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提供一個之前用的方法,
3 H- p y9 S6 `% U# g2 y0 ], S由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)+ E6 b- C# B, S( [" b$ `1 B; X
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
+ _8 K K( C# q$ d( I4 m: zVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値7 {, ]! |) t$ x
" \8 l. Q4 ~/ ] `' c! K由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
3 y1 U+ _# s' k4 I+ L在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]8 b4 k |4 A5 T' @1 s
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
+ w' Y, d9 o: v- t故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
+ s" u1 U( h* k0 ]7 f! U' P
9 g, _* v# H1 Z7 D4 g" s將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值; G v8 | T9 R3 ]
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
4 v- Z7 b3 g* [$ Q. K0 w = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
9 e' T& n: y$ ~3 {: i6 ]$ \5 M7 T
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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