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樓主: minzyyl
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[問題求助] 關於amp的match問題

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21#
 樓主| 發表於 2009-7-19 08:30:50 | 只看該作者
原帖由 erwbeflkw 於 2009-7-18 08:06 PM 發表 0 o* c5 f9 x* u' m
方案一:
- n: I. e. U" H% |1 M$ I  AB     AB7 `7 d6 ~& Z# a3 n: }1 h! C
        x) R% b! Y) y0 H& g# D
  BA     BA  兩個兩個相互共用應該也算common-central
& u2 N6 ^5 K* F& C  v& f
, J0 Y& m3 ]$ Y如果不共用! t! f# C, r/ ?  u( z$ n' j1 t
 A      B          A      B
# _+ x; U" `1 v- _$ e        x        X         x4 z, q" d# O: f& L1 z$ g( P; r
 B      A          B      A   
5 [5 s$ c  |# r4 f/ P   ...
9 q, u4 z; G# k# A; `9 s
* P1 }/ A' ?) |
方案一勉強算CC,兩兩共用但中間不共用,可能不是很match,其他基本上同意.
9 }- C- T0 I* F& ^+ N
( L1 Y9 E8 @  Y第二种如果不共用,感覺就對稱電流方向考慮應該是最好的,感覺不理想的就是如果電路比較在乎計生電容,也就是說RD比較在乎速度,就不是最佳的了吧? 不知道分析的對不對
22#
發表於 2009-7-19 13:56:53 | 只看該作者
If you are very care match and the current ,I suggest you use the two, because its match very good than the others, about the current's orientation , you don't share the S/D can be OK.
23#
發表於 2009-7-24 08:25:44 | 只看該作者

整体间的电流方向是一致的。。。。。。

但是把A,B看成一个整体时,整体间的电流方向是一致的。。。。。。
24#
發表於 2009-7-30 15:12:14 | 只看該作者
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.
# Z1 K# i2 n  ERD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省面積到處都可能作的到,唯有輸入級的面積是省不了的!!(當然先決條件是RD能認同)
25#
發表於 2009-7-30 17:38:52 | 只看該作者
原帖由 nebula0911 於 2009-7-30 03:12 PM 發表
; e1 \# m8 C% P( ~/ [以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果." p: v6 v5 V- ]# M# L
RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省 ...

. K3 e5 f& G- N  I
3 V! Y" A  f# w& |+1
9 T& u4 N! w1 [) h  Q5 P- |. }$ m0 S( u$ p
輸入級的match是最重要的, 他會影響許多性能優劣
26#
發表於 2009-8-2 20:51:06 | 只看該作者
当然第2种啊4 j) x, Q' `, f: U" q: k0 I  N
1  面积小
# C* {/ a& E( j* }# g2 drain 面积最小, 与sub 的电容小
' V9 _4 p- h- m5 `  _3 符合common central  
! ^. N; ^# p  W( c/ T& A& D7 I8 K/ p- h1 m+ `
类比电路的mos  match, 最关键是gate基本一致, 这样vt的偏差最小啊,  就算电流方向不一致, 如果有个偏差的话, 那a和b 也是一起偏差的。
27#
發表於 2010-3-18 13:15:57 | 只看該作者
. U% a/ J8 v1 T1 x

0 W5 r+ O- g2 W/ ]8 @' F* i9 r4 Y, o- z$ K- K8 S

. v& U+ Y3 y+ H/ s2 l: E
28#
發表於 2010-3-19 17:10:50 | 只看該作者
請問各位前輩7 v/ `. r3 T3 g) j6 A0 e

- U5 y' X3 c; B  a8 a5 aABBA       ABBA! x- G* }. d' H; b5 j7 s1 j
BAAB  和  ABBA
! }" H! h% Q! M8 n* O4 A
0 r2 ]* K+ S& l: c) s+ i這兩種又有什麼差異??
29#
發表於 2010-8-11 21:59:41 | 只看該作者
第二种较好吧!6 s0 b3 K9 Z- F
看你的管子个数而定
30#
發表於 2010-8-24 11:16:05 | 只看該作者
we use 3rd method + C' W: F9 \1 Y' H; y! t9 N
and work well sfdr & snd ok!
31#
發表於 2010-9-27 10:47:19 | 只看該作者
回復 1# minzyyl ' `  J# G" U4 ^) T" k' s
" T: ]7 y" C9 `+ r# P* z7 I3 x( z

$ T' l$ j% K# Q* ?5 `    我都用第2種方式~common-centroid1 Z  Z2 ~, S. G# l9 r$ }
    省面積~而且特性較好~
& W# b. T4 M" L4 M- ~. _6 {9 I    mosㄉ條件一樣~
32#
發表於 2011-6-16 11:48:51 | 只看該作者
梯度效應考量、ID電流考量。
33#
發表於 2011-6-22 11:49:35 | 只看該作者
回復 20# minzyyl
$ e8 A; H- {* n8 H% _0 W- H  j4 ]
我也想知道不共用的理由是什麼?+ P0 c% q, [+ }3 j- E: I1 @) c
34#
發表於 2011-7-13 11:53:09 | 只看該作者
看元件的剖面圖,能夠共用的是s端或是d端,不同製程之元件能夠共用的點不同,rule與rule的規則。就彼此卡死,AA一定會分段。
35#
 樓主| 發表於 2011-7-13 22:13:17 | 只看該作者
前年發的帖子竟然還在。。。: r9 f$ X" d, h! H  H3 W5 i# I

: x( D; w' f" D% ~3 }4 x5 g) x' Q現在的認識又多了點。這個例子,應該把STI和WPE算上去,那麼答案就比較明顯了。
36#
發表於 2011-7-28 12:38:37 | 只看該作者
要看元件的製程,元件之端點是否能夠共用,目前遇到的元件是nmos元件都只能是獨立元件,能排的只是二維格式,因bulk是共用的,s與d共用的機會根本是不可能的# u" [! C; _& D! _
; ]6 u9 z7 b% O) M; O
依照我這個例子,我會說,看元件製程而定。  A9 V2 c9 y' z) x+ ?% F: v. p! O
事情並沒有絕對,只有合理性,; F; [$ U* O8 A% Q( L( |( C- X
rd與layout的考慮立場並不相同,唯一能夠說明的只有雙方的溝通了解。而非傾向單一方的說法。
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