安森美半導體針對高能效開關式電源應用推出諧振模式控制器

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兩款元件都提供“不消波”(non-clipping)功能，在輸入端施加了過量訊號時，自動減小放大器的增益，從而限制訊號失真。這種調節通過晶片內置的自動增益控制(AGC)電路來實現。功率限制器功能限制放大器的輸出功率，保護揚聲器免受過高音量導致的損傷。兩款元件的自動增益控制功能均可調節。

NCP2824使用單線介面來簡化設計。NCP2704則藉I2C協定提供豐富的控制功能，用於調配自動增益控制、訊號多工及電磁干擾(EMI)降低等級，從而符合系統要求。
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/ Y  i( t4 K2 J- M/ z+ ~安森美半導體新的NCP380和NCP382分別是單輸入/單輸出和單輸入/雙輸出限流分配開關，其設計用於很可能出現大的電容性負載及短路的通用序列匯流排(USB)端口，典型終端應用包括筆記型電腦/桌上型電腦、集線器、機上盒(STB)、電視和遊戲機類產品。在輸出負載超過限流閾值或出現短路時，這兩款新元件切換至恆流模式，將輸出電流限制在理想的電平。這兩款功率開關的上升和下降時間受到控制，從而將切換期間的電流振鈴減至最小。更為重要的是，極短檢測時間使元件能夠限制極大的輸入電流。
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NCP382整合了2顆80毫歐(mΩ)的MOSFET，採用DFN8 3 mm x 3 mm或SOIC-8封裝，擁有內部固定為500毫安(mA)、1,000 mA或1,500 mA的限流閾值。NCP380則併入單顆

70 mΩ MOSFET，提供UDFN6、TSOP-5或TSOP-6等不同封裝選擇。NCP380的限流閾值同樣固定為500 mA、1,000 mA或1,500 mA，或者也可由用戶通過外部電阻在100 mA至1.5 A範圍之間調節。
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NCP380和NCP382的工作電壓範圍為2.5 V至5.5 V，包含軟啟動、軟關閉、熱保護及反向電壓保護等特性。兩款元件都符合IEC61000-4-2(4級)標準，結工作溫度範圍為-40°C至+125 °C。

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新的NBVSPAXXX元件提供LVDS差分輸出、±50 ppm的頻率穩定性及僅0.5 ps的抖動，非常適合通訊基礎設施應用

2010年11月17日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)進一步擴充其PureEdge™矽壓控晶體振盪器(VCXO)系列，推出6款新元件。
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NBVSPAXXX系列VCXO時鐘模組的設計用於滿足當今3.3 V低壓差分訊令(LVDS)時鐘產生應用的精確要求。這些高性能元件採用高Q基礎模式可拉(pull-able)晶體及鎖相環(PLL)乘法器，提供所有業界標準輸出時鐘頻率，旨在用於網路路由器、交換器、伺服器及基地台等通訊基礎設施。
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; m* Q8 T( j2 [NBVSPA017元件支援156.25 MHz頻率，NBVSPA018支援155.52 MHz，NBVSPA019支援125.00 MHz，NBVSPA024支援160.00 MHz，NBVSPA027支援148.50 MHz，NBVSPA042支援74.25 MHz。安森美半導體還可根據客戶要求提供頻率範圍在60 MHz至700 MHz之間的訂製頻率版本。

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這些新元件提供±100 ppm的可拉範圍、±50 ppm的可選訂頻率穩定性，以及在12 kHz至20 MHz頻率範圍內僅0.5皮秒(ps)的典型抖動，典型輸出上升時間(從20%到80%)為245 ps。
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; p# E1 ^4 W6 ~% N* Q  Y3 oNBVSXXXX系列中的VCXO在衝擊(shock)、振動(vibration)及熱強固性方面完全符合全球行業內公認嚴格的MIL-STD-833美國軍用標準。每款元件都支援−40 ⁰C到+85 ⁰C的工業工作溫度。這6款新元件是安森美半導體繼今年夏天推出NBVSBAxxx系列的低壓正射極耦合邏輯(LVPECL) VCXO之另一新猷。  
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# t; u/ G0 V' U% R# c' R0 v安森美半導體時鐘及數據產品部總監Prescott Sakai說：「通訊系統設計不斷要求更加先進的時序方案。基於石英的傳統產品已使設計受到性能和成本的嚴重限制。安森美半導體完備的NBVSXXXX矽基VCXO元件提供與基於石英的常用產品同等的性能，但交貨週期更短，單位成本更低，使客戶能夠快速地將其方案面市，並縮減總體物料清單(BOM)。」

; D8 d  y4 n7 k, P9 }' yNBVSPA017、NBVSPA018、NBVSPA019、NBVSPA027及NBVSPA042採用無鉛、密封封裝 5.0 mm x 7.0 mm x 1.8 mm CLCC-6封裝，每10,000片批量的單價為5.70美元。

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安森美半導體推出BelaSigna R261高性能語音捕捉SoC
簡便的方案管理聲音環境，提升可攜式消費電子應用中的語音清晰度

, {' o  X  {) }  ?7 H2010年12月14日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出用於可攜式消費電子產品的完備系統級晶片(SoC)方案——BelaSigna R261。此方案整合了高度優化的數位訊號處理器(DSP)與先進的雙麥克風雜訊消減算法，提升嘈雜環境下的語音清晰度，同時保持語音自然逼真度。  

! m4 u" w& [) F! L4 Z, o. ?BelaSigna R261在智慧手機等應用中消除源自麥克風訊號的雜訊，同時提升語音品質，讓接收者能在正常手機通話中清晰聽到用戶的聲音。在運用可攜式裝置開會時，BelaSigna R261從四周雜訊的360度空間內識別及解析出多達6米範圍內的語音，顯著增強語音清晰度及加強使用者的自由，即使他們沒有對準麥克風，甚至是遠離麥克風。
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這SoC整合了DSP、穩壓器、鎖相迴路(PLL)、電平轉換器及記憶體，如此高的整合度與其他方案相比，降低物料清單(BOM)。整合的算法可以訂製，從而能夠針對每個特定應用取得消減雜訊與語音品質之間要求的平衡。此完備方案將設計入選(design-in)所需的時間和工程工作減至最少，因為設計團隊不須開發或獲取算法，也不須設計複雜的支援及介面電路。

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BelaSigna R261 SoC簡單地直接插到數位麥克風介面(DMIC)或基頻晶片的麥克風輸入。此SoC可用在關注成本的原設備製造商(OEM)設計中的便宜全向麥克風，令麥克風的佈設更靈活。生產線上不須調試麥克風，進一步節省時間及成本。

這新SoC採用極緊湊的5.3 mm2 WLCSP封裝，佔用的電路板空間比其他可選方案小得多，即使空間最受限的可攜式消費電子產品外形因數也用得上。
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; |/ N) @2 t, r' R" N+ zBelaSigna R261 SoC針對語音捕捉的應用，包括筆記型電腦、手機、網路攝影機及平板電腦。1.8 V電壓時的電流消耗小於16 mA，功耗僅為市場上眾多競爭產品的一半。  

! b4 E3 \8 v, T, Z* c/ y/ z/ i安森美半導體聽力及音訊方案資深總監Michel De Mey說：「音訊系統設計人員正在找易於整合到其系統中的噪音消除方案，從而加快產品上市。BelaSigna R261提供簡便的選擇，在任何地方都享有清晰舒適的語音通訊。這產品使用了先進的降噪技術，使各類可攜式消費電子產品製造商都能大幅提升語音品質及客戶滿意度。」

BelaSigna R261採用無鉛符合RoHS指令的WLCSP-30及WLCSP-26封裝，每10,000顆批量的單價為2.00美元。

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Atsushi Abe加入安森美半導體董事會 設立“整合督導”和“科學與技術”兩個新的委員會

2011年3月2日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣佈Atsushi Abe(阿部敦)已加入公司董事會。安森美半導體董事會推選Abe先生擔當此職，並任命他為公司新成立的整合督導委員會委員。

+ `6 j" M( g* X安森美半導體總裁兼執行長(CEO)傑克信(Keith Jackson)說：「Atsushi具備三十多年的金融專業經驗及出色的領導力，對全球及日本技術公司極為瞭解。在我們持續推進業務、整合近期完成收購的三洋半導體分部之際，他加入董事會將為安森美半導體帶來珍貴資源。我們歡迎Atsushi加入董事會，期望與他攜手工作。」
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Abe先生是致力於技術、傳媒及電信(TMT)行業的合併及收購(M&A)顧問公司Sangyo Sosei Advisory Inc.的創始人兼主理合夥人。Abe先生在2009年參與創建Sangyo Sosei以前，是聯宇投資基金(Unitas Capital，前身為CCMP Capital Asia及JPMorgan Partners Asia)合夥人兼日本代表，負責在日本的投資及掌管大型交易；並曾任Japan Private Equity Association創始董事會成員。

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在2001至2004年間，Abe先生擔任德意志證券(德意志銀行集團附屬公司)執行董事及全球企業金融主管，負責在日本的投資銀行事務。2001年以前，他擔任過不同領導職位，包括Deutsche Bank Alex Brown全球半導體投資銀行主管及TMT亞洲投資銀行主管，也曾在Bankers Trust、Alex, Brown & Sons及Mitsui & Co., Ltd等任要職。Abe先生持有美國斯坦福大學工商管理碩士(MBA)及日本早稻田大學理學士學位。
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, q! n6 k9 J! X+ ]+ E" f董事會新設立的委員會
安森美半導體還宣佈公司董事會下成立兩個新的委員會，分別是整合督導委員會及科學與技術委員會。   
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) _( v5 t3 ~8 h3 C* W# m整合督導委員會將督導整合三洋半導體的事宜及委員會決定的公司任何未來收購的合併整合事務。整合督導委員會的初始委員包括Atsushi Abe(主席)、Daryl Ostrander及Manny Hernandez。  
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科學與技術委員會將在範圍、方向、品質、投資水準及公司技術戰略的執行等方面為董事會提供建議。該委員會還將評估公司技術戰略狀況及公司智慧財產權(IP)範圍與品質。科學與技術委員會初始委員包括Phil Hester(主席)、Dan McCranie及Daryl Ostrander。

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NBX系列增加的新產品具有雙電壓能力，支援新頻率，總頻率穩定度低至±20 ppm，配合下一代系統要求的更高複雜度

; }) c% F" l8 t3 @+ p% V6 j! V2011年5月4日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)進一步擴充其矽晶體振盪器(XO)時脈模組產品陣容。NBX系列新增的6款元件具有雙電壓能力和領先同類的總頻率穩定度(低至±20 ppm)，提供高性價比、高精度的參考時脈方案。這些新元件符合路由器、交換器、伺服器及基地台等應用中最新2.5 V/3.3 V低壓正射極耦合邏輯(LVPECL)設計的時脈產生要求。
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這些新元件支援同步光網路(SONET)、十億位元乙太網(GbE)及區域網(LAN)/無線區域網(WLAN)等應用的頻率。NBX系列提供與石英三次諧波晶體振盪器或表面聲波(SAW)產品相近或甚至更好的性能，-160 dBc/Hz的超低相位雜訊、典型值0.5皮秒(ps)的均方根(RMS)相位抖動及低誤碼率(BER)尤為突出之處。
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安森美半導體訂製工業及時序產品業務部總監Ryan Cameron說：「頻率及電壓範圍的擴展為從事LVPECL時脈樹設計的設計人員提供了更多更好的選擇。NBX系統提供更高的性能、雙電壓靈活性及比石英晶體振盪器更短的交貨週期，保持領先於此領域不斷成長的應用需求。」
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3 H" D0 z7 j  v. dNBXMBB024和NBXSBB024支援的新頻率是622.08兆赫茲(MHz)，NBXHGA017是156.25 MHz，NBXHGA019是125.00 MHz，NBXSGA008是161.1328 MHz，NBXHGA053是50.00 MHz。
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NBX元件採用無鉛、符合RoHS指令的密封5.0 mm x 7.0 mm x 1.9 mm陶瓷CLCC-6表面貼裝元件(SMD)封裝。這些產品每1,000片批量的預算單價在3.00至5.50美元之間。

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產品系列涵蓋整個計算生態系統，應用於包括主機板、電源及外設，並同時解決功率密度及訊號完整性的挑戰
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, E$ d* @& i+ C. Y: MSept. 21, 2011 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續為簡化及加快計算平台設計擴充其產品系列。

安森美半導體計算及消費產品部高級副總裁兼總經理宋世榮(Bill Schromm)說：「我們的策略是繼續專注產品開發，幫助原始設備製造商(OEM)簡化設計、加速開發並降低總體能耗及節省電路板空間的產品。隨著傳統計算與移動設備(如平板電腦與智慧手機)之間的界線日趨模糊，我們更須計算注重提升能效、功率密度及訊號完整性。」
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安森美半導體的產品系列應用於桌上型電腦、伺服器、筆記型及平板電腦的主要子系統，包括中央處理器(CPU)供電、熱管理、傳統“銀盒型”(silver-box)桌上型電腦電源及適配器的電源轉換，以及高速介面開關和保護。針對業界越來越多地將計算技術轉移到智慧手機等移動平台，公司最近推出了擴充的產品系列，包括業界首款移動高清連接(MHL)開關，讓使用者能夠同時將高清(HD)視頻從智慧手機和平板電腦傳輸至高清電視及為電池充電。

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公司寬廣的計算方案系列包括：核心電壓(Vcore)控制器；AC-DC及DC-DC控制器、轉換器及穩壓器；電壓及電流管理 ；MOSFET；放大器及比較器；EEPROM記憶體；以及應用於電腦及外設應用的電源開關、介面、保護和濾波等方案。  

安森美半導體提供的下一代計算平台應用的最新產品包括：
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& t6 L& P# J0 R-  ESD7008、MG2040及ESD7104：為USB 3.0、HDMI™、DisplayPort及Thunderbolt (Light Peak)等高速資料及高速視頻線路提供靜電放電(ESD)保護及業界最低電容、最高訊號完整性和最低鉗位元電壓。
-  NCN3411及NCN3612B：應用於PCI Express® 3.0的最新方案，提供配合PCI Express 3.0標準的業界首款1.8伏(V)開關，具有8 Gbps頻寬能力及業界最低靜態電流。
3 H' H+ U0 K  S4 N9 w+ l; q-  節省空間及增強熱性能的雙MOSFET完整系列：應用於元件密度及熱效率要求高的網路、筆記型、伺服器及顯示卡應用。

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安森美半導體溝槽型低正向壓降肖特基整流器新系列 提供更高的開關能效
新器件提供極低導電損耗、極佳溫度穩定性及高浪湧電流處理能力，用於計算及消費應用

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9 l) g7 M) y+ U/ i6 ]2011年12月14日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用於筆記型電腦適配器或平板顯示器的開關電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉換器等應用。

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新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件採用溝槽拓撲結構，提供優異的低正向壓降及更低漏電流，因而導電損耗低及大幅提升的電路能效，説明設計工程師符合高能效標準規範要求，不會增加複雜度，例如無須同步整流。

2 t, |0 G; U, Q0 a1 a3 u此LVFR系列利用溝槽金屬氧化物半導體(MOS)結構，在正向偏置條件下提供更大的導電區，因而顯著降低正向壓降。在反向偏置條件下，此結構產生「夾斷」(pinch-off)效應，從而降低漏電流。跟平面型肖特基整流器不同，安森美半導體的溝槽型LVFR的開關性能在-40 °C至+150 °C的整個工作結點溫度範圍內都很優異。
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為了證明LVFR的優勢，安森美半導體將其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)與標準的30 A、100 V平面型肖特基整流器進行比較。基於65 W電源適配器測試的資料顯示，使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此顯著的能效提升使電源設計人員能夠符合規範要求，同時不增加方案的複雜度及成本，例如無須同步整流。
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2 z& \( U' [3 U2 Y+ r, r0 b3 x安森美半導體功率分立分部高級總監兼總經理John Trice說：「我們的客戶力求其產品設計更高能效，面市已久的平面型肖特基整流器根本無法高性價比地提供溝槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在擴展溫度範圍內提供優異正向壓降及反向漏電流性能，超出我們客戶提升電源能效的嚴格規格。」

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2012年2月9日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN) 持續開發創新技術及產品，使公司能夠為市場提供豐富的電源半導體方案。  
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公司推出的下列新產品的提供業界領先的待機能耗，維持我們身為首要高能效方案供應商的地位：

8 X1 B0 V7 s; h9 ]7 o7 U-  NCP1246固定頻率電流模式控制器在交流-直流(AC-DC)適配器應用中提供極低的空載輸入能耗。此元件包含整合的X2電容放電電路，省下了X2電容放電電阻。NCP1246與NCP4353或NCP4354結合使用時，且能夠進入低能耗休眠模式。這產品組合使65 W筆記型電腦適配器提供低於10毫瓦(mW) 領先市場的空載輸入能耗。
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7 M$ a7 k( H- ]# A7 X' S-  NCP4353和NCP4354次級端開關電源(SMPS)控制器針對要求空載條件下能耗極低的應用。這些器件檢測空載條件並通知電源進入低能耗關閉模式(初級端控制器停止工作，能量由輸出電容提供)。集成特性包括恒壓及恒流穩壓，以及用於適配器指示燈的可選內置LED驅動器。

* }7 R! K- l% a-  NCP1611有源功率因數校正 (PFC)控制器 為AC-DC適配器、平板電視及照明鎮流器提供升壓預轉換器功能。這控制器採用創新的電流控制頻率反走(CCFF)架構，將額定負載及輕載時的電源能效提升至最高，拓展了傳統臨界導電模式(CrM) PFC控制器的優勢。

( b+ |; D2 Z9 i-  NCP431三端分流穩壓器是與業界標準TL431引腳對引腳相容的升級產品。NCP431能夠採用業界領先的40微安(µA)偏置電流工作，顯著提升要求極低空載輸入能耗的開關電源之能效。
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! I1 ^3 V7 M  ^$ k. C% I-  NTST30100SG肖特基整流器 – 30 A、100 V溝槽型器件，提供更低正向壓降和更低漏電流，帶來更高電路能效。NTST30100SG不同於平面型肖特基整流器，其開關性能在整個工作溫度範圍下都保持穩定。

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先進的產品系列連通電腦系統從主機板到電源到週邊，並符合最新功率密度及信號完整性需要

' P* s+ A4 W& q8 l$ p2012年9月12日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續擴充產品系列，簡化及加速電腦平台的設計。  

- [) T; `# W8 ~, j: ~安森美半導體計算及消費產品部資深副總裁兼總經理宋世榮(Bill Schromm)說：「隨著個人電腦體驗歷經進一步轉變，安森美半導體貫徹聚焦於以創新的元件推進高能效及功率密度，説明原設備製造商(OEM)簡化設計，加速開發過程。我們一貫地提供整合方案不單能以更高頻率工作，並具備更優良的電源管理及更高的信號完整性，同時將佔用的電路板空間減至最少。安森美半導體的方案使現代高性能電腦應用中能有高速連接。」

安森美半導體設計的產品旨在用於桌上型電腦、伺服器、筆記型電腦及平板電腦中所有的主要子系統，包括中央處理器(CPU)供電、熱管理、傳統電源及適配器中的電源轉換、時鐘產生及分配，以及高速介面開關及保護。公司的電腦產品系列還因應業界從傳統計算技術邁向智慧手機及平板電腦等移動平台，提供方案以解決將新興串列通信整合到系統設計之挑戰。

公司寬廣陣容的電腦方案包括：多相內核電壓(Vcore)控制器；AC-DC及DC-DC控制器、轉換器及穩壓器；電壓及電流管理；MOSFET；放大器及比較器；EEPROM記憶體 ；以及用於電腦及週邊應用之電源開關、介面、保護、濾波等方案。

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安森美半導體應用於下一代電腦平台的產品包括：

-        安森美半導體首個基於可控矽整流器(SCR)的靜電放電(ESD)保護產品，此產品提供急速反回(snap back)及業界最低ESD鉗位元電壓，能夠保護幾何尺寸低於22奈米(nm)的晶片組。此技術的最大電容僅為超低的0.25皮法(pF)，為USB 3.0及Thunderbold等高速介面提供了最佳方案。
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-        NCP1851完全可程式設計鋰離子(Li-Ion)開關電池充電器，此元件大幅加速充電過程、改進啟動序列及最佳化電池總壽命，用於智慧手機、平板應用及其它手持可攜式裝置。
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$ C, u  R+ Y& X2 Y8 A-        NCP6132A及NCP6153電源控制器結合真正的差分電感直流阻抗(DCR)電流感測、輸入電壓前饋及自我調整電壓定位功能，為桌上型電腦及筆記型電腦應用提供精確穩壓的電源。控制系統基於脈寬調製(PWM)，還結合了DCR電流感測，為動態負載事件提供最快的初始回應，並降低系統成本。

$ n- ]0 I8 S: J; E-        全系列節省空間的雙增強熱性能分立MOSFET，用於元件密度及散熱效率要求高的網路、筆記型電腦、伺服器及圖形卡應用。
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7 k* Z% s5 H; A; v$ H( M-        NB3N1XXK和NB4N1XXK系列差分時鐘及資料扇出緩存增強系統靈活性，使設計人員可以輕易地連接多路輸入信令方案，非常適合於要求多重備份符合PCI Express (PCIe)標準的高精度、低相位雜訊時鐘信號的系統。
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-        新的ecoSWITCH™先進負載管理系列元件，提供重要的成本及佔用面積節省，以及市場領先的性能，包括：超低導通阻抗(RON)、市場上最高的電池承載能力、故障保護、可配置浪湧電流控制及其它特性，且採用極小封裝。
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( z6 W0 [$ W' T0 a4 Z. s-        NIS5132和NIS5135單片積體電路，提供優異的保護性能，增強硬碟驅動器或其它電路的可靠性，保護它們免受災難性故障及關閉故障影響。

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# v& c2 r4 |: T" z. v+ V* j8 ]5 N圖片：imec採用200 mm CMOS相容型矽基氮化鎵工藝的功率元件

2012年10月9日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)加入了領先奈米電子研究中心imec的多合作夥伴業界研究及開發項目，共同開發下一代矽基氮化鎵(GaN-on-Si)功率元件。
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) Y$ z4 k( V6 W8 ?) Q: s7 u氮化鎵具有優異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導熱性的特性，使其非常適合於要求高開關能效的功率元件及射頻(RF)元件。如今，基於氮化鎵的功率元件成本過高，不適合大批量製造，因為它們使用非標準生產工藝在小半徑的晶圓上製造。

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imec的廣泛規模研究專案著重於開發200 mm晶圓上的矽基氮化鎵技術，及降低氮化鎵元件成本和提升性能。imec匯聚領先整合元件製造商(IDM)、晶圓代工廠、化合物半導體公司、設備供應商及襯底供應商，已經卓有成效地取得重大技術進步。
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7 w( E7 t; I* Z  e2011年，imec的研究項目成功地生產出200 mm矽基氮化鎵晶圓，使工藝讓標準高生產率200 mm晶圓廠隨手可得。此外，imec開發了相容於標準CMOS工藝及工具的製造工藝，這是高性價比工藝的第二個先決條件。
2 Z6 c) a) O8 m# E# ]2 {! T
' t- h8 Y3 z: c. e  _4 ]9 U安森美半導體資深副總裁兼技術長(CTO) Hans Stork說： 「身為提供寬廣陣容高能效元件的全球20大半導體供應商之一，安森美半導體氮化鎵技術研究已持之多年，如今正在公司的比利時Oudenaarde生產廠建設氮化鎵工藝線。與imec合作，將鞏固我們現有的市場地位，並將可説明我們為客戶增加有競爭力的前沿技術。我們期待與想法相近的公司聯盟協作，在此領域進行前瞻性研究。」
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( V7 X: q% e* J. }8 x% R& u2 `imec智慧系統及能源技術副總裁Rudi Cartuyvels說：「我們的矽基氮化鎵聯合項目持續出現非凡進展，不斷推動降低生產成本。安森美半導體最新加盟成為策略專案合作夥伴，進一步推進我們的集體專業知識。充分利用聯合研究將幫助我們克服邁向經濟的大批量製造的下一個關卡，最終將氮化鎵功率元件上市。」

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安森美半導體提供更先進的ASIC及ASSP產品 與領先晶圓代工廠商的合作使公司能將65 nm和40 nm工藝技術用於工業及軍事電子應用

2012年10月11日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)與關鍵晶圓代工廠合作夥伴協作，現提供採用65奈米(nm)及40 nm工藝技術的寬廣陣容數位產品。安森美半導體與晶圓代工廠加深合作，將使公司能夠繼續為軍事、航空及工業客戶提供業界領先的特殊應用積體電路(ASIC)和特定應用標準產品(ASSP)，包括安全加密晶片及商用軍事航空元件，以及多種工業應用如GPS系統、儀器設備和工業自動化設備等。

# m! k' s7 e; J  N這些協作令安森美半導體能夠提供高性價比方案，同時為客戶提供完全遵從嚴格的國際武器貿易規章(ITAR)的晶片。客戶如今將獲得更廣陣容的授權智慧財產權(IP)，包括最新ARM處理器內核、高速串列解串器(如PCI Express、光纖通道及10 Gbit乙太網)、DDR3 RAM記憶體、USB 3.0互連等。此外，公司的產品還遵從Do254及AES9100等軍事/航空標準。
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: A! Q2 `5 m& j9 i* ]% L3 p安森美半導體數位、軍事/航空及圖像感測器產品分部副總裁Vince Hopkin說：「安森美半導體通過與一些世界領先晶圓代工服務公司的技術合作，在市場上持續據極有利地位，如今又增添了滿足高端及成本敏感型設計要求的能力。利用從我們晶圓代工合作夥伴獲得的IP授權來與ARM和Synopsys等技術合作夥伴的IP及我們自己專有IP相輔相成，我們能夠在產品中嵌入特性豐富、高整合度的功能，符合即便是最嚴格應用的性能要求。」

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安森美半導體擴充用於馬達控制、太陽能及不間斷電源應用的 高性能溝槽型場截止IGBT陣容
6 v: Q8 {& g  w新的場截止溝槽型技術元件擴大額定電流，提供高速開關能力，用於嚴格的電源應用
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' y" X9 e* S0 C) _0 U  U2 \$ vOct. 24, 2012 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件，推出9款新的高能效方案。  

/ {2 |* Y, S2 d這些新元件提升系統總體開關能效，降低功率耗散，且提升系統可靠性。這些最新IGBT元件增添至安森美半導體現有超過30款的IGBT產品系列中，將產品的額定電流能力提升至最高40 A。這些產品中包含專門針對太陽能及不斷電供應系統(UPS)應用高性能電源轉換的元件。

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安森美半導體功率分立產品資深總監兼總經理John Trice說：「全球能耗的大幅增加及預計對經濟及環境的不利影響，持續推動針對更高性能功率分立元件的需求。這些新一代元件在提供高性價比及業界領先能效的同時無損其強固性。安森美半導體專有的溝槽型場截止技術能為工程師在應用其電源系統設計時提供更豐富的選擇。」

; i+ I* R$ E, A$ R  H" @第一組新IGBT是NGTB40N120FLWG、NGTB25N120FLWG及NGTB15N120FLWG。這些產品採用強固及高性價比的溝槽型技術結構，為高頻開關應用提供優異的性能。低開關損耗及超快恢復二極體使它們非常適合於高頻太陽能、UPS及逆變焊機應用。這些元件分別擁有40 A、25 A及15 A的額定集電極電流(IC)。三款元件均經過高度最佳化，用於頻率在10千赫茲(kHz)至40 kHz的開關應用，提供低導通電壓(VCEsat)及低門電荷(Qg)特性，並具備超快恢復能力，提供極低開關損耗，以保持低功率耗散。這些新IGBT元件都提供−55 °C至+150 °C的工作結溫。
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2 w- w) p! O1 B( j第二組新元件也拓寬了安森美半導體的溝槽型場截止IGBT元件陣容，將產品額定電流能力提升至最高40 A。NGTB30N120LWG 及NGTB40N120LWG提供低Vcesat及強固的短路特性，帶有快速恢復二極體，用於低頻(2 – 20 kHz)硬開關應用，如馬達控制變頻應用。與這兩款元件相輔相成的是NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB20N120IHSWG及NGTB30N120IHSWG，這些元件具有均衡的開關及導電損耗，用於中等工作頻率(15 – 30 kHz)的電磁感應加熱及其它軟開關應用，如電鍋、電飯煲及微波爐等電器。  

4 [9 j; G1 v2 r7 u9 ^6 a封裝及價格
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NGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG、NGTB40N120FLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG、NGTB30N120IHSWG及NGTB20N120IHSWG均採用緊湊的無鉛TO-247封裝，每批量10,000片的單價分別為2.00、2.50、4.00、2.50、2.75、3.00、3.25、2.25及1.60美元。