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[問題求助] 設計interdigital capacitor

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1#
發表於 2007-9-20 00:24:06 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
要怎麼設計interdigital(指插型) capacitor ?/ x+ w; t/ y. z. z+ u# _- F( h
我找到一個公式,代進去和模擬出來有2pF的誤差,4 _( X6 j! F& ?& d0 {5 u
模擬的電容值我是看1MHz那一點的電容值為準!$ [" B7 g0 J" B2 ]8 z
* d5 S/ T0 _% I# F
有沒有任何更好的interdigital capaictor reference可以study !& |* g0 a! ~' c. r
thanks all
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2#
發表於 2007-9-21 12:12:29 | 只看該作者
这个也不大懂,最近也碰到这样的问题。共同学习一下。
/ D: K( a- j$ ]* A) }2 X( ^4 M我碰到的是这种电容用在vco里,电压对电容的大小有调节作用的。
3 ^, m2 A& D! {4 ]) N下面是找到的一个公式,是否有用?
- t- D3 b- [$ J# A8 Y8 [, p4 [3 H- n2 D. q  h7 A
还有就是,是否这种电容的两端为黑色的两边,电容的大小仅跟距离相关吗,跟两端的电压没有关系?
8 c" l* A- i  b% i2 [, U这种电容如果是用最上层金属(如M4)做的,那么它的下面是不是会需要M3,M2也以同样的方式连接以确保较好的性能呢?

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3#
發表於 2008-5-26 16:39:37 | 只看該作者
以前遗留的问题,再顶起来,大家来讨论讨论!
4#
發表於 2008-5-26 16:42:09 | 只看該作者
TSMC90nm工艺似乎提供这种电容的model的,不知其他工艺下要用的话,如何自己建cell呢?
5#
發表於 2008-5-27 12:53:43 | 只看該作者
建議你在使用公式計算時,一定要參考製程廠所提供的design rule來計算
" I4 ]0 n7 S+ i$ N$ l! c+ z因為若是用metal to metal的寄生電容,每一家的製程廠的metal的寄生電容都不一樣,而且不同層的metal to metal也不一樣
" B( A' e# I) s& O若沒有參考design rule,所計算出來的寄生電容的差距會頗大的
; P. E, P& W* M) l6 v2 ~+ z0 y而且,還要考慮到mask誤差的問題, D7 D( E4 l/ ]( g2 V2 ?
另外,若很疑惑所計算出來的寄生電容值,建議你可以先用layout畫一個metal to metal 電容的cell,然後再抽LPE,看看所計算出來的寄生電容和筆算的誤差有多少,如此一來可以更精確地知道差距
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