電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

globe0968

FDMS36XXS系列產品採用快捷半導體先進的電荷平衡架構(遮罩閘極技術)和先進封裝技術，可在高性能運算的額定崩潰電壓下，取得低於2mΩ的業界領先低側RDS(ON) 。該系列產品經過最佳化處理，以便儘量減低300kHz至600KHz範圍的綜合傳導損失和開關損失，為負載點和多相同步降壓DC-DC應用帶來可靠的最高效率。

FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET使用獨特的遮罩電壓調變架構和超低源極電感封裝設計，可提供低開關雜訊、低設計變化敏感度和較高的設計可靠性。低開關雜訊可以免除需要外部緩衝元件或閘極電阻的緩減設計，從而降低設計BOM成本，同時節省更多線路板空間。

FDMS36xxS系列元件目前包括：FDMS3602S和FDMS3604AS PowerTrench®功率級非對稱N通道雙MOSFET。快捷半導體將會根據研究和客戶需求，推出更多的元件。兩款FDMS36xxS系列元件均滿足RoHS無鉛標準要求。

上述非對稱架構功率級雙MOSFET模組是快捷半導體全面廣泛的先進MOSFET產品系列的一部分，為電源設計人員提供適用於關鍵任務的高效率資訊處理設計之全面解決方案。要瞭解最新功率級產品資訊，請瀏覽公司網頁www.fairchildsemi.com/powerstage。

價格(訂購1,000個):
FDMS3602S 的單價為1.86美元
FDMS3604AS的單價為1.62美元

供貨：現已提供樣品
交貨期：收到訂單後8至10週

tk02376

IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET 為低功率應用擴展封裝組合


全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司  (International Rectifier，簡稱IR)擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝，且配合IR最新HEXFET MOSFET矽技術，為一系列的功耗應用，包括智能手機、平板電腦、錄機、數位相機、筆記本電腦、伺服器網路通訊設備，提供超小型、高密度和效率的解決方案。

新款的PQFN2x2元件分別適用於20V、25 V和30 V，還有標或邏輯水平柵極驅動器選擇。這些元件需要4mm2的占位空間，並用IR最新的低電壓 N-通道P-通道矽技術，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR的新型PQFN2x2元件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也滿足我們客戶的需求，進一步小的封裝尺寸，結合基準矽技術。這些元件不但擁有超小尺寸和高密度，更非適合與高度數位化內容相關的應用。」

這個PQFN2x2系列包括為負載開關的高側而優化的P-通道元件，帶來一個更簡單的驅解決方案。同時，新元件的厚度少於1 mm，使它們與現有的表面黏著技術兼容，並且擁有行業標準的占位空間，還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。

globe0968

Diodes推出全新MOSFET組合可減少直流馬達損耗

台灣— 6月23日—Diodes公司推出一對互補型雙MOSFET組合DMC4040SSD，可用於低壓單相/三相無刷直流 (BLDC) 馬達控制應用。該組合具有互相搭配的N通道及P通道導通電阻 (Rdson) 性能，可以將馬達負載的直流損耗平均分配並降到最低。

這對增強模式MOSFET的Vds為40V，可適用於控制冷卻、排氣扇、泵、壓縮機及印刷頭的24V直流馬達系統。當Vgs為10V時，這對互補MOSFET的導通電阻降至25mΩ，因此可有效限制傳導損耗，進而減少功耗並增加整體產品效率。

DMC4040SSD的額定持續電流為6A，額定脈衝電流為29A，使電機轉矩電流(torque current) 可達到馬達啟動或拋錨時所需支援的持續電流的五倍。DMC4040SSD採用業界標準的SO-8封裝，與同類型的單一MOSFET封裝相比，更能節省印刷電路板空間。

為創建一套完整高效的直流無刷馬達控制解決方案，Diodes特別使DMC4040SSD MOSFET封裝可與旗下的ZXBM101x單相預驅動馬達控制器系列，以及相應的霍爾傳感器共同部署使用。

globe0968

Microchip推出內建MOSFET驅動器的高電壓類比降壓PWM控制器，以及高速、小型封裝低阻值MOSFET系列
擴展Microchip的電源解決方案組合，以更高的整合度實現更高電壓、更高功率DC/DC應用的能力


全球領先的微控制器、類比零件暨快閃技術供應商Microchip Technology，宣佈推出全新電源轉換控制器系列及其首個功率MOSFET元件系列。該系列的全新脈衝寬度調變（PWM）控制器和互補型的具小型封裝低阻值（FOM）的MOSFET系列的組合以支援高效率的DC/DC電源轉換設計，涵蓋了廣泛的消費電子和工業應用。這兩個全新系列彰顯了Microchip對於其實現更高電壓、更高效率、以及業界趨向更小電源轉換系統的這一承諾有顯著進步。

MCP19035是一個小型的、基於類比的PWM控制器產品系列，包括整合的同步MOSFET驅動器，可提供出色的瞬態性能。MCP19035元件可在4.5 - 30Vdc的寬廣電壓範圍下工作，開關頻率為300 kHz，並提供了工廠可調整 Dead-Time的功能設定，有助於設計師面對眾多種MOSFET元件時提供最佳化的性能。在與Microchip的MCP87xxx MOSFET或任何低low-FOM MOSFET組合時，MCP19035系列能夠實現高效率的（>96％）DC/DC電源轉換解決方案。

globe0968

MCP87xxx系列高速MOSFET具有非常低的FOM，封裝在業界標準的5 mm×6 mm和3.3 mm×3.3 mm PDFN封裝內。新發佈的MCP87022、MCP87050和MCP87055元件，可分別提供2.2mΩ、5.0mΩ和5.5mΩ的導通電阻。這些全新MOSFET有助於實現高效率的電源轉換設計。

Microchip類比與介面產品部行銷副總裁Bryan J. Liddiard表示：「PWM控制器的MCP19035系列擴大了設計工程師在滿足其應用功率轉換需求時的選擇範圍。其廣泛的工作電壓範圍和整合的高功率同步驅動器能夠支援那些需要一個快速、採用類比控制器實現高效率、高功率密度解決方案。這些元件結合了Microchip的首款高速MOSFET產品，可實現產生超過96%效率的快速、高效電源轉換解決方案。」

MCP87xxx MOSFET系列也補充了Microchip現有的專注於SMPS的PIC® 微控制器及dsPIC33“GS”系列數位信號控制器的產品組合。Microchip的MCP14700同步MOSFET驅動器非常適合於驅動高速、低FOM MOSFET。當由微控制器驅動時，兩者可構成一個靈活的、高性能電源轉換解決方案。

開發工具支援

MCP19035系列的MCP19035 300 kHz評估板（產品編號#ADM00434）現已透過所有Microchip業務代表和microchipDIRECT提供。該評估板包括Microchip的全新MOSFET。與MCP87xxx MOSFET系列同時發佈的一款基於Excel的損耗計算器及使用者指南也已提供。

封裝及供貨

MCP19035和MCP87xxx系列現已提供樣品並投入量產。MCP19035系列採用3 mm×3 mm 10接腳PDFN封裝。MCP87022和MCP87050採用5 mm×6 mm 8接腳PDFN封裝，MCP87055採用3.3 mm×3.3 mm 8接腳PDFN封裝。

innoing123

快捷半導體的 40V PowerTrench®MOSFET 產品在動力操控應用中提供了更好的電力控制功能及更高效率


器件具有最低電阻和低總閘極電荷以降低功率損耗

汽車動力操控(Power Steering)系統設計工程師需要可提供更高效率和更好功率控制的解決方案。快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 的40V N 通道 PowerTrench®MOSFET 產品可協助設計者應對這些挑戰。

innoing123

FDB9403 採用快捷半導體公司的遮罩閘極技術，改進了電阻並降低了電容。 該器件提供比最接近競爭產品低 20% 的 RDS(ON)值，同時具備低 Qg值，可降低了功率損耗並最終提高整體效率。 FDB9403 MOSFET 產品作為基本的電流控制開關，有效地控制了電力，無任何浪費，因此非常適合於電力操控系統、懸架控制及動力傳動管理應用。

特點及優點：

•        在 VGS = 10V 和ID = 80A時，更低功率損耗的典型值 RDS(ON)= 1mΩ，從而實現更高效率
•        在 VGS = 10V和 ID = 80A 時，典型值 Qg(tot) = 164nC，功耗更低，從而實現更高效率
•        UIS 能力
•        符合 RoHS 及 AEC Q101 標準

封裝及定價資訊（訂購 1,000 個，美元）
按請求提供樣品 - 收到訂單後 8-12 週內交貨
•        FDB9403 採用 D2PAK TO-263AB 封裝，價格為 2.48美元。

快捷半導體在功率半導體器件及模組封裝方面的專業知識，結合大量測試、模擬及高品質製造經驗，使該公司提供的產品在最苛刻的汽車環境中亦能可靠地工作。 由於擁有世界各地的設計、製造、組裝及測試基地，快捷半導體公司具有良好的裝備，從而滿足了汽車製造商在品質、可靠性及可用性方面的需求。

innoing123

東芝推出新款N溝道低導通電阻MOSFET-產品採用最新第八代製程，可用於鋰離子電池保護電路和手機電源管理開關

(20121210 11:55:40)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)推出了一款低導通電阻MOSFET—TPN2R503NC。該產品採用最新的第八代製程打造，可用於鋰離子電池保護電路和手機電源管理開關。其他兩款第八代產品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被納入該產品系列中，成為現有型號的換代產品。所有三款產品均有助於降低設備厚度和總體尺寸，並可提高效率。

應用
1. 鋰離子電池保護電路
2. 手機電源管理開關

主要特點
1. 由於採用了最新的第八代製程，因此產品的導通電阻比現有的東芝產品要低。
2. 採用了TSON Advance封裝，可提供出色的散熱性能。
3. 高抗雪崩性能。

mister_liu

快捷半導體的高壓 MOSFET 在 AC-DC 電源應用中提供業界領先的體二極體穩固性能
SuperFET® II MOSFET 提供更高效率及可靠性，同時節省系統成本及電路板空間


高端 AC-DC 開關電源 (SMPS) 應用如伺服器、電信、計算及工業電源應用需要高功率密度；為了取得成功，設計者需要具有成本效益的解決方案，從而佔用更小的電路板空間並提高可靠性。 美國快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號： FCS）透過引入 600V N-通道 SuperFET® II MOSFET 系列，協助設計者應對這些挑戰。

產品分為兩個系列：SuperFET II 及 SuperFET II Easy Drive。這些 MOSFET 在輸出電容 (Eoss) 中儲存較少能量，從而在輕載條件下實現更高效率，並透過同級最佳的體二極體穩固(Robust)性能提高在諧振轉換器中的系統可靠性。

mister_liu

這些 MOSFET 採用先進的電荷平衡(charge balance)技術，提供極低的導通電阻和更低的閘極電荷 (Qg) 性能，因此品質因數 (FOM, figure of merit)    更低。 這些器件包含多個整合性的特點，有助於在簡化設計中減少元件數量，從而獲得更高效率、更具成本效益的設計，其中包含一個閘極電阻器 (Rg)， 能夠大幅降低閘極振盪並改進系統整體性能。

優勢及特點：

SuperFET II MOSFET
•        更快的開關速度，從而最大化系統效率
•        更大的功率密度
SuperFET II MOSFET Easy-Drive
•        易於設計及使用
•        優化的開關性能
•        低電磁干擾雜訊
•        在異常情況下可靠的運行
封裝種類與售價資訊（訂購 1,000 個，美元）
按請求提供樣品 - 收到訂單後 8-12 週內交貨

sophiew

東芝為CMOS毫米波電路的發展開發緊湊型MOS可變電抗器模擬模型- 精確度從DC至毫米波且採用單模型 -

東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO: 6502)今天宣布開發精確度從DC（直流）至毫米波(60 GHz)的緊湊型MOS可變電抗器1模擬模型。新模型由東芝和岡山縣立大學(Okayama Prefectural University)的Nobuyuki Itoh教授共同研製。

新的緊湊型MOS可變電抗器模型引進原始演算法來表達尺度效應，並可捕捉到支配60 GHz範圍的寄生效應的影響。針對元件大小不同的樣品，使用了1 MHz - 60 GHz的測量參數進行建模。一般而言，很難透過單模型來表示MOS可變電抗器，但是新開發的模型卻成功做到了這一點。

新模型能夠準確捕捉到寄生效應，這就為實現RF-CMOS產品的低功耗提供了支援。東芝將利用基礎技術來開發此類晶片，而這些晶片是該公司模擬與影像積體電路部門的主要裝置。受惠於目前已取得的成效，東芝預計將來可精確地對CMOS毫米波電路進行模擬。

透過自身的65 nm RF-CMOS技術，東芝已經打造出了元件長度從0.26 um至2.0 um不等的樣品，並使用這些樣品對新模型進行了驗證。所有尺寸的元件均取得了DC至67 GHz的精確度。

該模型的驗證工作是在60 GHz電路上完成的。東芝使用這種用於調頻元件的模型對60 GHz VCO控制電壓上的相位雜訊水準依賴性進行了測量，並與電路模擬進行了比較。結果顯示，測量精度達8 dB，優於傳統模型2。

這些研發成果在12月4-7日在臺灣舉行的亞太微波會議(Asia-Pacific Microwave Conference)上進行了展示。

1. MOS（金屬氧化物半導體）可變電抗器是一種平面元件，歷來都使用CMOS技術製造。通常來說，該元件廣泛用於CMOS VCO（壓控振盪器）電路的調頻元件。

2. BSIM（伯克萊短溝道絕緣柵場效應電晶體模型）是通常用於模擬MOS可變電抗器的傳統模型。該模型由加州大學伯克萊分校開發。

amatom

瑞薩電子推出鋰離子電池充電控制IC支援大電流快速充電
以超小型封裝實現高效能2 A充電 尺寸為2.47 mm × 2.47 mm


2013年1月08日，台北訊－先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈推出R2A20057BM鋰離子(Li-ion)電池充電控制IC，適合採用一個鋰離子電池單元的行動裝置，例如數位相機及智慧型手機。R2A20057BM採用世界最小等級的封裝尺寸，內建降壓DC-DC轉換器並支援2 A大電流充電。

由於數位相機、智慧型手機及其他行動裝置的功能越來越強大，電流用量也逐漸增加，因此需要更大容量的鋰離子電池，以及較大的電流來為這些電池充電。然而，大電流充電系統需採用多個功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)及獨立的被動元件，而處理大電流也需要大尺寸的散熱結構，但同時又需要更小的安裝面積，特別是行動裝置。

為解決這些問題，新款R2A20057BM採用晶圓級封裝，將多個功率MOSFET與充電迴路整合於單一晶片以大幅縮小安裝面積，由於此封裝技術可降低封裝電阻，因此可供應大量的電流。另外，本產品整合了高效率的晶片內建降壓DC-DC轉換器，不僅可實現大電流充電，並可將發熱抑制在最低的程度。

amatom

R2A20057BM電池充電控制IC的主要特色：

(1) 相較於先前的瑞薩解決方案可減少約62%的晶片表面積
瑞薩採用非常精細的高電壓耐受度晶圓製程及晶圓級封裝(WL-BGA、25-pin、0.4 mm間距)，因此可達到世界最小等級的2.47 mm × 2.47 mm極小晶片尺寸。另外，內建2 MHz高頻率降壓DC-DC轉換器，可使用小型多層晶片電感做為外部元件。晶片內建的25 V高輸入耐受電壓可提供內建的過電壓保護電路，無需外部的過電壓保護電路，有助於大幅縮小安裝面積。

(2) 支援USB電池充電規格Revision 1.2
新款R2A20057BM可自動辨識六種USB連接埠類型，包括USB電池充電規格Revision 1.2規定的三種類型，並自動設定輸入電流限值。

(3) 同時支援獨立作業以及I2C控制作業
新款R2A20057BM可做為獨立產品實作充電作業，或可透過內部積體電路(I2C)的命令輸入進行控制。I2C控制命令支援多種要求，包括充電開始/停止控制，並可變更參數值，例如充電控制電壓、充電電流及輸入電流限值。

(4) 內建自動負載電流分配功能
新款R2A20057BM利用內建的負載電流分配功能，為電池充電時控制系統的供電路徑，此分配功能會優先供電至系統，當輸入電流有限，例如電力經由USB介面大量流出，就會調整充電電流。如此在建立充電系統時，即無需增加大型外部元件，例如獨立開關。

(5) 內建保護功能以確保電池充電的安全
內建的保護功能可確保充電的安全，包括提供輸入/輸出過電壓保護、熱保護、充電計時器保護，以及採用熱敏電阻監控電池溫度。4.20 V/4.35 V ±0.5%的高精度充電控制電壓能以指定電壓為鋰離子電池安全地充電。

供貨時程
R2A20057BM電池充電控制IC現已開始供應樣品，並自2013年1月起量產，預估至2013年8月可達到每月50萬顆的產能。(供貨時程如有變更，將不另行通知。)

amatom

東芝推出新款IGBT/MOSFET閘驅動光電耦合器 工作溫度範圍為-40°C至125°C，有助於減少逆變電路的死區時間，提高效率

(20130109 17:32:09)東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布將推出採用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅動中等容量的IGBT或功率MOSFET。新產品TLP250H的最大傳輸延遲時間為500ns，光電耦合器間的傳輸延遲偏差為150ns，這樣的性能可減少逆變電路的死區時間(dead time)，提高效率。新產品使用了壽命超長的新LED，可支援-40°C至125°C的工作溫度。此外，該耦合器可將最低工作電壓降至10V（東芝之前型號的最低工作電壓只可降至15V），進而有助於降低功耗。該耦合器可應用於一系列產品中，包括高溫環境中使用的工業設備，家用太陽能光電發電系統，數位產品以及測量與控制儀器。該產品的樣品現已推出，並計畫於2月份投入量產。

應用
IGBT/功率MOSFET閘驅動器，功率調節器，通用逆變器，IH（感應加熱）設備，等等。

主要特性
1. 工作電壓：VCC=10 - 30V
2. 傳輸延遲時間：tpLH, tpHL=500ns (最大值)
3. 傳輸延遲偏差：±150ns (最大值)
4. 寬廣的保證工作溫度範圍：Topr=-40°C - 125°C
5. 峰值輸出電流：IOP=±2.5A (最大值)
6. 低輸入電流：IFLH=5mA (最大值)
7. 隔離電壓：BVS=5000Vrms (最小值)
8. 共模瞬態抑制：CMR=±40kV/μs

tk02561

IR 全新300V功率MOSFET配備基準導通電阻 有助於提升工業應用之系統效率


全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出配備了IR最新功率MOSFET的300V元件陣營，藉以為各種高效率工業應用提供基準導通電阻 (RDS(on))，包括110-120交流電壓線性調節器和110-120交流電壓電源，以及太陽能逆變器與不斷電供應系統 (UPS) 等直流-交流逆變器。

全新功率MOSFET陣營具備極低的RDS(on)，有助於提升系統效率。若多個MOSFET並聯使用，設計師更可減少產品的元件數量。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR 300V MOSFET陣營配備了基準Rds(on)，能夠提升效率、功率密度及可靠性，適用於要求更佳系統效率之工業應用。」

全新元件符合第一級濕度敏感度 (MSL1) 業界標準及電子產品有害物質限制指令 (RoHS)。

tk02561

瑞薩電子宣佈推出低導通電阻功率MOSFET以提供更高電源效率及小型伺服器電源供應器
相較於瑞薩早期ORing應用產品，新款MOSFET提供低50%的導通電阻

2013年2月5日，台北訊－先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈推出新款低導通電阻 [註1] MOSFET [註2] 產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing [註3] FET使用。

此款新產品具有業界最低的0.72 mΩ (典型值、30 V)導通電阻，比瑞薩早期產品低約50%，並具備高效率與小尺寸安裝面積封裝(8-pin HVSON)，能以較小的封裝提供高電流控制，有助於節省電力及電源組件的小型化，用於大型伺服器儲存系統。

以關鍵任務系統而言，通常會提供備援供電，亦即使用ORing FET搭配多個電源裝置，以維持伺服器儲存系統的高可靠性。這些ORing FET連接至各電源供應器的電源輸出線路。ORing FET在正常運作時會維持導通，但若其中一個電源供應器故障時，該電源供應器的ORing FET將切換為關閉狀態，以便將故障的電源供應器與其他電源供應器加以隔離，確保故障的電源供應器不會干擾系統電力。

正常運作時，電源輸出線路需處理數十至數百安培的大電流。ORing FET必須具備低導通電阻特性以避免導通損耗的增加或電源電壓的下降。

為因應上述需求，瑞薩以該公司的全新低導通電阻製程為基礎，目前已開發三款MOSFET產品。新款μPA2764T1A、μPA2765T1A及μPA2766T1A符合上述需求，可為電源供應裝置提供領先業界的低導通電阻以及更小的外型。

tk02561

新款低導通電阻功率MOSFET產品的主要特色

(1) 業界最低導通電阻
新款μPA2766T1A提供業界最低的0.72 mΩ (典型值、30 V應用)導通電阻及5 mm x 6 mm小尺寸封裝，其導通電阻僅約為瑞薩原有產品的二分之一。如此可藉由降低網路伺服器及儲存系統所使用之電源供應器內的ORing FET的傳導損耗，提升系統整體的電源效率，這些系統也正是達成智慧型社會的關鍵應用。另外，還能藉由大電流來抑制電壓大幅降低的情形。即使是電流波動幅度較大的電源供應器，也有可能達到高精度的電源電壓。

(2) 8-pin HVSON封裝及小尺寸安裝面積，支援大電流控制
8-pin HVSON封裝提供低封裝電阻，因為它採用金屬板連結封裝內的FET晶片與針腳。如此再結合FET晶片的低導通電阻，儘管封裝尺寸僅有5 mm × 6 mm，最高亦能控制額定電流130 A (ID (DC))的大電流。多個ORing FET並聯連結至各電源供應器以提供大電流時，亦可利用最少的並聯數量以協助縮小設備尺寸。
三款新的MOSFET包括μPA2766T1A，其導通電阻額定範圍為0.72 mΩ至1.05 mΩ (標準值)，可提供更理想的產品選擇，以符合使用者在操作電流或環境情況方面的需求。亦可讓客戶供應最佳產品，有助於提升電源效率並降低空間需求。
瑞薩電子計劃持續強化此產品系列，繼續致力於降低導通電阻並創造更小的封裝以符合持續進化的客戶需求。

[註1] 導通電阻是功率MOSFET運作時的電阻。較低的數值表示損耗較少(導通損耗)。
[註2] MOSFET是「metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (金屬氧化物半導體場效電晶體)」的縮寫。MOSFET依據結構區分為P通道或N通道。此新產品為N通道MOSFET。
[註3] ORing是指一種組態，其中以多個電源供應器提供負載，自動執行電源電壓切換，或者由電源供應器分擔負載。這是透過功率MOSFET及控制電路實作。

關於低導通電阻功率MOSFET產品之主要規格，請參閱附件。

供貨時程
新的低導通電阻功率MOSFET已開始供應樣品，樣品價格因規格而異。 瑞薩電子將於2013年2月開始量產，預估至2013年10月，三款產品的合併產能可達到每月500萬顆。(供貨時程如有變更，將不另行通知。)

amatom

東芝將為行動裝置的直流-直流轉換器推出高速雙N溝道MOSFET-支援大電流的低電容產品可提升高速開關效率

(20130304 13:55:39)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布，該公司為智慧手機和平板電腦等行動裝置的大電流充電電路高速開關推出一款低電容雙N溝道MOSFET。

隨著智慧手機、手機、平板電腦和筆記型電腦等行動裝置不斷增加新功能並對電池的要求日益提高，業界不斷透過提升充電密度及大幅提高充電電流和頻率來縮短充電時間，進而改善使用者體驗。東芝新款低電容產品SSM6N58NU是該公司雙N溝道MOSFET系列中的最新成員，適合用作大電流充電電路的高速開關。

應用
用作智慧手機、手機、平板電腦和筆記型電腦等行動裝置的大電流（高達4A）充電開關。

主要特性
1. 大電流
2. 低導通電阻
3. 低電容
4. 小型封裝

amatom

(20130307 10:55:16)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)已推出一款100V的低導通電阻、低漏電型功率MOSFET。該產品採用最新的溝道MOS製程打造，成為汽車專用系列中的最新成員。新產品TK55S10N1的導通電阻較低，搭載以最新第八代溝道MOS製程打造的U-MOS VIII-H系列晶片，並採用配備銅連接器的DPAK+封裝。該產品主要適用於汽車應用，尤其是開關穩壓器等需要高速開關的汽車應用。該產品現已推出樣品，並計畫於2013年4月投入量產。

tk02376

TI 針對汽車及工業應用推出業界首款 48V 恆定導通時間同步降壓轉換器
Fly-Buck™ DC/DC 轉換器整合MOSFET 為單一輸出及多重輸出設計縮小尺寸並降低成本

(台北訊，2013 年 3 月 13 日)   德州儀器 (TI) 宣佈針對單輸出及多輸出電源推出三款整合高低側 MOSFET 的最新 48V 同步降壓穩壓器。該 650mA LM25017、300mA LM25018 及 100mA LM25019 Fly-Buck™ 轉換器，採用恆定導通時間 (constant on-time; COT) 控制架構，與需要多顆 DC-DC 轉換器的傳統設計相比，可銳減 40% 電路板空間。Fly-Buck 轉換器與屢屢獲獎的 TI WEBENCH® 線上設計工具搭配使用，可簡化並加速工業及汽車系統高電壓 DC/DC 設計。

LM25017、LM25018 及 LM25019 以最高可達 48 V 的輸入電壓支援非隔離式穩壓器和多重輸出裝置。接腳相容的 LLP 與 PSOP 封裝提供具有可擴充性的解決方案，充分滿足各種不同電源需求。每款 Fly-Buck 轉換器皆可配置正負電壓軌或隔離式多重輸出，並支援優異的交叉穩壓 (cross regulation) 效能。

Fly-Buck 轉換器與 TI 100V 600mA LM5017、300mA LM5018 及 100mA LM5019 寬泛輸入電壓穩壓器系列接腳相容。TI 針對 3.3V 或 5V 輸入電源與要求最高 2 W 的隔離式電壓功率設計提供 TPS55010 Fly-Buck 轉換器，滿足高效率及一次側穩壓功能。詳細 TI 高電壓負載點產品系列資訊，請參見網頁：www.ti.com/pol-pr。

Fly-Buck 轉換器主要特性與優勢
•        Fly-Buck 轉換器可簡化各種不同電源設計，支援隔離多重輸出或正負電壓軌電源；
•        恆定導通時間 (COT) 控制架構提供優異的負載暫態回應，無需迴路補償，可降低成本，並簡化設計；
•        整合高低側 N 通道 MOSFET 可提高效率，無需外部蕭特基二極體 (Schottky diode)。
       
供貨、封裝與價格
採用加強散熱型 8 接腳 LLP 與 PSOP 封裝的最新 Fly-Buck 轉換器 LM25017、LM25018 及 LM25019 現已開始量產供貨，可通過 TI 及其授權通路訂購。LM25017 每千顆單位售價為 1.25 美元、 LM25018 每千顆單位售價為 1.12 美元、 LM25019 每千顆單位售價為 1 美元。通過 AECQ-100 認證版本將於 2013 年 5 月提供。