版图设计基础培训（很有用）！

王迎草凡@FB

正在學習的學生路過～

蔡廷暤@FB

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& P' S1 y- \' D  e: G. i2 x7 P

AaronChen@FB

感謝謝大大希望對我有幫助~~

930709

想看本內容,謝謝!!
7 T0 H4 A, M' _1 K!!
, n4 \1 m' D9 p: q! s感謝分享~~

alienwarejian

太多太多人（甚至某些论文）将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态：weak inversion（弱反型，或者称亚阈值），moderate inversion（中间反型，部分属于亚阈值）和 strong inversion（强反型，注意名称！这个不叫饱和区）
2 t3 j* @9 U" s* l0 q+ O  g* e% k   这三个工作状态根据Vds的不同，都可存在 线性区，非线性区但未饱和，还有饱和区（不同的Vgs都存在饱和区！只是对Vds的要求不同！）
" D2 l8 N; `9 W% |& H   
7 Z* q$ H3 M4 c: P% I4 S3 N: t   如果是要进行低功耗的设计的话，将管子置于亚阈值区是最好的，并且要饱和！亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
3 C) U9 b* H) ^  z9 D   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感，因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的，而强反型只是平方相关，如果是速度饱和，那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。

Technology

bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案 4 t, m3 I+ L/ @: f: ~8 g感恩~

adjamie

謝謝分享!!
) D" H3 v' E. X2 z學習中,非常需要~

KuiyouLin@FB

剛踏入這行
想找些教學資料參考
+ A# @4 e- a# s7 ]/ Q/ x' Z: d* m謝謝大大分享

crazydance21

    謝謝分享!參考看看
$ z, o# v9 \: |0 E8 G

何建頫@FB

謝謝分享
4 d: o; M3 D; E* F  E  f! A看起來是一份很基礎的講義

pigway06

感謝好文章的分享，目前正在尋找一些教材資料。
6 j7 D# w4 E: N3 p1 A, S, r9 ?* ~

mattwu0207

感謝大大提供,   正好工作需要用到

unclemario

没有经过系统学习，下来看看。

kyobaby111

感謝大大的分享
: R/ b7 I, p9 ^* J& S希望能對我這個菜鳥有幫助

dxzxc124578

最近在layouy電路 來看看學習

kpo0806

謝謝樓主提供此教材，很有幫助

pomu

感谢分享，刚入行layout，望大神指点
0 f! T4 b7 b0 U# u4 ?

spacedpp

謝謝分享,
研究看看...希望有幫助＠＠

james8627

交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊

z8030634

感謝分享，layout可以再次提升能力
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