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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟/ L# x4 w7 y* {2 X

/ s" _: ^" Z: x' QOD2作用:
3 e2 Q& i3 P6 y' k2 h% k: {1. 增加阻值# M9 I% d; o2 e/ {6 {& y! W4 R0 m* V6 ~
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
) }$ x' A  c+ ^4 ~3. 通常用於高壓製程上
/ b4 m, j' z, B4 c* ?6 }, q
; J# v- k7 ~6 ]" S, f+ Z" ?3 J  O# i& xSAB作用:6 D* |9 f8 S3 p" e" H
1. 可以用來計算電阻值- S# P, g5 w! K* {' ?
2. 降低阻值
( J" F* H9 v, I6 k& w& n% q/ ?3. 防止LDD的尖端放電/ \; d% ^" ~5 _" ?
3 u# X, T1 K& ~% F2 w7 K& d! m1 |

# t: }/ \- n0 k% o! w以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
  X% q- S7 x1 B7 |" h3 ~% }' O: Y
個人的認知與看法!有錯請指點一下!& t7 G! d+ F+ U3 w  V0 S# r0 _# Z

, M! G2 a0 `/ s: n. x/ u: `9 B1 ]有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!$ G  X+ N9 J& S! P" `; L4 {$ T
. G2 Q% O3 ], r2 p# r9 a# y% f# j
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
: b+ X- [! k: g! Z6 B' k, d能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚& R! j- n4 ~( P* R1 k
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
$ [5 K0 {: C" U7 B6 D3 nSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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