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[問題求助] IC ESD 相關問題請教

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1#
發表於 2007-11-27 16:35:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
1. 聽說即使是 foundry 或 IP 公司提供的 IO library 也可能偷 rule 是不是?反正只要驗證 OK,先以縮小面積為考量,是這樣嗎?
* V1 O$ @8 W9 l( z8 z! w/ V6 g
  u* |) ?' W/ W, V2. 假設發生 ESD 問題了,找到亮點了,傷到內部電路,也層層剝下去觀察,知道 damage 在哪個 device 了,如果它是 design issue,接下來該採取什麼樣的求證步驟和方法來找出是哪裡的 design 有問題呢?尤其是 ESD 都已經 follow ESD rule 的情況下,有什麼大方向可先行檢查一遍嗎? (附記 : 0.18um, mixed-signal IC)
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2#
發表於 2007-12-10 14:13:31 | 只看該作者
1. Foundry 的 ESD rule 通常都很大!!  所以使用者常會去偷 rule。IO library 通常都是過他們所說的耐ESD範圍,這部分應該必較沒有問題!!若有存疑可以請 Foundry or IP House 提供相關的資料,就可以知道其耐受度。4 M% C" U1 Z; R
2. 亮點只是結果。這些可能要靠專業的判斷比較可以得知。大部分的都是猜測。沒有看到實際的 layout 和相關的位置是很難判斷的。

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參與人數 1 +5 收起 理由
cuban487 + 5 Good answer!

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3#
發表於 2007-12-10 21:30:36 | 只看該作者
根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?
4#
發表於 2008-7-25 16:35:48 | 只看該作者
Foundry 的 ESD rule 通常都大,
+ `0 z# q5 I& [7 F: ndesign by yourself is better
5#
發表於 2008-9-8 23:04:21 | 只看該作者
IC 裡頭有不同的 Gnd Pad 嗎?+ H, l. C2 D6 ~( P" B. V
如果有的話,Gnd Pad 之間有沒有用 diode 串接?  l  P2 Y2 N2 i% b( b% p: o# b
是否有思考過每一種ESD測試組合都有相對應的元件保護?
. h9 \& G# a5 D$ R如果都沒有,死在裡面也不是什麼很奇怪的事。
- V" n+ N4 }- y: {0 l6 W5 `8 Q$ X2 y5 c, N( a8 e. D" Z
不過,如果是死在 Foundry 給的 IP上面 (不是IO喔),
- O: k' ~& q/ N- a0 Q可以把問題丟給他們,確認是Foundry的話,甚至可以談賠償,& e' l; e/ N2 p$ \! L; Z
不過,通常那種大的 Foundry 都不會理你就是了。
6#
發表於 2008-9-24 23:37:55 | 只看該作者
原帖由 ritafung 於 2007-12-10 09:30 PM 發表
# k/ S" g5 |; Z. H3 b1 {根據我們的經驗, Back end 大概是主要問題。Poor metal routing 能導致ESD 問題, 即使已經使用ESD design rules. 您檢查discharge path嗎?
6 F% \% ^% X& v1 q8 n; `! n
; t0 X( H% }* {, X% c
3 ?9 g5 k9 E* T  ?
請問何謂poor metal routing呢? 可否麻煩大大解說一下?
7#
發表於 2008-9-24 23:42:18 | 只看該作者
我也覺得常遇到的case都是死在內部電路
& o, s- J4 D; H# \6 u% s( u想請問各位前輩, 若我找到damage的device, 假設是死在core的gate好了,那
1 J, P% t+ o: \( P, k我可以直接在那個gate前面加一個放電path嗎?, 譬如一個diode.
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