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FDMF6708N採用PQFN 6x6mm2 封裝,與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A)效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。該元件適用於要求開關頻率在600KHz – 1.0MHz,輸入電壓高達20V的應用。可讓設計人員使用更小、更薄的電感和電容,縮小解決方案的尺寸,同時滿足散熱要求。FDMF6708N元件能夠幫助設計人員應付設計挑戰,設計出更炫酷、更薄,而且具有更高效率的Ultrabook™產品。( v/ s& F" j# }1 y
1 E+ H0 v; g! X' s) H7 ~7 _" H特性和優勢5 D; O* K, w' ~8 v
* p& Z' k' D) C& T• 超過1.0MHz的開關頻率,能夠縮小解決方案的整體尺寸,節省了50%的線路板空間,並且通過降低電感高度,實現更薄的系統。
. B* \$ R9 B0 g8 \, @7 K, ?: b8 |8 O• 零交越檢測(ZCD)電路改善輕負載性能2 l x* `, ], a8 Q$ t% y
• PQFN 6x6mm2 Intel® DrMOS v4.0標準占位面積、多源極解決方案多晶片模組(MCM)
* S4 {0 R7 O5 x• 與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A) 效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。(19Vin, 1Vout, 800KHz),帶來更長的電池壽命。
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! n' H! l9 y8 d& o快捷半導體Generation II XS DrMOS系列元件提供領先業界的技術,以應對現今電子設計所遇到的效率和外形尺寸挑戰。這些元件是快捷半導體之高效率功率類比、功率離散和光電子解決方案的一部分,能夠在功率敏感應用中提供最大節能效果。) p' i0 c: ?3 u3 ^& j# s- H: ~1 u# L& z
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價格:訂購1,000個, G6 T# \& a3 g* T& s0 D: }1 [
FDMF6708N 每個1.86美元
/ n5 O9 ~) X; W% L, [# B, g供貨: 按請求提供樣品
7 G. }: P2 h2 B9 D7 [/ U H交貨期: 收到訂單後8至10週內 |
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