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[問題求助] 請問TSMC 0.35的電阻畫法

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1#
發表於 2007-9-21 09:53:27 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問各位LAYOUT高手:我目前是在研究類比電路的學生,但在劃電阻時碰到一些困難,就是在TSMC的電阻劃法上,不知道如何去佈局電阻的LAYOUT,還有要如何在LAYOUT的過程中,如何去考量電阻的阻值,是用電阻的公式算嗎? 謝謝!

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發表於 2007-9-21 12:36:41 | 只看該作者
原帖由 louisli 於 2007-9-21 12:05 PM 發表
' Z- W7 L) M' w5 U7 u謝謝大大的回覆,但想在請問大大說那那個晶圓廠提供的RS大小要從那裡可以得知這樣的訊息,謝謝!
5 x  g5 F  R& m; o! h5 s# i8 m
7 W& |: n9 U" L, R  I" {+ T
每個晶圓廠都有提供SPICE Model,SPICE Model內就會有提供Resistance Table,裡面會有sheet resistance,找看看吧~~
2#
發表於 2007-9-21 10:45:29 | 只看該作者
電阻的layout多使用一個方格是多少個阻抗,所以串N個方格,則阻值X N,但電阻不能串太多方格,則其L與W差太多,電阻
8 t+ Y: R! T$ U# X# O+ a2 X變化太大,其四週需要有dummy相同材質的電阻.

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3#
 樓主| 發表於 2007-9-21 11:08:05 | 只看該作者
謝謝大大的回答,但我還想問的是大大所指的方格是指? 還有大大所說的dummy可以用TSMC所提供的dummy嗎?謝謝!
4#
 樓主| 發表於 2007-9-21 11:32:09 | 只看該作者
在請問大大,剛在一些參考文獻中,所提到的電阻值的計算公式,R=RSXL/W,那RS所指的是指什麼?剛剛查到大大所說的方格是指L與W所構成的方格嗎?
5#
發表於 2007-9-21 11:53:20 | 只看該作者
RS 是接觸片電阻(sheet resistance) = 電阻係數x電阻厚度(深度)
! I& S0 r& G! T通常晶圓廠會提供 RS 的大小 以方便使用者去設計所需的電阻
  s. A& @5 N# O# K; bR=Rsx(L/W) 只要估算layout的L/W就可以知道電阻的大概值
% A! j* U" S2 Hdummy 的需求是怕因為layout面積太大或太小 造成製程變異太大 所以需要加上dummy pattern8 F/ i# t: w" D: G& k/ J* q
一般晶圓廠也會建議dummy pattern的畫法 但不一定要遵照, Y' l% }! s) P) L+ B5 C4 ?

3 ^  F' P( ?. x9 A8 Y! U/ \
, J0 n- |% y6 J# R, m# JPS: R=電阻係數 x(L/A)=電阻係數x(L/Wxt); N2 @: j0 @+ v' i7 ^; k  J: D/ {8 L
     =(電阻係數/t)x(L/W)- ?. t( N0 n' k, \5 N3 N
     =Rs x (L/W)
( B$ V) R' T, `9 j! X$ ]/ r4 n1 `, b或者可以想成當L=W時(方格)  R=Rs
3 n. N1 J  D) D5 d4 d, z當10個方格連在一起 R=10Rs
6#
 樓主| 發表於 2007-9-21 12:05:25 | 只看該作者
謝謝大大的回覆,但想在請問大大說那那個晶圓廠提供的RS大小要從那裡可以得知這樣的訊息,謝謝!
8#
發表於 2007-9-23 00:12:29 | 只看該作者
TSMC 0.35 um 電阻的畫法嘛~~~
) h( ]* [, z/ O9 p) o. I- o- p6 F; u& v嗯嗯, 用POLY2吧, TSMC 0.35 process 看起來只有POLY2能認得到,
) K! d8 B& u! L+ M9 m$ _/ g其實也不用去看SPICE Model,- p  N6 O/ `2 ?$ n
只要看POLY2 design rule和Calibre LVS Command File就夠了,
0 ?& U( j) a1 N! I- C4 l先送個消息給您: POLY2的sheet resistance為50 ohm/square,
$ z2 q+ \" n, s3 j其它的最小width多少啦...etc...等等的資訊, 就請您找找Design Rule了, 裡面有寫, 我確定!!) S: L5 Z. D' C; a4 u" r2 m" O
( \9 ?, a6 H2 ]/ z1 p# s
一點點經驗, 希望對您有幫助!!
9#
發表於 2007-9-24 18:17:07 | 只看該作者
要有poly2 是要用mixed mode製程才有提供 一般製程沒有poly2可用
2 c' U) R) B" P* SNW 跟 N+ 還有poly 不能用來當電阻嗎?
10#
發表於 2007-9-25 07:26:50 | 只看該作者
可以,但N+ P+ & NW 為且有junction的電阻,所以要考慮電阻之間距離及junction break-down 電壓的問題,poly1為
2 a3 F' G0 W6 k非junction電阻,之間的距離,可以使用較小的rule,但其電阻較小.
. t, M9 l  C3 E; t% F6 `還有N+ P+ NW & poly材質均為半導電阻,所以其個別均有電壓及溫度效應造成使用之時的電阻變化,所以電阻值是會改變
4 |7 G8 u6 P# A% A的喔....
11#
發表於 2007-10-1 03:04:48 | 只看該作者
有另外一個較快的方法,不過前提是您也是學校,然後有cic的權限
2 `% [( }) v8 H尋問工作站管理員,會有一種檔案名稱叫做pdk <<這只是關鍵字3 D6 R8 S& k9 T% `/ ?, ?
然後可利用virtuoso將其引入,引入之後,叫出來的電阻、電容、電晶體,就是官方畫好的
( O% E8 c4 h$ k5 D0 a那如何引入到laker呢?
0 h0 O! q' S( q很簡單,只要利用virtuoso的export>stream,將叫出來的電阻or電容等等,一種一個檔的方式,output成gds2的檔案) t7 w' S3 F/ s6 P( t, f- @
再開啟laker import>stream 便可引入了,這是頗方便的小技巧,給您參考一下
12#
 樓主| 發表於 2007-10-3 13:09:20 | 只看該作者
謝謝大大的回答,但上一位大大所說的pdk不是只能在TSMC的0.18製程操作,據我所知TSMC的0.35製程,電阻.電容好像要自己畫上去說
13#
發表於 2007-10-12 13:19:53 | 只看該作者
原帖由 louisli 於 2007-10-3 01:09 PM 發表 ' m  t/ b& V& G% X6 U& G% ~
謝謝大大的回答,但上一位大大所說的pdk不是只能在TSMC的0.18製程操作,據我所知TSMC的0.35製程,電阻.電容好像要自己畫上去說
2 n5 D8 T$ o, H& b" I3 b

# p7 \# t7 s/ [/ ]/ l; k1 h我查一下我手上的documents好了XD
' i- _& i' Q: d& \5 x7 X7 E可能真的是如您所說的,只有點18製程有. r1 e+ d/ I4 h7 @) N7 f* Q- u
敝人當時的想法是想說點35跟點18一樣有PDK XD
! `# j" L' Z* ?+ m: L
3 Z( p- T% Y5 c/ f  g! `如果真的沒有的話,建議用POLY電阻,誤差比較小
2 I0 A. Q9 [9 Z3 w不過相對的,阻值也比較低) U2 M; x/ ~) }$ M
LVS的檔案裡面應該都有定義+ z+ Z; u  r! `, q8 c- ^
最好是把LVS都印出來慢慢K XD 這樣對實力的進步,有很大的幫助4 e+ x( _2 y( j# G4 }$ ?
在下也要開始學著K LVS的定義了。。。
14#
發表於 2007-10-15 03:51:34 | 只看該作者
講的好詳細唷~~~本來不懂的問題現在大概知道囉~~多謝大大唷~2 S+ K) ^& k1 |
多謝你的無私
15#
發表於 2008-4-22 19:19:06 | 只看該作者
電阻用L型shap~會比較好嗎?怎麼感覺怪怪的~到底是哪裡出錯
16#
發表於 2009-1-8 16:31:58 | 只看該作者
thank a lot!!!          受益良多!
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