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美光推出第三代低延遲記憶體 RLDRAM
美光與領先晶片組和客製 ASIC 設計公司合作開發高頻寬、低延遲網路解決方案
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* H, o3 Y; e$ H6 T! |- n(台北訊,2010年7月14日) 美光科技 (Micron Technology, Inc.) 宣布推出第三代低延遲DRAM (RLDRAM○R 3記憶體),一種高頻寬記憶體技術,能更有效的傳輸網路資訊。影像內容、行動應用和雲端計算的蓬勃發展,產生了對更高效網路基礎設施的需求,以能線上傳輸大量資料。與前幾代產品相比,美光新的RLDRAM 3記憶體進一步提高了儲存容量和速度,同時將延遲減至最低,降低了功耗,在網路應用中效能更好。
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. B/ H7 o/ H' y; z- T美光的DRAM行銷副總裁Robert Feurle表示,隨著網路內容消費的不斷增長,人們日益需要有一種能支援網路流量增長的技術,美光的RLDRAM 3記憶體滿足了這種需求。0 `( a4 @1 L" c( \
對於現有的RLDRAM 2,美光將繼續提供最高水準的技術支援,並計畫長期生產該產品。此外,美光正將其RLDRAM 2產品組合轉入更先進的50nm製程,提高系統效能,降低功耗。
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1 F1 x/ x( Z% w- p' A1 vRLDRAM 3記憶體產品特點
( e: @ T) L* z0 a! ~$ g# [美光新的RLDRAM 3記憶體的主要特點及優點包含:# {! G+ ]! F X% M, _, z9 T
低延遲:tRC不足10奈秒,隨機存取延時為業界最低
/ F2 ^6 W' D; x1 A0 R4 F7 f 高容量:576Mb-1Gb,靈活性高,可用於多種設計2 U- h) v" V/ {$ f. q4 X e9 x" @& a( a
高速率:達2133Mb/s,資料存取速度更快
$ f; t1 Y. c, P4 h5 r 高能效:1.2V IO和1.35V內核電壓,更省電 |
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