V 超接面 MOSFET 模組解決方案。上述技術提供優於 IGBT 型功率模組或單晶片解決方案的耐用性與更大的安全運作區域 (SOA : Safe Operation Area)。

此新款 SPM 系列在迷你的 29mm x 12mm 封裝中包含三個靴帶式二極體 (bootstrap diode)，額定運作電壓分別為 250V、500V 及 600V。小尺寸的設計及簡單的電子介面，使其非常適合需要小尺寸、快速上市及設計擴充性的應用，例如內建馬達應用，以及組裝空間受限的其他應用。此系列的裝置可為設計師提供當今應用所需的能源效率、小尺寸及低 EMI。

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(20130719 10:52:38)東京--（美國商業資訊）--東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布推出第四代超接面MOSFET DTMOS IV系列650V設備。作為該系列的首款產品，TK14A65W已經推出，並計畫於2013年8月全面投入量產。

該系列採用最新的單磊晶製程打造，其每單位面積導通電阻（Ron•A）較現有的650V DTMOS II系列產品約降低了50%2，這就使其能夠採用緊湊封裝，有助於提高功效，縮小產品的整合尺寸。

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科銳的碳化矽功率MOSFET協助Delta Elektronika BV公司開發新一代高效率和高可靠度的電源供應器
擴展的產品組合Cree® MOSFET可使產品功率損失減少21% 並提供使用減少一半元件數量的簡單架構

科銳公司(Nasdaq: CREE)宣佈新擴展的1200 V碳化矽(SiC) 功率MOSFET產品組合，將被納入Delta Elektronika BV公司最先進的電源供應器之中。Delta Elektronika 展示了與採用傳統矽技術設計的電源供應器相比，整體電源損耗減少21%及元件數量減少達45%的新電源供應器。

Delta Elektronika BV總裁Job Koopmann表示：「我們很高興在產品系列中採用科銳新型的碳化矽電晶體。它能夠同時提升效率和產品的功率密度，在切換效率的表現上也相當出色，控制MOSFET亦簡單容易。這種元件可協助我們繼續開發更多可靠的產品，滿足客戶的期望。」

自1959年以來，總部設於荷蘭的Delta Elektronika BV，一直是生產高可靠度及高品質電源供應器的領先企業，一系列的工業應用如工廠用的專業設備、汽車和工業電源轉換等。它的電源供應器通常能達到高效能及低雜訊水準，產品的長使用週期也是眾所周知。由於在最新的電源供應器系列中採用科銳先進的第二代碳化矽功率MOSEFET，Delta Elektronika BV在配置和提供高可靠度的先進技術上領先業界。

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科銳功率元件與射頻產品部門總經理Cengiz Balkas表示：「我們很高興Delta Elektronika BV成為眾多採用我們最新一代碳化矽功率MOSFET產品的其中一家企業。Delta Elektronika BV擁有超過半世紀生產市場上其中一些最可靠、高效率和小型的電源供應器的歷史和傳統。重視效率、可靠性和功率密度的工業電源供應器市場，對碳化矽功率MOSFET技術而言是一個重要市場。我們新的第二代碳化矽功率MOSFET產品組合獲得市場熱烈的歡迎，當中包括了用於5-10 kW市場的160 m-Ohm MOSFET產品。」

科銳於2013年3月發表的第二代碳化矽功率 MOSFET，得到整個電力產業的支持，並且在數個重要的應用上獲得採用的次數變得愈來愈多，其中一家大型製造商正在評估將我們的解決方案，應用在他們下一代高效率太陽能逆變器(PV inverter)的產品設計中。在擁有碳化矽技術的前提下，電源供應器製造商能減少元件數量、協助提升可靠度，同時維持或提高電源供應器的效率。提升功率密度也會導致尺寸、重量、體積等方面的減小，在某些情況下甚至可以降低電源供應器的成本。對比採用傳統矽技術設計生產的標準電源供應器，碳化矽已被證明是可實現兩倍以上功率密度的技術。

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東芝將為行動裝置的高電流充電電路推出超緊湊型MOSFET 高功耗封裝陣容擴大

東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布，該公司已經為智慧型手機和平板電腦等行動裝置的高電流充電電路的開關推出了超緊湊型MOSFET，包括兩種電池。

隨著更多功能加入智慧型手機和手機、平板電腦和筆記型電腦等行動裝置以及對它們的電池提出更多要求，公司不斷顯著增加充電電流來縮短充電時間，以提高電荷密度和改善使用者體驗。新的超緊湊型SSM6J781G和SSM6J771G是東芝高功耗封裝的高電流MOSFET陣容的最新成員。即日起開始量產和出貨。

可應用於智慧型手機和手機、平板電腦和筆記型電腦等行動裝置的高電流充電開關。

推薦的電路包含高壓側開關（P溝道）、結合升壓控制LSI的高壓側開關（N溝道）以及低壓側電池保護的控制開關（N溝道）。

主要特點有高電流、低導通電阻、低電容、小型封裝（1.5 x 1.0 mm；WCSP6C）以及高功耗。

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德州儀器推出首款整合型步進馬達前置驅動器 進一步擴大馬達驅動器產品陣營 進階步進控制技術為工業應用實現靜音驅動'


(台北訊，2013 年 9 月 13 日)   德州儀器 (TI) 宣佈推出首款整合型步進馬達前置驅動器，進一步擴大其馬達驅動器產品陣營。該 DRV8711 具備與業界最優異之晶片內建微步進分度器的高度可配置性，以及失速檢測與可便捷高效調節任何馬達的進階電流調節功能。外部 MOSFET 可控制步進馬達，支援最低熱耗散以及較效能最接近的同類產品高 出20% 的可擴展輸出電流，讓設計人員可客製化其設計的輸出電流。這款步進馬達前置驅動器適用於各種工業應用，包括紡織機械、視訊安全監控、ATM、機器人、辦公自動化設備以及舞臺照明等。

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DRV8711 的主要特性與優勢：
•        可客製化的驅動器等級：柵極驅動器支援每 400mA 汲極電流下高達 200mA 的源極電流，並支援可調節迴轉率、空載時間與導通時間，可充分滿足應用需求。該元件可驅動具備內建充電泵的外部 N 通道 MOSFET，進而提供更多設計選項以及更低成本的解決方案；
•        流暢的動態曲線可實現更高的效能：採用支援達 1/256 微步進效能的整合型微步進分度器驅動步進馬達。自我調整消隱時間與各種電流衰變模式，包括慢、快、混合與自動混合衰變等，可實現流暢的動態曲線，進而最佳化馬達效能；
•        內外部失速檢測功能：設計人員既可透過內部失速檢測特性輕鬆檢測失速情況，也可透過處理可選擇性地反電動勢 (BEMF) 輸出以檢測失速情況，並透過外部控制器採取糾正措施。這可協助設計人員將馬達失速干擾降到最低；
•        易用性與高度可配置性：SPI 介面讓客戶可針對輸出電流、微步進模式、電流衰變模式以及失速檢測功能進行程式設計，可較同類元件降低系統複雜性及簡化設計；
•        穩健、可靠與保護功能：DRV8711 內針對馬達過電流、前置驅動器過電流、過溫以及欠壓故障情況的保護功能可支援系統保護，並實現高度的系統可靠性與穩固性。

工具與支援
DRV8711EVM 可評估該前置驅動器。此款評估模組 (EVM) 不僅包含低功耗 MSP430F2617 微控制器 (MCU) 與外部 NexFET 功率 MOSFET，而且還可透過電源排針外部提供高達 52V 的電源，並能提供透過圖形化使用者介面 (GUI) 與 MSP430F2617 MCU 通訊的 USB 介面。此外，所包含的步進馬達還可用來評估控制器效能。

TI E2E™ 社群的馬達驅動器論壇可為工程師提供強大的技術支援，並可向 TI 專家諮詢相關問題。
       
供貨情況、封裝與價格
採用38 接腳 HTSSOP PowerPadTM 封裝且具備導熱墊的 DRV8711 現已開始供貨，其每千顆單位建議零售價為 2.75美元。

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美高森美針對RF和寬頻通信應用 推出新型較大功率和較高電壓 MOSFET器件
VRF2944在50V供電電壓下具有業界最高的輸出功率

功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation, 紐約納斯達克交易所代號：MSCC)擴展高頻率垂直擴散金屬氧化物半導體(VDMOS) MOSFET產品系列， 宣佈推出VRF2944 和VRF3933，它們是為了可在2-60 megahertz (MHz)工業、科學和醫療(ISM)頻率範圍運作而設計的兩款更大功率、更高電壓(V) 器件，目標應用包括需要大功率和高增益，但卻不會影響可靠性、穩健性或相互調變失真的商業和國防RF功率和寬頻通訊。

與包括SD2933的競爭器件相比，業界領先的VRF2944器件在50V供電電壓下可提供400W或提高33%的輸出功率。美高森美公司的較大功率器件可以讓客戶將現有系統的功率增加33%，或減少其RF功率系統的每瓦費用。此外，該MOSFET器件還整合了一閘極電阻，此舉可用來提升寄生電阻，以保持60MHz的最大工作頻率。VRF2944器件與美高森美的前一代產品VRF2933相似，能夠在最高65V供電電壓下運作，單一VRF2944器件可提供675W的輸出功率。

VRF3933器件能夠在最高為100V的供電電壓下運作，並且提供300W輸出功率。這款更高電壓MOFET器件還可提供更高的輸出電阻，更容易與50Ω負載匹配。例如，四個VRF3933器件兩兩並聯，而且這兩個並聯對器件採推挽式形式，能夠通過4:1變壓器，使用83V供電電壓向50Ω負載發送1.1 kW功率。

美高森美公司VRF產品系列的主要特性包括：
•        高於大多數競爭器件的電壓，可實現較高的輸出功率：Po與V2成比例；
•        氮鈍化晶片具有高可靠性；
•        金金屬噴敷(gold metallization)和金線打線可提升可靠性，並且
•        可借助美高森美的應用工程技術團隊來獲得設計支援

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Power Integrations 推出高頻率雙晶順向式 IC，可大幅降低成本與佔位面積

(20131113 10:06:42)美國加州聖荷西--(美國商業資訊)--Power Integrations (Nasdaq：POWI) 這家專門提供高效電源轉換IC的領導廠商，今天宣布推出 HiperTFS™-2 IC 系列，將雙晶順向式和返馳式電源供應器控制 IC 與整合式高壓 MOSFET 結合在一起。如此高度整合下，省去了超過 20 個元件，因此尺寸外型更小且功率密度更高。這個主電源轉換器提供 66 kHz 和 132 kHz 切換頻率選擇，如此能夠使用極小的磁性元件，來降低系統成本。

HiperTFS-2 IC 在滿載情況下，能源效率超過 90%。此外，峰值功率為 175%，能滿足新一代 Intel CPU 的要求。這個單晶片完成了一個雙晶順向式主電源 (66/132 kHz) 和返馳式 (132 kHz) 待機電源供應器，以小型、雙列 eSIP™ 封裝，提供高達 364 W 的總輸出功率 (峰值功率為 586 W)。安全功能包括欠壓保護、過壓保護、過溫保護、過電流保護和短路保護。變壓器重設控制功能可在所有情況下防止發生飽和。

Power Integrations 產品行銷經理 Chris Lee 表示︰“HiperTFS-2 IC 使得通過80 PLUS銅牌和80 PLUS銀牌認證的電腦、遊戲主機電源轉換器和工業產品等應用，可以採用小型化的電源供應器。加入高壓側 MOSFET 驅動器後，讓設計人員不再需要使用脈衝變壓器和其他支援元件，進而簡化設計並縮減磁性元件的體積 (及成本)。」

採用HiperTFS-2 IC 的最新參考設計 DER368，將說明峰值功率負載為 250 W 而待機功率為 10 W 的 12 V、180 W 電源供應器，樣品現已上市，單價為 1.74 美元，訂購數量為 10000 件。

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vago Technologies針對馬達驅動與逆變器應用推出兩款新高度整合智慧型閘極驅動光耦合器       
功能齊全的2.5A與4A閘極驅動光耦合器可以大幅節省系統成本與電路板空間，提升整體電源效率與可靠度

【二○一四年二月十九日】有線、無線與工業應用類比介面零組件領導供應商Avago Technologies (Nasdaq: AVGO) 宣布推出兩款新高度整合智慧型閘極驅動光耦合器，ACPL-336J與ACPL-337J分別擁有2.5A與4A軌對軌輸出，可以直接推動高功率MOSFET或IGBT。新產品具有高電流軌對軌輸出、內建LED驅動電路、主動米勒箝位、高DESAT去飽和遮蔽電流源以及電壓過低鎖定(Under Voltage Lock-Out, UVLO)回授控制電路，為馬達控制與電源逆變器應用提供完整且高成本效益的閘極驅動解決方案。

Avago隔離產品事業部行銷總監Kheng-Jame Lee指出：「為了滿足最新應用的高功率與高效率需求，閘極驅動設計變得越來越複雜，已經採用Avago經市場驗證HCPL-316J的客戶希望能夠擁有更高的關鍵閘極驅動功能方塊晶片整合度。新ACPL-336J與ACPL-337J不僅可以節省閘極驅動設計的外加零組件數量，也為馬達驅動與逆變器應用的精簡閘極驅動光耦合器解決方案立下新的標準。」