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樓主: jiming
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台灣在射頻晶片缺席

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發表於 2014-6-25 13:49:57 | 只看該作者
科銳推出新型低成本高功率氮化鎵射頻電晶體 實現更高資料傳輸速率的電訊系統
1 F+ }8 R3 y5 Z* Z6 G5 ?& e完善的電晶體提供突破性的性價比 業界首款設計用於電訊的300W、2.7 GHz塑膠封裝氮化鎵電晶體) X, @8 @8 c9 }$ q6 W

" p& T7 w3 H8 n  I1 U科銳公司(Nasdaq: CREE)推出以創新塑膠封裝設計為基礎的新型高功率氮化鎵(GaN)射頻(RF)電晶體系列,在低成本平台上充分發揮了出色的氮化鎵射頻性能。初步推出的產品包括業界第一個300W、2.7GHz操作的塑膠封裝電晶體,提供無與倫比的65% Psat效率和頻寬性能,而價格約只有以業界標準陶瓷封裝的氮化鎵電晶體的一半。新型的氮化鎵電晶體可擴展至高功率水平,能在高達3.8GHz範圍內的所有蜂巢式電訊頻段上運作,同時可望實現更小、更低成本的大型蜂巢基地台 (macrocell) 無線電單元,以支援今日蜂巢式LTE網路不斷成長的資料需求。3 C6 e6 G2 v5 R0 r. M

1 Y1 f! I* j* x7 ~. u4 iABI Research研究部總監Lance Wilson指出:「無線電訊基礎設施的射頻電晶體市場每年接近十億美元。雖然Silicon LDMOS技術在過去二十年一直居於主導地位,但是近年氮化鎵射頻功率元件憑藉其性能表現已獲取相當程度的市佔率,不過由於它的高成本因素,因此市場接受度至今仍受限。科銳的最新高功率塑膠產品系列可降低氮化鎵電晶體的成本至接近Si LDMOS的程度,並可加速在電訊應用上更廣泛的採用。這將使氮化鎵電晶體成為下一代無線網路的主要選擇。」/ Y7 o2 s- N9 [8 |6 a

' }8 X9 \8 U( |: F科銳的新型寬頻氮化鎵電晶體具有橫跨多個蜂巢系統頻段運作的靈活性,協助網路營運商部署載波聚合(carrier aggregation)解決方案,可加入不同的光譜頻段和創造更大的資料管道,以支援更快的下載速度,並提供額外的網路容量。此外,蜂巢式基地台OEM廠商也能藉著利用少數特定頻段放大器滿足市場的需求,從而善用這項靈活性來加速產品上市。
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發表於 2014-6-25 13:50:01 | 只看該作者
此外,科銳經驗證的氮化鎵技術提供無可匹敵的效率,可提升系統的散熱設計並降低成本。更高效率的解決方案有助開發更小且更輕的無線電單元,為已過於擁擠的蜂巢式高塔減輕負擔。同時,提升了的效率也能顯著節省公共事業運行網路的成本。
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; R$ d' f3 X1 E科銳射頻事業部總監Jim Milligan表示:「我們新推出的低成本高性能塑膠封裝電晶體系列,將改變電訊OEM廠商對基地台平台設計的處理方式,為蜂巢式營運商提供更多的靈活性和連網選項以服務客戶。我們新的封裝平台能夠打破造成電訊基礎設施供應商無法完全開拓氮化鎵性能的主要成本障礙,在高成本效益的解決方案上提供寬頻和高效率性能,我們相信在設定好新標準的性能和價格後,氮化鎵已做好受到快速採用的準備。」
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7 ~* L+ m" p/ q. d- J8 G1 U3 e  q科銳現已開始供應功率為60、100、150、200和300瓦特的新型塑膠封裝氮化鎵HEMT射頻電晶體,這些產品可在高達3.8GHz的頻率範圍運作。此外,該系列還提供對690~960 MHz和1800~2300 MHz或2300~2700 MHz蜂巢式頻段預先配對的電晶體產品。用於Doherty放大器的科銳氮化鎵塑膠封裝電晶體,在電壓50V的7.5dB PAR LTE 訊號下,2.6GHz時的平均功率為80W,汲極效率(drain efficiency)為50%,而額定輸出功率具有17dB增益。整個50V塑膠氮化鎵電晶體系列已經驗證,符合濕度敏感等級3(MSL-3)與JEDEC環境標準。
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發表於 2014-8-21 10:28:33 | 只看該作者

英飛凌宣布併購美商國際整流器公司(IR)

Infineon Technologies AG to Acquire International Rectifier Corporation for US-Dollar 40 per share, approximately US-Dollar 3 billion in cash 4 D5 W* a1 x) i( n& q

* v8 x+ ]4 v- }* C§  Acquisition creates a highly complementary and innovative semiconductor product portfolio, distribution strength and a stronger regional presence.3 c2 F: T# A5 M' L/ L
% S! \7 {" W& ~# b
§  Integration complements Infineon’s expertise in power semiconductors and adds system know-how in power conversion, while expanding its expertise in compound semiconductors (Gallium Nitride on Silicon) and driving greater economies of scale in production. / Q6 W" d3 u5 x% |# {% g

7 O: y9 n# m! z7 q§  US-Dollar 40 per share in cash to be paid for all International Rectifier outstanding shares, representing a premium of approximately 47,7 percent over the average share price of International Rectifier during the last three months and a premium of approximately 50,6 percent over the closing share price of International Rectifier on August 19, 2014.
4 s4 ]2 T: g  s; b1 Y$ }: n( O) o- c9 |- A: y* U) J
§  Transaction expected to be accretive to pro-forma EPS within the first fiscal year of closing and margin contribution should be at least in line with Infineon’s average-cycle target of 15 percent at the latest within the second full fiscal year after closing. 7 Q: a2 f) n! v7 @
8 m3 N! Q, I7 S2 J
§  Transaction will be financed by additional debt and cash-on-hand, further optimizing Infineon’s capital structure. 9 T: W7 q+ G/ p$ p

& n! w# G: v- }5 @2 z$ YThis news release is available online at http://www.infineon.com/press/
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發表於 2014-8-26 17:23:35 | 只看該作者
村田製作所將以每股12.50美元的價格以現金收購Peregrine Semiconductor0 B9 B$ q/ {( z; P* p% M$ R0 _

4 b* C9 j+ q9 @- i& \/ F7 ~! M(20140826 15:22:49)日本京都和聖地牙哥--(美國商業資訊)--村田製作所株式會社(Murata Manufacturing Co., Ltd.) (TSE/OSE: 6981)全資子公司Murata Electronics North America, Inc.和Peregrine Semiconductor Corporation(下文簡稱Peregrine)(NASDAQ: PSMI)今天宣佈,兩家公司已經簽訂一份最終協定,根據該協定,村田製作所將以每股12.50美元的價格,以現金收購非該公司持有的所有Peregrine已發行股票,交易總價為4.71億美元(減去村田製作所現有持股後為4.65億美元)。Peregrine是射頻SOI(絕緣層上矽)的發明者、先進射頻(RF)解決方案的先鋒,也是行動和模擬應用領域射頻前端(RFFE)解決方案的領先提供商。交易完成後,Peregrine將成為村田製作所核心業務擴張策略的一部分。Peregrine將成為村田製作所的全資子公司,並延續其目前解決全球最艱巨射頻挑戰的業務模式。- Z! k* U1 T% Q" w

9 [8 G3 S; s, L$ `* c  t村田製作所執行副總裁兼通訊業務部總監Norio Nakajima 表示:「這項收購將結合村田製作所全球領先的行動射頻模組能力與Peregrine同類最佳的射頻前端產品。Peregrine擁有一支才華橫溢的射頻工程師團隊。Peregrine發明了射頻SOI,20年來一直引領著射頻SOI的發展,在業界的首創記錄不勝枚舉。我們已經與他們密切合作多年。他們的創新,包括全球首創的全矽整合射頻前端,是行動通訊產業的關鍵策略領域。這項交易將深化我們現有的合作,並使我們能夠把握這一領域日益增多的商機。」
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發表於 2014-8-26 17:23:52 | 只看該作者
Peregrine Semiconductor董事長兼首席執行長Jim Cable博士表示:「村田製作所是世界領先的射頻模組和濾波器提供商,與村田製作所的多年合作使我們獲益良多。村田製作所的領先產品與Peregrine的尖端SOI產品相結合,將使我們有能力在選定的市場上展開強有力的競爭。作為村田製作所團隊的一部分,我們將能夠擴展現有的合作關係,並使業界加快過渡到整合的全CMOS射頻前端。我們依然致力於為當前市場上的所有客戶提供領先解決方案。我們非常尊重村田製作所的能力,並期待與其攜手締造非凡成就。」
- d  G$ E! B" Y4 Z; |1 S: M
  w: P. q/ l& G- U% b  q這項收購將使村田製作所具備先進射頻前端能力和全球最佳的絕緣層上矽(SOI)製程技術,這些都是行動科技日益整合的重要領域。智慧型手機和其他無線裝置的射頻需求繼續朝向複雜化發展。只有矽技術才能解決這種複雜性。Peregrine是多個無線市場的供應商,這些市場包括:智慧型手機、測試與測量、汽車、公共安全無線電和無線基礎設施。Peregrine還將為村田製作所提供涵蓋整個射頻SOI前端的強大智慧財產權(IPR)組合。
/ X& i  K) v$ n5 F
( G/ p7 N3 S# t7 o9 o0 |# |這項交易已經獲得兩家公司董事會的批准,可望於2014年底或2015年初完成,但尚須獲得Peregrine股東和監管機構的審核通過以及達成其他慣例成交條件。
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發表於 2014-8-26 17:23:57 | 只看該作者
Peregrine Semiconductor——解決全球最艱巨的射頻挑戰
4 n2 F  f9 E0 K7 p2 g8 b) q: ^: q4 T* C3 V4 T0 ^# V3 o
射頻SOI(絕緣層上矽)發明者Peregrine Semiconductor Corporation (NASDAQ: PSMI)是領先的高效能整合射頻解決方案無晶圓廠提供商。自1988年以來,Peregrine及其創始團隊一直在改善UltraCMOSR技術——獲得專利的先進形式SOI——以提供用於解決射頻市場最大挑戰(如線性問題)所需的效能優勢。仰賴具備同類最佳效能和單片整合的產品,Peregrine已成為各領域市場領導者值得信賴的選擇,包括汽車、寬頻、工業、物聯網、軍事、行動裝置、智慧型手機、太空、測試和測量設備以及無線基礎設施。Peregrine持有180多項已提交申請的專利和待批准專利,UltraCMOS出貨量已超過20億件。查詢詳情,請造訪http://www.psemi.com
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關於村田製作所 ! [* h& {9 g6 ~

: u! j0 S0 l6 K0 A' l村田製作所株式會社是設計、製造和銷售陶瓷被動電子元件和解決方案、通訊模組和電源模組的全球領導者。村田製作所致力於研發先進的電子材料和尖端的多功能高密度模組,年營收達8,460億日圓(約合84億美元)。公司的員工和製造設施遍佈全球各地。查詢詳情,請造訪村田製作所官網http://www.murata.com/
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