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一般來說,若是0.18um的製程,它的數位的正常工作電壓是1.8V
4 U. j* S: R, w- [& o+ W, C& G5 c但也有一些會是例外的情況,例如MaxChip 0.18um, 它的數位正常工作電壓就是3.3V,所以,這個部份建議你直接看Fab的Design rule來確認
0 o9 N4 ?* _. W! v, L6 S另外,因為你一直強調你的工作電壓範圍很廣,若是如此,你在選擇元件上需留意Gate Oxide的耐壓問題,因為基本上0.18um的LV device(1.8V device)的耐壓不可能操作在4V以上,一定要用3.3V device或者更高的耐壓元件,而Gate Oxide的厚度愈大,其Vt or Vtp的電壓也愈高,如此一來愈不適合操作在低電壓區5 o s3 V1 V+ s ^1 q- w
故而,請慎選你的device,又或者你應該先確認你的Fab能提供那幾種device,而這些device能不能符合你目前要設計的SPEC的電壓工作範圍,若不行,你惟有更改製程,又或者修改SPEC.1 x0 A1 H E* g+ B# H; r
& d) c, L" T, v0 ~我提供的電路,當初是用0.18um & 0.15um process, 3.3V device所設計,工作電壓是3.0V ~ 3.6V,後來實際量最低可從2.3~3.6V都還很OK,而若低於2.3V以下會有問題,那是因為電路架構中至少需要2.1V才能夠讓MOS正常操作在Saturation region(Vt & Vtp的限制),而這也是我剛剛所提的先天限制,也是請你先確認的事項
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% z- z6 J( o- U8 |3 i0 @" @2 B這篇我並沒有看過,但,一般正常情況下,若要補償溫度的變化,那視必要在你的電路中要存在有正溫度係數和負溫度係數兩種元件才行,而Bandgap reference circuit的先天條件就是依此來建立的,故而假若你不想用BJT device,那麼你的電阻就視必要選擇和MOSFET相反的溫度係數的電阻,而且它的變化量要恰好可以跟的上MOSFET的溫度變化,如此一來即使不用BJT device也可作到溫度補償的效果,而這種不用BJT device的電路架構,絕大部份都是建立在這種條件下所產生出來的 |
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